Infineon T1050N Data Sheet
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
T 1050 N T 1059 N
C
HK
G
A
ø3,5x3,5 deep
on both sides
ø50
ø50
max.12
+0,1
3,5
x 3,5 deep
on both sides
HK
plug A4,8x0,8
G
plug A2,8x0,8
74
ø 48
ø 48
C
A
HK
plug
4,8 x 0,8
4
G
plug
2,8 x 0,8
VWK June
T 1050 N T 1059 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
2000 2200 2400
2000 2200 2400
2100 2300 2500
Charakteristische Werte
Characteristic values
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
2600 2800*
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...t
tvj = -40°C...t
vj max
vj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C I
tc = 64°C 1400 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms 19000 A
vj max
Grenzlastintegral
I2 t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms
vj max
vD ≤ 67%, v
, f = 50 Hz
DRM
iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = t
, vD = 67% V
vj max
DRM
5.Kennbuchstabe/5th letter C (dv/dt)
5.Kennbuchstabe/5th letter F (dv/dt)
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
, iT = 4200 A v
vj max
vj max
vj max
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V I
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = t
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = t
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
, vD = 6 V I
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = t
vj max, vD
= V
DRM
, vR = V
RRM
Zündverzug gate controlled delay time tvj=25°C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs t
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Erl./see Techn. Inf. t
V
= V
DSM
V
RSM
TRMSM
TAVM
TSM
= V
DRM
RRM
2600 2800*
2700 2900
2200 A
1050 A
21000 A
I2 t 2,205 . 106A2s
1,805 . 106A2s
(diT/dt)
cr
150 A/µs
500 V/µs
1000 V/µs
max. 2,48 V
1,05 V
0,3
mΩ
max. 250 mA
max. 2 V
max. 100 mA
max. 0,25 V
max. 500 mA
max. 2,5 A
max. 200 mA
max. 4,5 µs
typ. 300 µs
V
r
T
GT
GD
V
I
H
I
L
iD, i
gd
q
cr
cr
T
T(TO)
GT
GD
R
V
V
Innerer Wärmewiderstand für beidseitige
thermal resistance, junction to case for
Θ =180° el, sin
R
thJC
max. 0,021 °C/W
DC max. 0,02 °C/W
für anodenseitige Kühlung for anode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(A)
max. 0,036 °C/W
DC max. 0,035 °C/W
für kathodenseitige Kühlung for cathode-sided cooling
Θ =180° el, sin
R
thJC(K)
max. 0,048 °C/W
DC max. 0,047 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig/two-sided R
thCK
max. 0,004 °C/W
einseitig/one-sided max. 0,008 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
vj max
c op
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft clamping force F 20...45 kN
Gewicht weight T 1050 N/T 1059 N G typ. 600/540 g
Kriechstrecke creepage distance T 1050 N/T 1059 N 323/25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Maßbild, anliegend outline, attached DIN 41814-155B4
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request
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