Technische Information / Technical Information
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage T
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current T
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
T
= 25°C
= -25°C 3300
j
T
= 80°C
C
= 25 °C
C
= 1 ms, TC = 80°C I
t
P
T
=25°C, Transistor P
C
t
= 1 ms I
P
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
V
CES
I
C,nom.
I
CRM
V
GES
I
FRM
C
tot
F
3300
800 A
1200 A
1600 A
9,6 kW
+/- 20V V
800 A
1600 A
V
Grenzlastintegral der Diode
2
I
t - value, Diode
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
T
= 125°C P
j
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) V
PD
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V
IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
GE
V
CE
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= -15V ... + 15V, VCE = 1800V Q
= 3300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
VCE = 3300V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I
2
I
tA
RQM
V
ISOL
ISOL
222.200
800 kW
6.000 V
2.600 V
2
s
min. typ. max.
CE sat
GE(th)
ies
res
G
CES
GES
- 3,40 4,25 V
- 4,30 - V
4,2 5,1 6,0 V
- 100 - nF
- 5,4 - nF
-15-µC
-20-µA
-40-mA
- - 400 nA
prepared by: Jürgen Göttert date of publication : 16.11.98
approved by: Hubert Ludwig revision: 2
1 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
= 800 A, VCE = 1800V
I
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V, VGE = 15V
C
RG = 1,8 Ω, CGE = 150, nF, Tvj = 125°C, LS = 40nH
IC = 800 A, VCE = 1800V, VGE = 15V
RG = 1,8 Ω, CGE = 150, nF, Tvj = 125°C, LS = 40nH
t
≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
P
T
Vj
≤
125°C, V
=2500V, V
CC
CEmax=VCES -LsCE
·dI/dt
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
min. typ. max.
t
d,on
t
r
t
d,off
t
f
E
on
E
off
I
SC
L
sCE
- 370 - ns
- 350 - ns
- 250 - ns
- 270 - ns
- 1550 - ns
- 1700 - ns
- 200 - ns
- 200 - ns
- 1920 - mWs
- 1020 - mWs
- 4000 - A
- 12 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
I
= 800 A, - diF/dt = 3500 A/µsec
F
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I
V
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
= 800 A, - diF/dt = 3500 A/µsec
I
F
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
V
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
= 800 A, - diF/dt = 3500 A/µsec
I
F
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
V
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
R
CC’+EE’
- 0,08 - m
min. typ. max.
F
RM
r
rec
- 2,80 3,50 V
- 2,80 - V
- 880 - A
- 980 - A
- 500 - µAs
- 940 - µAs
---mWs
- 1000 - mWs
Ω
2 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC - - 0,026 K/W
pro Modul / per module
λ
= 1 W/m*K /
Paste
λ
grease
= 1 W/m*K
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
op
T
stg
- - 0,013 K/W
- 0,006 - K/W
- - 150 °C
-40 - 125 °C
-40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 .. 10 Nm
AlSiC
AlN
32,2 mm
19,1 mm
> 400
M1 5 Nm
G 1000 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
1600
1400
1200
1000
[A]
C
I
800
600
400
200
FZ 800 R 33 KF2
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
T = 25°C
T = 125°C
VGE = 15V
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
[A]
C
I
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
1600
1400
1200
1000
800
600
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Tvj = 125°C
400
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
4 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
1600
1400
1200
1000
[A]
C
I
800
600
400
200
FZ 800 R 33 KF2
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)
T = 25°C
T = 125°C
VCE = 20V
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
[A]
F
I
0
5678910111213
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
1600
1400
1200
1000
800
600
Tj = 25°C
Tj = 125°C
400
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VF [V]
5 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
7000
6000
5000
4000
E [mJ]
3000
2000
1000
FZ 800 R 33 KF2
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E
R
Switching losses (typical)
Eon
Eoff
Erec
= 1,8 Ω, R
G,on
G,off
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
= f (IC) , E
off
= 1,8 Ω, CGE = 150 nF, VCE = 1800V, Tj = 125°C
= f (IC)
rec
E [mJ]
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , E
Switching losses (typical)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
Eon
Eoff
Erec
IC = 800 A , CGE = 150 nF, VCE = 1800V , Tj = 125°C
= f (RG) , E
off
= f (RG)
rec
1000
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
RG [Ω]
6 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
1800
1600
1400
1200
1000
800
[A]
C
I
600
400
200
FZ 800 R 33 KF2
Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) R
Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) T
IC,Modul
IC,Chip
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
= 1,8 Ω, CGE = 150 nF
G,off
= 125°C
vj
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) T
= 125°C
vj
safe operation area Diode (SOA)
1800
1600
1400
1200
1000
800
[A]
R
I
600
400
200
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
VR [V]
7 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Transienter Wärmewiderstand Z
Transient thermal impedance
0,1
Zth:IGBT
Zth:Diode
0,01
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
= f (t)
thJC
thJC
Z
[K / W]
0,001
0,0001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [sec]
i
ri [K/kW]
τi [sec]
ri [K/kW]
τi [sec]
: IGBT 2,21 7,74 0,71 2,34
: IGBT 0,0185 0,0984 0,5001 2,0000
: Diode 4,42 15,48 1,42 4,68
: Diode 0,0185 0,0984 0,5001 2,0000
1234
8 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
9 (9)
Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Loading...