Infineon IFS75S12N3T4-B11 Data Sheet

Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-modules

MIPAQ™ sense Modul in Sixpack-Konfiguration mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand mit integriertem Σ/∆-Wandler und galvanisch getrennter digitalen Schnittstelle MIPAQ™ sense module in Sixpack-configuration with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt with integrated Σ/∆-converter and galvanical isolation of the digital interface

Kenndaten key data

Topologie topology

Halbleiter-Nenndaten rated semiconductor data

IFS75S12N3T4_B11

B6I

1200V, 75A

Art der Belastung load type

Zielanwendung target application

Sensoren sensors

Digitale Schnittstelle digital interface

Normen standards

Blockschaltbild block diagram

ohmsch-induktiv resistive-inductive

Industrieantriebe, USV, Klimatisierungsgeräte, Solarumrichter industrial drives, UPS, Air conditioning, Solar inverters

Strommesswiderstände für Laststrom, NTC für Bodenplattentemperatur shunts for output current, NTC for baseplate temperature

5V-CMOS, galvanische Trennung nach IEC61800-5-1 5V-CMOS, galvanic isolation according to IEC61800-5-1

IEC61800-5-1 (Overvoltage Category III, Polution Degree 2, Insulating Material Groupe II), UL94, RoHs

σ/δ σ/δ σ/δ

Foto photo

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ϑ

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Technische Information / technical information

Gate-Emitter Reststrom

IGBT-Module IGBT-modules

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage

IFS75S12N3T4_B11

Tvj = 25°C V

TC = 95°C, Tvj = 175°C I

tP = 1 ms I

TC = 25°C, Tvj = 175°C P

Zieldaten / target data

1200 V

75 A

150 A

349 W

+/-20 V

C,nom

V

CES

CRM

tot

GES

Charakteristische Werte / characteristic values

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage

Gateladung gate charge

Interner Gatewiderstand internal gate resistor

Eingangskapazität input capacitance

Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current

gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten SC Data

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

IC = 75 A, VGE = 15 V, Tvj = 25°C IC = 75 A, VGE = 15 V, Tvj = 125°C IC = 75 A, VGE = 15 V, Tvj = 150°C

IC = 4,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V

VGE = -15 V ... +15 V Q

Tvj = 25°C R

f = 1 MHz,Tvj = 25 °C,VCE = 25 V, VGE = 0 V C

f = 1 MHz, Tvj = 25 °C,VCE = 25 V, VGE = 0 V C

VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 °C I

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C I

IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj =125°C t R

= 2,2 Ω Tvj =150°C

Gon

IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj =125°C t R

= 2,2 Ω Tvj =150°C

Gon

IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj =125°C t R

= 2,2 Ω Tvj =150°C

Goff

IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj =125°C t R

= 2,2 Ω Tvj =150°C

Goff

IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V, diC/dt = 2,4 kA/µs (Tvj =150°C) Tvj =125°C E R

= 2,2 Ω Tvj =150°C

Goff

IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V, duCE/dt = 3,3 kV/µs (Tvj =150°C) Tvj =125°C E R

= 2,2 Ω Tvj =150°C

Goff

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V V

CEmax=VCES -LsCE

pro IGBT / per IGBT

λ

= 1 W/(m*K) / λ

Paste

·di/dt, tP ≤ 10 µs, Tvj ≤ 150°C

= 1 W/(m*K)

grease

min. typ. max.

V

CE sat

5,2 5,8 6,4 V

GE(th)

G

Gint

ies

res

CES

GES

d,on

r

d,off

f

on

off

I

SC

R

thJC

R

thCH

1,85 2,15 V 2,15 V 2,25 V

0,57 µC

10

4,30 nF

0,16 nF

1,0 mA

100 nA

0,135 µs

0,15 µs 0,152 µs 0,036 µs 0,042 µs 0,045 µs

0,33 µs

0,38 µs

0,42 µs 0,108 µs 0,190 µs 0,222 µs

4,87 mJ

7,7 mJ 8,92 mJ 4,76 mJ 7,16 mJ 7,95 mJ

270

0,43

K/W

0,195 K/W

Ω

A

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Technische Information / technical information

pro Diode / per diode

IGBT-Module IGBT-modules

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Dauergleichstrom DC forward current

Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral I2t - value

Spitzenverlustleistung maximum power dissipation

IFS75S12N3T4_B11

Tvj = 25°C V

tP = 1 ms I

VR = 0V, tP = 10ms, Tvj = 125°C VR = 0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C

TC = 25°C, Tvj = 175°C P

Zieldaten Target Data

RRM

I

F

FRM

I2t

RQM

1200 V

75 A

150 A

960 960

217 W

A²s A²s

Charakteristische Werte / characteristic values

Durchlaßspannung forward voltage

Rückstromspitze peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung recovered charge

Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

IF = 75 A, VGE = 0V Tvj = 25°C IF = 75 A, VGE = 0V Tvj=125°C V IF = 75 A, VGE = 0V Tvj=150°C

IF = 75 A, - diF/dt = 2,9 kA/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 25°C

VR = 600V Tvj = 125°C I VGE = -15V Tvj=150°C

IF = 75 A, - diF/dt = 2,9 kA/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 25°C

VR = 600V Tvj = 125°C Q VGE = -15V Tvj =150°C

IF =75 A, - diF/dt = 2,9 kA/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 25°C

VR = 600V Tvj = 125°C E VGE = -15V Tvj =150°C

pro Diode / per diode

λ

= 1 W/(m*K) / λ

Paste

Strommesswiderstand / shunt

Charakteristische Werte / characteristic values

Nennwiderstand rated resistance

Temperaturkoeffizient temperature coefficient (tcr)

Betriebstemperatur Strommesswiderstand operation temperature shunt

Innerer Wärmewiderstand; thermal resistance; junction to case

25°C < T

20°C - 60°C

= 1 W/(m*K)

grease

< 200°C R

shunt

min. typ. max.

F

RM

r

rec

R

thJC

R

thCH

min. typ. max.

2,376 2,40 2,424

25

ϑ

CR

T

vjop

R

thJC

1,70 2,15 V 1,65 V 1,65 V

91 A

98 A

105 A

8,2 µC

13,8 µC 15,5 µC

4,8 mJ

6,9 mJ

7,7 mJ

0,69

0,31 K/W

< 30 ppm/K

13,0 K/W

K/W

mΩ

200 °C

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Technische Information / technical information

Material für innere Isolation

thermal resistance, case to heatsink

λ

Paste

= 1 W/(m*K) /

λ

grease

= 1 W/(m*K)

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

Temperatur im Schaltbetrieb

Zulässige Gehäuse-Betriebstemperatur

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

IGBT-Module IGBT-Modules

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.

Nennwiderstand rated resistance

Abweichung von R deviation of R

Verlustleistung power dissipation

B-Wert B-value

Angaben gemäß gültiger Application Note. Specification according to the valid application note.

100

IFS75S12N3T4_B11

TC = 25°C R

TC = 100°C, R

TC = 25°C P

R2 = R25 exp [B(1/T2 - 1/(298,15K))] B

100

= 493 Ω

Zieldaten Target Data

25

-5 5 %

∆R/R

25

25/50

25/80

25/100

5,00

20,0 mW

3375 K

3411 K

3433 K

kΩ

Modul / module

Isolations-Prüfspannung insulation test voltage

Material Modulgrundplatte material of module baseplate

material for internal insulation Kriechstrecke

creepage distance Luftstrecke

clearance Vergleichszahl der Kriechwegbildung

comperative tracking index

Übergangs-Wärmewiderstand

Modulinduktivität stray inductance module

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip

maximum junction temperature

temperature under switching conditions

allowed operation case temperature Lagertemperatur

storage temperature

mounting torque Gewicht

weight

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

Kontakt - Kühlkörper / Kontakt - Kontakt terminal to heatsink / terminal to terminal

pro Modul / per module

TC = 25°C, pro Schalter / per switch (Rshunt ist inklusive / Rshunt is inclusiv) Wechselrichter inverter Wechselrichter inverter Bodenplatte / Kontakt base plate / contact

Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M5 - mounting according to valid application note

min. typ. max.

