Infineon T1080N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Elektrische Eigenschaften
T1080N
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
V
vj max
V
vj max
V
vj max
I
TC = 85 °C
DRM,VRRM
DSM
RSM
TRMSM
I
TAVM
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
T
= 25 °C, tP = 10 ms
vj
= T
T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, i di
/dt = 0,8 A/µs
G
Tvj = T
5.Kennbuchstabe / 5
GM
, vD = 0,67 V
vj max
= 0,8 A,
DRM
th
letter F
TAVM
TRMS
I
TSM
I²t
(di
(dv
/dt)cr
T
D
/dt)cr
200
200
250
16000 14500
400 600
400 600
450 650
2000 A
1078 A
1470 A
2320 A
1280 1050
200 A/µs
1000 V/µs
V V V
V V V
V V V
A A
10³ A²s 10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlassspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Durchlasskennlinie 300 A ≤ iT 5400 A on-state characteristic
TTT
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Zündverzug gate controlled delay time
prepared by:
H.Sandmann date of publication: 2010-01-18
approved by: M.Leifeld
Tvj = T T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = T
= T
T
vj
, iT = 3,5 kA
vj max
, iT = 1 kA
vj max
V
vj max
r
vj max
A=
vj max
v
T
(TO)
T
max. max.
1,02 V
B=
iD1)i(lnCiBAv ++++=
T
C= D=
1,81 1,26V V
0,2 m
7,666E-01 2,129E-04 4,756E-02
-1,521E-03
Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 200 mA
Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2 V
Tvj = T T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 12V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
max.
I
DRM
V
DRM
GD
max. 0,25 V
GD
max.
105mA
mA
Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 200 mA
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK 10 i
= 0,8 A, diG/dt = 0,8 A/µs,
GM
t
= 20 µs
g
Tvj = T v
D
= V
vj max
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 60747-6 T
= 25 °C, iGM = 0,8 A,
vj
di
/dt = 0,8 A/µs
G
I
max. 1000 mA
L
, iR max. 80 mA
i
D
t
max. 1,4 µs
gd
revision: 3.1
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
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N
g
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
T1080N
th
letter O
DRM
t
q
R
thJC
R
thCH
vj max
-40...+140 °C
c op
-40...+150 °C
stg
T
= T
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseiti
T
T
T
, iTM = I
vj max
/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
D
/ single-sides
TAVM
typ. 150 µs
max. max. max. max. max. max.
max. max.
0,033 0,030 0,059 0,056 0,068 0,065
0,006 0,012
140 °C
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft clamping force
Steueranschlüsse control terminals
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Seite 3
page 3
F 8...16 kN
Gate (flat) Gate (round, based on AMP 60598) Kathode / cathode
G typ. 110 g
6 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
A 2,8x0,5
A 4,8x0,5
Ø 1,5
mm mm
mm
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Massbild
T1080N
4 5
12
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 3/10 Seite/page
Auxiliary Cathode
N
=
τ
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung /
Diagramme
Cooling
beidseitig two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Analytische Funktion / Analytical function:
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,00160 0,0026 0,0024 0,0123 0,0111 - -
thn
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,00160 0,0026 0,0024 0,0123 0,0371 - -
thn
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,00160 0,0026 0,0024 0,0123 0,0461 - -
thn
τ
[s]
n
T1080N
für DC
thJC
n
max
Σ
n=1
thJC
for DC
thnthJC
-t
n
e1RZ
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00064 0,0034 0,0127 0,0722 0,5230 - -
0,00064 0,0034 0,0127 0,0722 2,3000 - -
0,00064 0,0034 0,0127 0,0722 1,8700 - -
0,07
0,06
0,05
0,04
[°C/W]
0,03
thJC
Z
0,02
0,01
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
thJC
t [s]
= f(t)
c
a
b
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Erhöhung des Z
Rise of Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
Durchlasskennlinie
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Z
[°C/W]
Z
[°C/W]
Z
[°C/W]
Z
[°C/W]
Z
[°C/W]
Z
[°C/W]
th Θ rec
th Θ sin
th Θ rec
th Θ sin
th Θ rec
th Θ sin
0,00579 0,00992 0,01324 0,01857 0,02959
0,00289 0,00453 0,00680 0,01093 0,02142
0,00577 0,00989 0,01320 0,01853 0,02955
0,00286 0,00450 0,00676 0,01088 0,02138
0,00581 0,00994 0,01326 0,01860 0,02963
0,00291 0,00454 0,00682 0,01095 0,02146
T1080N
∆Z
th Θ rec
/ ∆Z
th Θ sin
6000
5000
4000
3000
[A]
T
i
2000
1000
Z
Z
0
11,21,41,61,822,22,4
th Θ rec
th Θ sin
= Z = Z
th DC
th DC
vT [V]
+ ∆Z + ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
T
= T
vj
vj ma x
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
= f(vT)
T
T
vj
= Tvj
max
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
2500
[W]
TAV
P
2000
1500
1000
500
0
0 200 400 600 800 1000 1200 14 00
0
T1080N
Durchlassverluste
180°
θ = 30°
[A]
I
TAV
180°
120°
90°
60°
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
160
140
120
100
[°C]
C
T
80
60
40
20
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
θ = 30°
180°
I
TAV
60°
[A]
90°
TAV
= f(I
TAV
120°
)
180°
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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= f(I
C
TAV
)
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
3000
2500
2000
[W]
1500
TAV
P
1000
500
0
0 500 1000 1500 2000 2500
θ = 30°
T1080N
Tc
90°
60°
120°
I
TAV
[A]
180°
DC
0
180°
= f(I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
TAV
TAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
160
140
120
0
100
[°C]
C
T
80
60
θ = 30°
60°
90°
120°
DC180°
40
20
0 500 1000 1500 2000 250 0
I
[A]
TAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
= f(I
C
TAV
180°
)
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
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N
c
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
100
T1080N
Steuerkennlinie
10
[V]
G
v
1
=
vj
T
+140° C
=
vj
T
+25°C
=
vj
T
-40 °C
a
0,1
10 100 1000 10000
i
[mA]
G
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P
Steuercharakteristik v
Gate characteristic v
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
= f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
G
= f (iG) with triggering area for VD = 12 V
G
Zündverzug
10000
= f (tg) :
GM
b
[µAs]
r
Q
1000
100
1 10 100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
Tvj= T
, vR ≤ 0,5 V
vjmax
= 2000A
TM
-di/dt [ A/µs]
= f(di/dt)
RRM
, V
RM
= 0,8 V
r
RRM
02/10 8/10 Seite/page
1000A
500A 200A
100A
50A
20A
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
16
14
12
10
[kA]
8
T(OV)M
I
6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
T1080N
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
T(OV)M
T(OV)M
as a number of a sequence of
T(OV)M
vjmax
RM
0-50V 0,33 VRRM
0,67 VRRM
RM
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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T1080N
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
02/10 10/10 Seite/page
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