Infineon T1189N Data Sheet

Marketing Information

T 1189 N

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

+0,1

3,5

x 3,5 deep

on both sides

ø 48

ø 48

C

A

HK
plug
4,8 x 0,8

4

G
plug
2,8 x 0,8

VWK Aug. 1996

T 1189 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

1200 1400 1600

1200 1400 1600

1300 1500 1700

Charakteristische Werte

Characteristic values

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and
reverse voltages

tvj = -40°C...t

vj max

V

DRM

, V

RRM

1800

V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t

tvj = -40°C...t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I

tc = 53°C 1800 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 22500 A

vj max

Grenzlastintegral

I2 t-value

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t

, tp = 10 ms

vj max

vD ≤ 67%, v

, f = 50 Hz

DRM

iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t

, vD = 67% V

vj max

DRM

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t

, iT = 5400 A v

vj max

vj max

vj max

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current

, vD = 6 V I

vj max

tvj = t

, vD = 0,5 V

vj max

vj max

, vD = 0,5 V

DRM

DRM

tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 2 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t

vj max, vD

= V

DRM

, vR = V

RRM

Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t

V

= V

DSM

V

RSM

TRMSM

TAVM

TSM

= V

DRM

RRM

1800

1900

2800 A
1190 A

25500 A

I2 t 3,25 . 206A2s

2,53 . 206A2s

(diT/dt)

(dv/dt)

T

V

T(TO)

r

T

GT

GT

GD

cr

cr

200 A/µs

1000 V/µs

max. 2,05 V

0,9 V

0,19

mΩ

max. 250 mA

max. 2 V

max. 200 mA

max. 10 mA
V
I

H

I

L

iD, i

gd

q

GD

R

max. 0,2 V
max. 500 mA

max. 2500 mA

max. 150 mA

max. 4 µs

typ. 240 µs

V

V

Innerer Wärmewiderstand für beidseitige

thermal resistance, junction to case for

Θ =180° el, sin

R

thJC

max. 0,0230 °C/W

DC max. 0,0210 °C/W

für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(A)

max. 0,0395 °C/W

DC max. 0,0375 °C/W

für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling

Θ =180° el, sin

R

thJC(K)

max. 0,0500 °C/W

DC max. 0,0480 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R

thCK

max. 0,0035 °C/W

einseitig/one-sided max. 0,0070 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

vj max

c op

stg

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 16...32 kN
Gewicht weight T 1189 N G typ. 520 g
Kriechstrecke creepage distance T 1189 N 32 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-155B4

T 1189 N

7000

6000

i

T

[A]

4000

3000

2000

1000

0

0,5 1,0 1,5 2,0 2,5

T 1189 N / 1

vT [V]

Bild / Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic
iT = f(vT), tvj = t

vj max

140

120

t

C

[°C]

100

0 Θ

3500

120°

90°

P
[W]

3000

TAV

Θ

0

60°

Θ = 30°

2000

1500

1000

500

0

0 500 1000 1500 2000

T 1189 N / 2

I

[A]

TAV

Bild / Fig. 2
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

TAV

= f(I

TAV

)

140

120

t

C

[°C]

100

180°

Θ

0

80

60

40

20

0 500 1000 1500 2000

T 1189 N / 3

Θ = 30°

60°

I

TAVM

[A]

Bild / Fig. 3
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

120

t

C

[°C]

100

80

60

40

20

0 50 100 150 200 250 400

T 1189 N / 5

90°

60°Θ = 30°

120°

300 350

I

[A]

TAVM

Bild / Fig. 5
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Luftselbstkühlung / Natural air-cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.05F
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

80

60

40

180°120°90°

20

0 200 400 600 800 1000 1200 1600

T 1189 N / 4

Θ = 30° 60° 90°

120°

I

TAVM

180°

1400

[A]

Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC = f(I
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

TAVM

)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ

140

Θ

0

t

C

[°C]

120

100

Θ

0

80

60

120°

40

180°

20

0 200 400 800600 1000

T 1189 N / 6

Θ = 30° 60° 90° 180°

I

[A]

TAVM

Bild / Fig. 6
Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(I
Verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling

TAVM

)

Kühlkörper / Heatsink: K0.05F, VL = 120 l/s
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle θ