V

ISOL

d

creepage

d

clearance

CTI > 200

2,5 kV

CU

Al2O

3

10 mm

7,5 mm

min. typ. max.

R

thCH

L

sCE

R

CC´+EE´

T

vj max

T

vj op

T

c op

T

stg

M 3,00 - 6,00 Nm

G 316 g

0,011 K/W

22 nH

1,2

175 °C

-40 150 °C

-40 125 °C

mΩ

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Technische Information / technical information

M,max,high_res

output current

) and ∆PDM

PDM

DC_offset

DC offset drift due to temperature from shunt to Pin

PDM

DC_offset,Vdd1

IGBT-Module IGBT-Modules

Sigma-Delta-Wandlereinheit / sigma-delta converter unit

Charakteristische Werte / characteristic values

V

= 4.75 V bis / to 5.25 V, V

cc1

Maximale Phasenstromfrequenz maximum line current frequency

Maximale periodische Isolationsspannung I maximum repetive isolation voltage I

Maximale periodische Isolationsspannung II maximum repetive isolation voltage II

Spannungsflankensteilheitsfestigkeit voltage slope immunity

Höchste zulässige Überspannung highest allowable overvoltage

Maximale Stoßisolationsspannung maximum surge isolation voltage

Isolationswiderstand isolation resistance

Maximaler Wechselrichterausgangsstrom für höchstmögliche Auflösung maximum inverter output current for highest resolution

Maximaler Wechselrichterausgangsstrom für lineares Wandlerverhalten maximum inverter output current for linear converter behavior

Tastverhältnis des Ausganges SD bei 0 A Wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output SD at 0 A inverter output current

Tastverhältnis des Ausganges SD bei max. positivem Wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output SD at max. positive inverter output current

Tastverhältnis des Ausganges SD bei max. negativem Wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output SD at max. negative inverter output current

Differentieller Verstärkungsfehler differential gain error

Gleichstrom-Versatz vom Strommesswiderstand zum Ausgang SD DC offset from internal shunt to Pin SD

Temperaturdrift des Gleichstrom-Versatz vom Strommesswiderstand zum Ausgang SD

SD

Versorgungsspannungsdrift (V Versatz vom Strommesswiderstand zum Ausgang SD DC Offset drift due to V

Effektive Anzahl der Bits (ENOB Auflösung) effective number of bits (ENOB resolution)

Signal-Rausch-Abstand signal-to-noise ratio

Gesamtklirrfaktor total harmonic disortion

1)

= Erklärung von PDM%: 100% = alle Pulse sind ‘1’, 0% = alle Pulse sind ’0’, 50% = 50% für jeweils ‘1’ and ‘0’ am Ausgangs-Pin SD.

1)

= explanation of PDM%: 100% = all ‘1’, 0% = all’0’, 50% = 50% for both ‘1’ and ‘0’ at output pin SD.

= 4.5 V bis / to 5.5 V, TC = 105°C sofern nicht anders spezifiziert / unless otherwise noted.

cc2

) des Gleichstrom-

dd1

from shunt to Pin SD

dd1

IFS75S12N3T4_B11

Phase / phase U, V, W Logik (SD/CLK) gegen Lastausgänge

logik (SD/CLK) to terminals Leistungshalbleiter gegen Bodenplatte (f = 50Hz, t = 1min)

power semiconductor to base plate (f = 50Hz, t = 1min)

V

= 500V zwschen GND und 0V.U, 0V.V bzw. 0V.W

IMV

V

= 500V between GND and 0V.U, 0V.V, 0V.W, respectively

IMV

Zwischen GND und 0V.U, 0V.V bzw. 0V.W Between GND and 0V.U, 0V.V, 0V.W, respectively

