Infineon FZ800R16KF4-S1 Data Sheet

Marketing Information
FZ 800 R 16 KF4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

screwing depth
max. 8

31,5

M4

28

C

16,5

61,5

130
114

E

G

2,5

18,5

18

C

E

7

M8

C

E

external connection
(to be done)

C

C

G

E

E

C

E

external connection
(to be done)

VWK Apr. 1997

IGBT-Module

FZ 800 R 16 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V

CES

C

CRM

tot

GE

F

FRM

ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

CE sat

GE(TO)

ies

CES

GES

EGS

onvL

svL

fvL

Charakteristische Werte / Characteristic values

on

offRG

F

RMvRM

rvRM

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

thJC

thCK

vj max

c op

stg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

3

CMK1

CMK2

Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=800A, vGE=15V, tvj=25°C v

iC=800A, vGE=15V, tvj=125°C - 4,4 4,8 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=65mA, vCE=vGE, tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity

fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V

Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C i

vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C - 60 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=800A,vCE=900V,vL=±15V t

=±15V, RG=2,4Ω, tvj=25°C - 0,8 - µs

vL=±15V, RG=2,4Ω, tvj=125°C - 1 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=800A,vCE=900V,vL=±15V t

=±15V, RG=2,4Ω, tvj=25°C - 1,1 - µs

vL=±15V, RG=2,4Ω, tvj=125°C - 1,3 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=800A,vCE=900V,vL=±15V t

=±15V, RG=2,4Ω, tvj=25°C - 0,25 - µs

vL=±15V, RG=2,4Ω, tvj=125°C - 0,3 - µs

1600 V

800 A
1600 A
6250 W

± 20 V

800 A
1600 A

3,4 kV

min. typ. max.

- 3,3 3,7 V

4,5 5,5 6,5 V

C

- 130 - nF

- 6 - mA

- - 400 nA

- - 400 nA

Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse iC=800A,vCE=900V,vL=±15V E

RG=2,4Ω, tvj=125°C, LS=70nH - 340 - mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC=800A,vCE=900V,vL=±15V E

=2,4Ω, tvj=125°C, LS=70nH - 180 - mWs

Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage iF=800A, vGE=0V, tvj=25°C v

- 2,4 2,8 V

iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C - 2,2 - V

Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs I

=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 540 - A

vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 660 - A

Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs Q

=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 100 - µAs

vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 220 - µAs

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R

0,02 °C/W

Diode /diode, DC 0,05 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

0,01 °C/W

150 °C

-40...+125 °C

-40...+125 °C

Innere Isolation internal insulation Al2O
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque terminals M6 / tolerance ±10% M1 3 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5/-10% M2 2 Nm

terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca. 1500 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs VCC = 1000 V
vL = ±15V v
RGF = RGR = 2,4 Ω i
tvj = 125°C

CEM

i

= 1300 V

≈ 8000 A
≈ 6000 A

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v

CEM

= V

CES

- 15nH x |dic/dt|