Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1081N 60...70TOH
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
.
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
2
t-value
I
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
f = 50 Hz
tC = 85°C, f = 50Hz
t
= 60°C, f = 50Hz
C
tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0
t
= t
, tp = 10ms, VR = 0
vj
vj max
tvj = 25°C, tp = 10ms
t
= t
, tp = 10ms
vj
vj max
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
tvj = t
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
, vD = 0,67 V
vj max
= 0,67 V
D
DRM
DRM
V
,
t
DRM
V
RRM
= -40°C . t
vj min
0°C 6000 6200
vj min
=
6500 6700
7000 7200
I
TRMSM
I
TAVM
2700 A
1300
1720AA
I
TSM
I2t6,12·10
5,78·10
(di/dt)
(dv/dt)
cr
cr
300 A/µs
2000 V/µs
V
V
V
3534kA
kA
6
A2s
6
A
2
s
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1081N 60...70TOH
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Durchlaßrechenkennlinien 500 A ≤ iT ≤ 5000 A
On - state characteristics for calculation
VABiCi Di
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
TTT T
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
()
tvj = t
, iT = 2kA
vj max
tvj = t
vj max
tvj = t
vj max
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = t
, vD = 6V
vj max
t
= t
, vD = 0,5 V
vj
vj max
tvj = t
, vD = 0,5
vj max
tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7Ω
tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs
tvj = t
vj max
vD = V
DRM
DIN IEC 747-6
t
= 25°C,
vj
i
= 3A, diG/dt = 6A/µs
GM
tvj = t
, iTM = I
vj max
vRM = 100V, v
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
, vR = V
DM
DRM
VDRM
RRM
TAVM
= 0,67 V
DRM
v
V
r
T
A
B
C
D
I
GT
V
I
GD
V
I
H
I
L
iD, i
t
gd
t
q
T
(TO)
GT
GD
R
typ
2,55
typ
1,12
0,714
typ
0,00017
0,000408
0,159
0,0117
max
2,7 V
max
1,18
0,759
max
0,00016
0,000509
0,184
0,00634
typ
.
V
mΩ
350 mA
2,5 V
2010mA
mA
0,4 V
350 mA
3A
200 mA
2µs
600 µs
tvj = t
vj max
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
V
= 0,5 V
R
tvj = t
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
V
= 0,5 V
R
vj max
, VRM = 0,8 V
RRM
, VRM = 0,8 V
RRM
RRM
RRM
Q
r
I
RM
10 mAs
250 A
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Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1081N 60...70TOH
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
0,0086
0,0025
0,008
0,015
0,017
0,005
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft
F 36...52 kN
clampig force
Gewicht
G
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
typ
Seite 4
77TN70
1200 g
33 mm
50 m/s
C
2
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1081N 60...70TOH
Maßbild / Outline
.
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
5500
5000
4500
4000
3500
T 1081N 60...70TOH
Durchlaßkennlinie iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic
t
= 125 °°°° C
vj
.
3000
(A)
T
I
2500
2000
1500
1000
typ max
500
0
00,511,522,533,544,55
T
V
[V]
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
30
20
T 1081N 60...70TOH
Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
= f (iG), VD = 6V
v
G
Parameter a b c
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms) 10 1 0,5
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation P
(W) 20 40 60
GM
.
10
5
2
1
0,5
0,2
c
b
a
-40 °C
+25°C
+125°C
10
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5020 100 200 500
iG [m A ]
1000
1000050002000
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
1 0,0016 1,72 0,008 8,5 0,01 10
2 0,0022 0,39 0,0028 0,5 0,0028 0,5
3 0,0008 0,16 0,0008 0,16 0,0008 0,16
4 0,0028 0,12 0,0028 0,12 0,0028 0,12
5 0,0006 0,005 0,0006 0,005 0,0006 0,005
0,008 - 0,015 - 0,017 -
ZRe
=⋅−
thJC thn
T 1081N 60...70TOH
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
doppelseitige
Kühlung
n
max
=
n
1
anodenseitige
Kühlung
/
−
τ
t
1
()
n
= f (t)
(th)JC
kathodenseitige
Kühlung
.
0,02
k
0,015
a
0,01
d
Z (th) JC / [K/W]
0,005
0
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t/[sec.]
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
50
40
30
20
T 1081N 60...70TOH
Sperrverzögerungsladung Qr = f ( - di/dt )
recovered charge
tvj = 125°C, ITM = 2000A,vR = 0,5 V
, vRM = 0,8 V
RRM
.
RRM
max
10
9
8
7
[mAs]
rr
Q
6
5
4
3
2
302010987654321
-di/d t [A/µ s ]
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Technische Information / Technical Information
[
]
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
460
440
420
400
380
360
340
320
300
280
260
A
240
220
RM
I
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
012345678910111213141516171819202122
T 1081N 60...70TOH
Rückstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhängigkeit / typical dependence)
IRM = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 2000A, vR = 0,5⋅V
, vRM = 0,8⋅V
RRM
RRM
.
d i / d t [A / µs]
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