Infineon T1039N Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Phase Control Thyristor

T 1039 N 18...22

m

Ω

Durchlaßkennlinie

Tvj = T

A=0,8835

on-state voltage

B=2,9753E-04

vT = A + B x i

+ C x ln (i

+ 1) + D x

√

iTC=-6,7109E-03

D=2,2924E-03

max.

Ω

max.

Ω

max.

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

A107/99

Seite/page 1

Netz-Thyristor

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties Vorläufige Daten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Preliminary Data

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DRM

, V

RRM

1800, 2000 V

repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2200 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

V

DSM

1800, 2000 V

non-repetitive peak foward off-state voltage 2200 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

V

RSM

1900, 2100 V

non-repetitive peak reverse voltage 2300 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I

TRSMSM

2200 A

RMSM on-state current Dauergrenzstrom

average on-state current Stoßstrom-Grenzwert

surge current Grenzlastintegral

I²t-value Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

TC = 85 °C TC = 62 °C

Tvj = 25°C, tp = 10 ms Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = T

f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A diG/dt = 1 A/µs

Tvj = T

, tp = 10 ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

, vD = 0,67 V

vj max

DRM

I

TAVM

1039 A 1400 A

I

TSM

21.500 A

18.500 A

I²t 2.311 A²s*10³

1.711 A²s*10³ 200 A/µs

1000 V/µs

(dvD/dt)

cr

critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung

on-state voltage Schleusenspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, iT = 2000 A

vj max

, iT = 1000 A

vj max

threshold voltage Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

slope resistance

vj max

T

Zündstrom

T

Tvj = 25°C, vD = 6 V

gate trigger current Zündspannung

Tvj = 25°C, vD = 6V

gate trigger voltage Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current Nicht zündene Steuerspannung

Tvj = T Tvj = T

Tvj = T

, vD = 6 V

vj max

vj max,vD

= 0,5 V

DRM

gate non-trigger voltage Haltestrom

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5

holding current Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10 iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs tg = 20 µs

Tvj = T

vj max

vD = V

, vR = V

DRM

RRM

Zündverzug DIN IEC 747-6 t gate controlled delay time

Tvj = 25°C iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

v

V

r

T

I

GT

V

I

GD

V

I

H

I

L

iD, i

gd

T

T(TO)

GT

GD

max. 1,530 V max. 1,207 V

0,9 V

0,3

250 mA

2,2 V

10 mA

5 mA

0,25 mV

300 mA

1200 mA

R

max. 160 mA

4 µs

Technische Information / Technical Information

Phase Control Thyristor

T 1039 N 18...22

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

A107/99

Seite/page 2

Netz-Thyristor

Charakteristische Werte / Characteristic values Preliminary Data

Freiwerdezeit circuit commutatet turn-off time

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180°sin max. 0,0231 °C/W

Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0035 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T max. junction temperature

Betriebstemperatur T operating temperature

Lagertemperatur T storage temperature

Tvj = T vRM =100V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 300 µs

beidseitig / two-sided, DC max. 0,0210 °C/W Anode / anode, Ž=180°sin max. 0,0395 °C/W Anode / anode, DC max. 0,0375 °C/W Kathode / cathode, Ž=180°sin max. 0,0500 °C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0480 °C/W

einseitig / single-sided max. 0,0070 °C/W

vj max

, iTM=I

TAVM

DRM

t

q

thJC

thJK

vj max

c op

stg

N

Vorläufige Daten

125 °C

-40...125 °C

-40...150 °C

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft F 16...32 kN clamping force

Gewicht G typ. 520 g weight

Kriechstrecke 32 mm creepage distance

Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification

Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1039 N 18 ... 22

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

Zn. Nr.: 1

Seite/page 3

N

A107/99

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1039 N 18...22

Σ

τ

n=1

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

Seite/page 4

N

Kühlung

cooling

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical ementes of transient thermal impedanceZ

Pos.n 1 2 3 4 5 6 7

R

τ

R

τ

R

τ

thn

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

[°C/W]

[s]

n

0,00113 0,0021 0,00229 0,00703 0,00845

0,00189 0,0065 0,0456 0,23 1,134

0,00066 0,00291 0,0037 0,00783 0,0224

0,00138 0,00614 0,0765 0,374 6,66

0,00127 0,0026 0,00623 0,0046 0,0333

0,00201 0,00843 0,126 0,57 7,83

beidseitig

two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig

cathode-sided

Analytische Funktion / analytical function : Z

thJC

=

n

max

R

( 1 - EXP ( - t /

thn

thJC

for DC

))

n

thJC

für DC

A107/99

Technische Information / Technical Information

Phase Control Thyristor

T 1039 N 18...22

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i

= f(v

)

Tvj = Tvj max

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

Z. Nr.: 2

Seite/page 5

Netz-Thyristor

5.000

4.000

3.000

N

[A]

T

i

2.000

1.000

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3

A107/99

vT [V]

T

Technische Information / Technical Information

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P

= f(I

)

Parameter: Stromflußwinkel

Θ

/ current conduction angle

Θ

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

3000

2500

2000

T 1039 N 18... 22

90°

60°

Θ = 30°

N

180°

120°

[W]

1500

TAV

P

1000

500

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

A107/99

I

[A]

TAV

Z.Nr.: 3 Seite/page 6

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

= 30°

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1039 N 18... 22

N

80

[°C]

C

T

60

40

60°

20

0 500 1000 1500

90°

120°

180°

I

[A]

TAVM

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

A107/99

C

TAVM

Z.Nr.: 4 Seite/page 7

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1039 N 18... 22

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120° 180°

20

0 500 1000 1500

I

[A]

TAVM

Anodenseitige Kühlung / anode sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

A107/99

C

TAVM

Z.Nr.: 5 Seite/page 8

Technische Information / Technical Information

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T

= f(I

)

Θ

Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

140

120

100

T 1039 N 18 ... 22

N

80

[°C]

C

T

60

40

Θ = 30°

60°

90°

120°

180°

20

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

I

[A]

TAVM

Kathodenseitige Kühlung / cathode sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle

SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther

A107/99

C

TAVM

Z.Nr.: 6 Seite/page 9