V

= 500V zwschen GND und 0V.U, 0V.V bzw. 0V.W

IMV

V

= 500V between GND and 0V.U, 0V.V, 0V.W, respectively

IMV

Phase / phase U, V, W

TC = 25 °C; IM = 0 A; Phase / phase U, V, W PDM

TC = 25 °C; IM > 133,3 A; Phase / phase U, V, W PDM

TC = 25 °C; IM < -133,3A; Phase / phase U, V, W PDM

Bedingung: Shunt-Spannungsabfall bis Pin SD conditions: shunt voltage drop to Pin SD

Bedingung: IM = 0A, siehe auch Diagramme ΔPDM = f(Ta) und ∆PDM = f(V conditions: IM = 0A, see also diagrams ∆PDM = f(T = f(V

Bedingung: IM = 0A, siehe Diagramm ∆PDM = f(Ta) conditions: IM = 0A, see diagram ∆PDM = f(Ta)

Bedingung: IM = 0A, siehe Diagramm ∆PDM = f(V conditions: IM = 0A, see diagram ∆PDM = f(V

Phase U, V, W Bedingungen: IM = [-83,3A; +83,3A], f(IM) = 1kHz, siehe Diagramm ENOB = f(Ta) phase U, V, W conditions: IM = [-83,3A; +83,3A], f(IM) = 1kHz, see diagram ENOB = f(Ta) Phase U, V, W Bedingungen: IM = [-83,3A; +83,3A], f(IM) = 1kHz, siehe Diagramm SNR = f(Ta) phase U, V, W conditions: IM = [-83,3A; +83,3A], f(IM) = 1kHz, see diagram SNR = f(Ta) Phase U, V, W Bedingungen: IM = [-83,3A; +83,3A], f(IM) = 1kHz, siehe Diagramm THD = f(Ta) phase U, V, W conditions: IM = [-83,3A; +83,3A], f(IM) = 1kHz, see diagram THD = f(Ta)

)

CC1

)

CC1

a

)

CC1

)

CC1

V

d/dt V

V

I

M,max,linear

PDM

ENOB 10 12 bit

SNR 65 74 dB

f

SYS

V

iorm

ISOL

slope

IOTM

ISOM

R

IO

Izero

Ipos

Ineg

G -1,56 - 1,56 %

DC_offset,Ta

THD 65 72 dB

Zieldaten Target Data

min. typ. max.

30,0 kHz

1420 V

2500 V

50 kV/µs

6000 V

1 GΩ

-133,3 - +133,3 A

-83,3 - +133,3 A

49,6 50,0 50,4 %

100,0 %

0,0 %

- - 0,4

0,09 - 0,135

0,116 - 0,15

1)

%

PDM

1)

%

PDM

1)

%

PDM

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Technische Information / technical information

Maximaler Stromverbrauch Leistungsteil

Maximaler Stromverbrauch Logikteil

Ausgangsspannung High-Pegel: SD

IGBT-Module IGBT-Modules

Versorgungsspannung Shuntseite supply voltage shunt side

Versorgungsspannung Logikteil supply voltage logic section

maximal current consumption power section

maximal current consumption logic section V

Unterspannungserkennungsschwelle

CC1U,V,W

V

undervoltage detection threshold

CC1U,V,W

V

Unterspannungserkennungsschwelle

CC1U,V,W

V

undervoltage detection threshold

CC1U,V,W

Hysteresis (V hystresis (V V

Unterspannungserkennungsschwelle

CC2

V

undervoltage detection

CC2

V

Unterspannungserkennungsschwelle

CC2

V

undervoltage detection threshold

CC2

Hysteresis (V hystresis (V

Digital-Ausgang / digital output

V

= 4.75 V bis / to 5.25 V, V

cc1

Ausgangsspannung Low-Pegel: CLK output voltage low: CLK

Ausgangsspannung High-Pegel: CLK output voltage high: CLK

Ausgangslaststrom Pull-down: CLK output load current pull-down: CLK

Ausgangslaststrom Pull-up: CLK output load current pull-up: CLK

Ausgangsflankensteilheit, steigend: CLK rising output slope: CLK

Ausgangsflankensteilheit, fallend: CLK falling output slope: CLK

Ausgangsspannung Low-Pegel: SD output voltage low: SD

output voltage high: SD Ausgangslaststrom Pull-down: SD

output load current pull-down: SD Ausgangslaststrom Pull-up: SD

output load current pull-up: SD Ausgangsflankensteilheit, steigend: SD

rising output slope: SD Ausgangsflankensteilheit, fallend: SD

falling output slope: SD Taktfrequenz: CLK

clock frequency: CLK Tastverhältnis Takt High-Pegel: CLK

duty cycle clock high: CLK

Daten Einrichtezeit vor steigender Takt-Flanke CLK data setup time prior to rising edge of CLK clock

