Infineon T1099N Data Sheet
Marketing Information
T 1099 N
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
+0,1
3,5
x 3,5 deep
on both sides
ø 48
ø 48
C
A
plug HK
4,8 x 0,8
4
plug G
2,8 x 0,8
VWK Apr. 1997
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Kühlung
two-sided cooling
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Periodische Vorwärts- und RückwärtsSpitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
T 1099 N
V
DRM
, V
RRM
1200 1400
1600 1800
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
tc = 62°C 1500 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 20 kA
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms
vj max
TSM
I2 t 2,645 . 106A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, vL = 10V, f = 50 Hz (diT/dt)
iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 0,67% V
vj max
DRM
(dv/dt)
5. Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, iT = 4,5 kA v
vj max
vj max
vj max
, vD = 6 V I
vj max
tvj = t
, vD = 0,5 V
vj max
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 2 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
DRM
T
V
T(TO)
r
T
GT
GT
GD
max. 10 mA
I
H
I
L
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
iD, i
gd
R
tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj = t
, iTM = I
vj max
TAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
DRM
t
q
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
= V
RRM
cr
cr
1200 1400
V
1600 1800
1300 1500
V
1700 1900
2350 A
1100 A
23 kA
2 . 106A2s
250 A/µs
1000 V/µs
max. 2,04 V
0,9 V
0,25
mΩ
max. 250 mA
max. 2 V
max. 20 mA
max. 300 mA
max. 1500 mA
max. 250 mA
max. 4 µs
typ. 200 µs
Innerer Wärmewiderstand für beidseitige
thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,023 °C/W
DC max. 0,021 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(A)
max. 0,0395 °C/W
DC max. 0,0375 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(K)
max. 0,05 °C/W
DC max. 0,048 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R
thCK
max. 0,0035 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,007 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 16...32 kN
Gewicht weight G typ. 520 g
Kriechstrecke creepage distance 32 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
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