Infineon T1081N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1081N 60...70TOH

Features:

Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Full blocking capability at 125°C with 50 Hz

Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

.

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current

Dauergrenzstrom
mean forward current

Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current

Grenzlastintegral

2

t-value

I

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current

f = 50 Hz

tC = 85°C, f = 50Hz
t

= 60°C, f = 50Hz

C

tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0
t

= t

, tp = 10ms, VR = 0

vj

vj max

tvj = 25°C, tp = 10ms
t

= t

, tp = 10ms

vj

vj max

DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs

tvj = t

5. Kennbuchstabe / 5 th letter H

, vD = 0,67 V

vj max

= 0,67 V

D

DRM

DRM

V

,

t

DRM

V

RRM

= -40°C . t

vj min

0°C 6000 6200

vj min

=

6500 6700
7000 7200

I

TRMSM

I

TAVM

2700 A

1300
1720AA

I

TSM

I2t6,12·10

5,78·10

(di/dt)

(dv/dt)

cr

cr

300 A/µs

2000 V/µs

V
V
V

3534kA

kA

6

A2s

6

A

2

s

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Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1081N 60...70TOH

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance

Durchlaßrechenkennlinien 500 A ≤ iT ≤ 5000 A
On - state characteristics for calculation

VABiCi Di

=+⋅+⋅ ++⋅ln 1

TTT T

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents

Zündverzug
gate controlled delay time

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

()

tvj = t

, iT = 2kA

vj max

tvj = t

vj max

tvj = t

vj max

tvj = 25°C, vD = 6V

tvj = 25°C, vD = 6V

tvj = t

, vD = 6V

vj max

t

= t

, vD = 0,5 V

vj

vj max

tvj = t

, vD = 0,5

vj max

tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7Ω

tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs

tvj = t

vj max

vD = V

DRM

DIN IEC 747-6
t

= 25°C,

vj

i

= 3A, diG/dt = 6A/µs

GM

tvj = t

, iTM = I

vj max

vRM = 100V, v
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

4. Kennbuchstabe / 4 th letter O

, vR = V

DM

DRM

VDRM

RRM

TAVM

= 0,67 V

DRM

v

V
r

T

A
B
C
D

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

t

gd

t

q

T

(TO)

GT

GD

R

typ
2,55

typ
1,12
0,714

typ
0,00017
0,000408
0,159
0,0117

max
2,7 V

max
1,18
0,759

max
0,00016
0,000509
0,184
0,00634

typ

.

V
mΩ

350 mA

2,5 V

2010mA

mA

0,4 V

350 mA

3A

200 mA

2µs

600 µs

tvj = t

vj max

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
V

= 0,5 V

R

tvj = t
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
V

= 0,5 V

R

vj max

, VRM = 0,8 V

RRM

, VRM = 0,8 V

RRM

RRM

RRM

Q

r

I

RM

10 mAs

250 A

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Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor
Phase Control Thyristor

T 1081N 60...70TOH

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC

beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

R

thJC

R

thCK

t

vj max

t

c op

t

stg

0,0086

0,0025

0,008
0,015
0,017

0,005

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

125 °C

-40...+125 °C

-40...+150 °C

.

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft

F 36...52 kN

clampig force

Gewicht

G

weight

Kriechstrecke
creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

humidity classification

Schwingfestigkeit

f = 50Hz

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

typ

Seite 4

77TN70

1200 g

33 mm

50 m/s

C

2

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