UVLOH1

UVLOH2

- V

)

UVLOL1

)

UVLOL1

)

UVLOL2

)

UVLOL2

= 4.5 V bis / to 5.5 V, TC = 105°C sofern nicht anders spezifiziert / unless otherwise noted.

cc2

IFS75S12N3T4_B11

Phase / phase U, V, W

Betriebszustand status: operating

Unterspannungsfehlerzustand status: undervoltage fault

Betriebszustand status: operating

Unterspannungsfehlerzustand status: undervoltage fault

@ V

= 4.5V und / and IO = 4mA Belastung / load V

cc2

@ V

= 4.5V und / and IO = 4mA Belastung / load V

cc2

Modus / in mode: pull-down

Modus / in mode: pull-up

Lastkapazität / load capacitance CL = 50pF t

@ V

= 4.5V and IO = 4mA load, valid at falling edge of CLK V

cc2

@ V

= 4.5V and IO = 4mA load, valid at falling edge of CLK V

cc2

Modus / in mode: pull-down

Modus / in mode: pull-up

Lastkapazität / load capacitance CL = 50pF t

T

= 1/ f

CLK

V

CC1U,V,W

V

CC2

I

CC1U,V,W

I

CC2

V

UVLOH1

V

UVLOL1

V

HYST1

V

UVLOH2

V

UVLOL2

V

HYST2

OCLK,low

OCLK,high

I

OCLK,low

I

OCLK,high

CLKRT

CLKFT

OSD,low

I

OSD,low

I

OSD,high

SDRT

SDFT

f

CLK

t

CLKH/TCLK

t

SDS

Zieldaten Target Data

min. typ. max.

4,75 5,00 5,25 V

4,5 5,0 5,5 V

22 32 mA

15 19 mA

4,3 4,4 V

3,9 4,1 V

0,1 0,2 V

4,0 4,3 V

3,5 3,7 V

0,2 0,3 V

min. typ. max.

0,12 0,26 V

4,48 4,8 V

-22 mA

14,5 mA

1,16 ns

0,17 0,26 V

3,98 4,3 V

-22 mA

14,5 mA

1,16 ns

9,3 10,0 10,5

20 30 40 %

10 25 ns

MHz

Daten Haltezeit nach fallender Takt-Flanke CLK data hold time after rising edge of CLK clock

Jitter: CLK jitter: CLK

Anstiegszeit steigende Takt-Flanke: CLK rising edge time of clock: CLK

Abfallzeit fallende Takt-Flanke: CLK falling edge time of clock: CLK

Anstiegszeit steigende Daten-Flanke: SD rising edge time of data: SD

Abfallzeit fallende Daten-Flanke: SD falling edge time of data: SD

CLK-Anlaufzeit nach Anlegen der Versorgungsspannung first CLK after power-up

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t

= t

- t

SDH

CLK

SDS

short term, cycle to cycle jitter ∆t

oscillator output delivers pulses ∆t

6(13)

t

40 50 ns

SDH

CLK

t

0,5 1,5 2,5 ns

CLKRT

t

0,5 1,5 2,5 ns

CLKFT

t

0,5 1,5 2,5 ns

SDRT

t

0,5 1,5 2,5 ns

SDFT

CLKpulses

1,3 4,5 ns

250 ns

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Technische Information / technical information

deltaPDM [%]

IGBT-Module IGBT-Modules

Taktdiagramm Modulator Ausgang / timing diagram modulator output

Taktdiagramm Anstiegs- / Fallzeit CLK-Ausgang / timing diagram rise / fall time output CLK

