Infineon T1049N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

max.

Ω

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC=-7,392E-02

max.

Ω

max.

Ω

max.

SZ-AM / 99-09-22, K.-A.Rüther

A126/ 99

Seite/page 1

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 1049 N 12...18

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1200, 1400 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1200, 1400 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 1600, 1800 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1300, 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

1870 A

RMSM on-state current Dauergrenzstrom

average on-state current Stoßstrom-Grenzwert

surge current Grenzlastintegral

I²t-value Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C TC = 77 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

1050 A 1190 A

I

TSM

19000 A 16000 A

I²t 1805 A²s*10³

1280 A²s*10³ 200 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung

on-state voltage Schleusenspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, iT = 1800 A

vj max

, iT = 500 A

vj max

v

V

T

T(TO)

threshold voltage Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

r

T

slope resistance Durchlaßkennlinie

Tvj = T

vj max

A=1,054021

on-state voltage B=1,5246E-04

T

D=1,3275E-02

Zündstrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V

I

GT

gate trigger current Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

V

GT

gate trigger voltage Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max vj max,vD

vj max,vD

= 0,5 V = 0,5 V

DRM

I

GD

V

GD

gate non-trigger voltage Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

I

H

holding current Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents

Zündverzug DIN IEC 747-6 t gate controlled delay time

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10 iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

Tvj = 25°C iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

RRM

I

L

iD, i

gd

R

1,34 V 0,96 V

0,85 V

0,225

250 mA

2,2 V

10 mA

5 mA

0,25 mV

300 mA

1200 mA

110 mA

4 µs

m

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 1049 N 12...18

N

Vorläufige Daten

Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

Tvj = T vRM =100V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 250 µs

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, junction to case

beidseitig / two-sided, Θ=180°sin beidseitig / two-sided, DC max. 0,0240 °C/W

Anode / anode, Θ=180°sin Anode / anode, DC max. 0,0420 °C/W

Kathode / cathode, Θ=180°sin Kathode / cathode, DC max. 0,0560 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

max. 0,0265 °C/W

max. 0,0445 °C/W

max. 0,0585 °C/W

thCK

thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0070 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T

vj max

125 °C

max. junction temperature Betriebstemperatur T

c op

-40...125 °C

operating temperature Lagertemperatur T

stg

-40...150 °C

storage temperature

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate

Anpreßkraft F 12 ...24 kN clamping force

Gewicht G typ. 540 g weight

Kriechstrecke 32 mm creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 1049 N 12...18

N

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A126/ 99

Zn. Nr.: 1 Seite/page 3

Technische Information / Technical Information

Σ

τ

n=1

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Seite/page 4

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

Kühlung cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical ementes of transient thermal impedanceZ

T 1049 N 12...18

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 R

τ

R

τ

R

τ

thn

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

0,001230 0,002720 0,003330 0,008230 0,008490

0,001460 0,005630 0,060900 0,239000 1,240000

0,001200 0,002720 0,003580 0,009650 0,004650

0,001440 0,005470 0,061100 0,276000 4,300000

0,001280 0,002910 0,009550 0,003560 0,038700

0,001470 0,006130 0,134000 0,741000 8,810000

beidseitig two-sided

anodenseitig anode-sided

kathodenseitig cathode-sided

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

n

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

thJC

for DC

))

n

thJC

N

Vorläufige Daten Preliminary Data

für DC

A126/ 99

Technische Information / Technical Information

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristics i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

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Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

5.000

4.000

3.000

T 1049 N 12...18

N

[A]

T

i

2.000

1.000

0

0,5 1 1,5 2 2,5

A126/ 99

vT [V]

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

2.000

1.500

T 1049 N 12...18

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

90°

[A]

1.000

TAV

P

500

0

0 200 400 600 800 1000 1200

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A126/ 99

I

[A]

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

= 30°

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1049 N 12...18

N

[°C]

80

C

T

60

40

60° 90°

20

0 200 400 600 800 1000 1200

120° 180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

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A126/ 99

Z.Nr.:4 Seite/page 7

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

140

120

100

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120°

20

0 200 400 600 800 1000 1200

180°

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

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A126/ 99

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

C

TAVM

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium temperature T

= f (I

)

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1049 N 12...18

N

80

[°C]

A

T

60

40

Θ = 30°

90°

60°

180°

120°

20

0 100 200 300 400

I

[A]

TAVM

Luftselbstkühlung / Natural air-cooling, TA = 45 °C Kühlkörper/Heatsink. K0.05 F

Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ

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Z.Nr.: 6 Seite/page 9

A

TAVM