N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Elektrische Eigenschaften
T1080N
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
V
vj max
V
vj max
V
vj max
I
TC = 85 °C
DRM,VRRM
DSM
RSM
TRMSM
I
TAVM
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
T
= 25 °C, tP = 10 ms
vj
= T
T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
di
/dt = 0,8 A/µs
G
Tvj = T
5.Kennbuchstabe / 5
GM
, vD = 0,67 V
vj max
= 0,8 A,
DRM
th
letter F
TAVM
TRMS
I
TSM
I²t
(di
(dv
/dt)cr
T
D
/dt)cr
200
200
250
16000
14500
400
600
400
600
450
650
2000 A
1078 A
1470 A
2320 A
1280
1050
200 A/µs
1000 V/µs
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
10³ A²s
10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie 300 A ≤ iT ≤ 5400 A
on-state characteristic
TTT
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by:
H.Sandmann date of publication: 2010-01-18
approved by: M.Leifeld
Tvj = T
T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = T
= T
T
vj
, iT = 3,5 kA
vj max
, iT = 1 kA
vj max
V
vj max
r
vj max
A=
vj max
v
T
(TO)
T
max.
max.
1,02 V
B=
iD1)i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
T
C=
D=
1,81
1,26V V
0,2 mΩ
7,666E-01
2,129E-04
4,756E-02
-1,521E-03
Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 200 mA
Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2 V
Tvj = T
T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 12V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
max.
I
DRM
V
DRM
GD
max. 0,25 V
GD
max.
105mA
mA
Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 200 mA
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
i
= 0,8 A, diG/dt = 0,8 A/µs,
GM
t
= 20 µs
g
Tvj = T
v
D
= V
vj max
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 60747-6
T
= 25 °C, iGM = 0,8 A,
vj
di
/dt = 0,8 A/µs
G
I
max. 1000 mA
L
, iR max. 80 mA
i
D
t
max. 1,4 µs
gd
revision: 3.1
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 1/10 Seite/page
N
A
g
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
T1080N
th
letter O
DRM
t
q
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+140 °C
c op
-40...+150 °C
stg
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseiti
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
/ single-sides
TAVM
typ. 150 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,033
0,030
0,059
0,056
0,068
0,065
0,006
0,012
140 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Seite 3
page 3
F 8...16 kN
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G typ. 110 g
6 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 2,8x0,5
A 4,8x0,5
Ø 1,5
mm
mm
mm
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 2/10 Seite/page
N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Massbild
T1080N
4 5
12
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 3/10 Seite/page
Auxiliary Cathode
N
A
−
=
τ
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung /
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Analytische Funktion / Analytical function:
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,00160 0,0026 0,0024 0,0123 0,0111 - -
thn
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,00160 0,0026 0,0024 0,0123 0,0371 - -
thn
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,00160 0,0026 0,0024 0,0123 0,0461 - -
thn
τ
[s]
n
T1080N
für DC
thJC
n
max
Σ
n=1
thJC
for DC
thnthJC
-t
n
e1RZ
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00064 0,0034 0,0127 0,0722 0,5230 - -
0,00064 0,0034 0,0127 0,0722 2,3000 - -
0,00064 0,0034 0,0127 0,0722 1,8700 - -
0,07
0,06
0,05
0,04
[°C/W]
0,03
thJC
Z
0,02
0,01
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
thJC
t [s]
= f(t)
c
a
b
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 4/10 Seite/page
N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Erhöhung des Z
Rise of Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
Durchlasskennlinie
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
∆Z
[°C/W]
∆Z
[°C/W]
∆Z
[°C/W]
∆Z
[°C/W]
∆Z
[°C/W]
∆Z
[°C/W]
th Θ rec
th Θ sin
th Θ rec
th Θ sin
th Θ rec
th Θ sin
0,00579 0,00992 0,01324 0,01857 0,02959
0,00289 0,00453 0,00680 0,01093 0,02142
0,00577 0,00989 0,01320 0,01853 0,02955
0,00286 0,00450 0,00676 0,01088 0,02138
0,00581 0,00994 0,01326 0,01860 0,02963
0,00291 0,00454 0,00682 0,01095 0,02146
T1080N
∆Z
th Θ rec
/ ∆Z
th Θ sin
6000
5000
4000
3000
[A]
T
i
2000
1000
Z
Z
0
11,21,41,61,822,22,4
th Θ rec
th Θ sin
= Z
= Z
th DC
th DC
vT [V]
+ ∆Z
+ ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
T
= T
vj
vj ma x
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
= f(vT)
T
T
vj
= Tvj
max
02/10 5/10 Seite/page
N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
2500
[W]
TAV
P
2000
1500
1000
500
0°
0
0 200 400 600 800 1000 1200 14 00
0
T1080N
Durchlassverluste
180°
θ = 30°
[A]
I
TAV
180°
120°
90°
60°
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
160
140
120
100
[°C]
C
T
80
60
40
0°
20
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
θ = 30°
180°
I
TAV
60°
[A]
90°
TAV
= f(I
TAV
120°
)
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
02/10 6/10 Seite/page
= f(I
C
TAV
)
N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
3000
2500
2000
[W]
1500
TAV
P
1000
500
0
0 500 1000 1500 2000 2500
θ = 30°
T1080N
Tc
90°
60°
120°
I
TAV
[A]
180°
0°
DC
0
180°
= f(I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
TAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
160
140
0°
120
0
100
[°C]
C
T
80
60
θ = 30°
60°
90°
120°
DC180°
40
20
0 500 1000 1500 2000 250 0
I
[A]
TAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
= f(I
C
TAV
180°
)
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 7/10 Seite/page
N
A
c
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
100
T1080N
Steuerkennlinie
10
[V]
G
v
1
=
vj
T
+140° C
=
vj
T
+25°C
=
vj
T
-40 °C
a
0,1
10 100 1000 10000
i
[mA]
G
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
Steuercharakteristik v
Gate characteristic v
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
= f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
G
= f (iG) with triggering area for VD = 12 V
G
Zündverzug
10000
= f (tg) :
GM
b
[µAs]
r
Q
1000
100
1 10 100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
Tvj= T
, vR ≤ 0,5 V
vjmax
= 2000A
TM
-di/dt [ A/µs]
= f(di/dt)
RRM
, V
RM
= 0,8 V
r
RRM
02/10 8/10 Seite/page
1000A
500A
200A
100A
50A
20A
N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
16
14
12
10
[kA]
8
T(OV)M
I
6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
T1080N
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
T(OV)M
T(OV)M
as a number of a sequence of
T(OV)M
vjmax
RM
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
RM
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
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N
A
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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- the conclusion of Quality Agreements;
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the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
T1080N
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 10/10 Seite/page
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