IFS75S12N3T4_B11

Zieldaten Target Data

Taktdiagramm Jitter / timing diagram jitter

DC-Offset Σ/Δ-Wandler (typisch)

DC-Offset Σ/Δ-Wandler (typisch) dc offset Σ/Δ converter (typical)

dc offset Σ/Δ converter (typical) ΔPDM = f(Ta)

ΔPDM = f(Ta) VCC1 = 5V

VCC1 = 5V

0,16

0,14

0,12

0,1

0,08

∆PDM [%]

0,06

0,04

0,02

0

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ta[°C]

Ta[°C]

DC-Offset Σ/Δ-Wandler (typisch)

DC-Offset Σ/Δ-Wandler (typisch) dc offset Σ/Δ converter (typical)

dc offset Σ/Δ converter (typical) ΔPDM = f(Vcc1)

ΔPDM = f(Vcc1) Ta = 25°C

Ta = 25°C

0,16

0,14

0,12

0,1

0,08

∆PDM [%]

0,06

0,04

0,02

0

4,5 4,75 5 5,25 5,5

V

[V]

V

[V]

CC1

prepared by: US date of publication: 16.08.2011 approved by: MH revision: 2.1

7(13)

DB_IFS75S12N3T4_B11_2V1_2011-08-16

Technische Information / technical information

ENOB [bit]

THD [dB]

IGBT-Module IGBT-Modules

ENOB Σ/Δ-Wandler (typisch)

ENOB Σ/Δ-Wandler (typisch) ENOB Σ/Δ converter (typical)

ENOB Σ/Δ converter (typical) ENOB = f(Ta)

ENOB = f(Ta) VCC1 = 5V

VCC1 = 5V

12

10

8

6

ENOB [bit]

4

2

0

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160

IFS75S12N3T4_B11

Ta[°C]

SNR Σ/Δ-Wandler (typisch)

SNR Σ/Δ-Wandler (typisch) SNR Σ/Δ converter (typical)

SNR Σ/Δ converter (typical) SNR = f(Ta)

SNR = f(Ta) VCC1 = 5V

VCC1 = 5V

75

74,5

74

73,5

73

72,5

SNR [dB]

72

71,5

71

70,5

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160

Zieldaten Target Data

SNR [dB]

Ta[°C]

THD Σ/Δ-Wandler (typisch)

THD Σ/Δ-Wandler (typisch) THD Σ/Δ converter (typical)

THD Σ/Δ converter (typical) THD = f(Ta)

THD = f(Ta) VCC1 = 5V

VCC1 = 5V

74

72

70

68

66

THD [dB]

64

62

60

58

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ta[°C]

fCLK Σ/Δ-Wandler (typisch)

fCLK Σ/Δ-Wandler (typisch) fCLK Σ/Δ converter (typical)

fCLK Σ/Δ converter (typical) fCLK = f(Ta)

fCLK = f(Ta) VCC1 = 5V

VCC1 = 5V

12

10

8

6

fCLK [MHz]

4

2

0

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160

fCLK [MHz]

Ta[°C]

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8(13)

DB_IFS75S12N3T4_B11_2V1_2011-08-16

Technische Information / technical information

Tvj = 25

°

C

Tvj = 125

°

C

Tvj = 125°C

Tvj = 25

°

C

Tvj = 125

°

C

IGBT-Module IGBT-Modules

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT inverter (typical)

output characteristic IGBT inverter (typical) IC= f(VCE)

IC= f(VCE) VGE= 15V

VGE= 15V

150

150 135

135 120

120 105

105

90

[A]

75

C

I

60

60 45

45 30

30 15

15

0

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

Tvj = 150°C

VCE[V]

IFS75S12N3T4_B11

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT inverter (typical)

output characteristic IGBT inverter (typical) IC= f(VCE)

IC= f(VCE) Tvj= 150°C

Tvj= 150°C

150

150 135

135 120

120 105

105

90

[A]

