Infineon FZ800R33KF2 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage T
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current T
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
T
= 25°C
= -25°C 3300
j
T
= 80°C
C
= 25 °C
C
= 1 ms, TC = 80°C I
t
P
T
=25°C, Transistor P
C
t
= 1 ms I
P
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
V
CES
I
C,nom.
I
CRM
V
GES
I
FRM
C
tot
F
3300
800 A
1200 A
1600 A
9,6 kW
+/- 20V V
800 A
1600 A
V
Grenzlastintegral der Diode
2
I
t - value, Diode
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
T
= 125°C P
j
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) V
PD
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V
IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
IC = 80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
GE
V
CE
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= -15V ... + 15V, VCE = 1800V Q
= 3300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
VCE = 3300V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I
2
I
tA
RQM
V
ISOL
ISOL
222.200
800 kW
6.000 V
2.600 V
2
s
min. typ. max.
CE sat
GE(th)
ies
res
G
CES
GES
- 3,40 4,25 V
- 4,30 - V
4,2 5,1 6,0 V
- 100 - nF
- 5,4 - nF
-15-µC
-20-µA
-40-mA
- - 400 nA
prepared by: Jürgen Göttert date of publication : 16.11.98
approved by: Hubert Ludwig revision: 2
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Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
= 800 A, VCE = 1800V
I
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V
C
VGE = ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 25°C
V
= ±15V, RG = 1,8 Ω, CGE = 150nF, Tvj = 125°C
GE
I
= 800 A, VCE = 1800V, VGE = 15V
C
RG = 1,8 Ω, CGE = 150, nF, Tvj = 125°C, LS = 40nH
IC = 800 A, VCE = 1800V, VGE = 15V
RG = 1,8 Ω, CGE = 150, nF, Tvj = 125°C, LS = 40nH
t
≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
P
T
Vj
≤
125°C, V
=2500V, V
CC
CEmax=VCES -LsCE
·dI/dt
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
min. typ. max.
t
d,on
t
r
t
d,off
t
f
E
on
E
off
I
SC
L
sCE
- 370 - ns
- 350 - ns
- 250 - ns
- 270 - ns
- 1550 - ns
- 1700 - ns
- 200 - ns
- 200 - ns
- 1920 - mWs
- 1020 - mWs
- 4000 - A
- 12 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
I
= 800 A, - diF/dt = 3500 A/µsec
F
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I
V
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
= 800 A, - diF/dt = 3500 A/µsec
I
F
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
V
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
= 800 A, - diF/dt = 3500 A/µsec
I
F
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
V
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
R
CC’+EE’
- 0,08 - m
min. typ. max.
F
RM
r
rec
- 2,80 3,50 V
- 2,80 - V
- 880 - A
- 980 - A
- 500 - µAs
- 940 - µAs
---mWs
- 1000 - mWs
Ω
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Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R 33 KF2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC - - 0,026 K/W
pro Modul / per module
λ
= 1 W/m*K /
Paste
λ
grease
= 1 W/m*K
vorläufiges Datenblatt
preliminary datasheet
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
op
T
stg
- - 0,013 K/W
- 0,006 - K/W
- - 150 °C
-40 - 125 °C
-40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 .. 10 Nm
AlSiC
AlN
32,2 mm
19,1 mm
> 400
M1 5 Nm
G 1000 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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Datenblatt FZ 800 R 33 KF2 prelim_1.xls
17.11.98
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