75

C

I

60

60 45

45 30

30 15

15

0

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

VGE = 19V

VGE = 19V VGE = 17V

VGE = 17V VGE = 15V

VGE = 15V VGE = 13V

VGE = 13V VGE = 11V

VGE = 11V VGE = 9V

VGE = 9V

Zieldaten Target Data

VCE[V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT inverter (typical)

transfer characteristic IGBT inverter (typical) IC= f(VGE)

IC= f(VGE) VCE= 20V

VCE= 20V

150

Tvj = 25°C

135

135 120

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

Tvj = 150°C

105

90

[A]

75

C

I

60 45 30 15

0

5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE[V]

Ausschaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) turn-off switching losses IGBT inverter (typical) Eoff =f(IC) VGE = ±15V, RGoff = 2.2Ω,

16 14 12 10

[mJ]

8

off

E

6

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

4 2 0

0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

IC[A]

Einschaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

Einschaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) turn-on switching losses IGBT inverter (typical)

turn-on switching losses IGBT inverter (typical) Eon = f(Ic)

Eon = f(Ic) Vge = ±15V, Rgon = 2.2Ω, Vce = 600V

Vge = ±15V, Rgon = 2.2Ω, Vce = 600V

28

Tvj = 25°C

24

Tvj = 25°C Tvj = 125°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C

20

16

[mJ]

on

E

12

8

4

0

0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

IC[A]

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT inverter (typical) Eon= f(RG), E VGE= ±15V, IC= 75A

18 16 14 12

= f(RG)

off

Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

10

8

E [mJ]

6 4 2 0

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

RG[Ω]

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9(13)

DB_IFS75S12N3T4_B11_2V1_2011-08-16

Technische Information / technical information

Tvj = 25

°

C

Tvj = 125

°

C

8

Tvj = 25

°

C

Tvj = 125

°

C

IGBT-Module IGBT-Modules

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode inverter (typical)

forward characteristic of diode inverter (typical) IF= f(VF)

IF= f(VF)

150

150 135

135 120

120 105

105

Tvj = 150°C

90

[A]

75

F

I

60 45 30 15

0

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4

IFS75S12N3T4_B11

VF[V]

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT inverter (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT inverter (RBSOA) Ic = f(Vce)

Ic = f(Vce) VGE = ±15V, Rgoff = 2.2Ω, Tvj = 150°C

VGE = ±15V, Rgoff = 2.2Ω, Tvj = 150°C

200

150

[A]

100

C

I

50

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

12

8

[mJ]

rec

E

4

0

0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150

Zieldaten Target Data

Ic, Modul

IC, Chip

VCE[V]

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical)

switching losses diode inverter (typical) E

= f(IF)

E

= f(IF)

rec

VGE= ±15V, R

Gon

Tvj = 25°C

Tvj = 25°C Tvj = 125°C

Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Tvj = 150°C

= 2.2Ω, VCE= 600V

IF[A]

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical) E

= f(RG)

rec

VGE= ±15V, IF= 75A, VCE= 600V

8

6

[mJ]

4

rec

E

2

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

0

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

RG[Ω]

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10(13)

DB_IFS75S12N3T4_B11_2V1_2011-08-16

Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-Modules

100000

10000

[Ω]

NTC

R

1000

100

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)

NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC temperature characteristic (typical)

NTC temperature characteristic (typical)

NTC temperature characteristic (typical) R

= f(TC)

R

= f(TC)

R

= f(TC)

NTC

0 20 40 60 80 100 120 140 160

IFS75S12N3T4_B11

RNTC [Ω]

TC[°C]

Zieldaten Target Data

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11(13)

DB_IFS75S12N3T4_B11_2V1_2011-08-16

Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-Modules

Schaltplan / circuit diagram

σ/δ σ/δ σ/δ

Gehäuseabmessungen / package outline

IFS75S12N3T4_B11

Zieldaten Target Data

ϑ

Infine on

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12(13)

DB_IFS75S12N3T4_B11_2V1_2011-08-16

Technische Information / technical information

application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).

IGBT-Module IGBT-Modules

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

terms & conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific

For those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

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Zieldaten Target Data

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Infineon IFS75S12N3T4-B11 Data Sheet

Specifications and Main Features

Frequently Asked Questions

User Manual