Infineon FZ800R12KS4 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current T
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
TC = 80°C
= 25 °C
C
tP = 1 ms, TC = 80°C I
TC=25°C, Transistor P
tP = 1 ms I
Vorläufige Daten
Preliminary data
V
CES
I
C,nom.
I
C
CRM
tot
V
GES
I
F
FRM
1200
800 A
1200 A
1600 A
6,9 kW
+/- 20V V
800 A
1600 A
V
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
I
= 800 A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
C
IC = 800 A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
= 32 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V
I
C
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
VGE = -15V ... + 15V, VCE = 600V Q
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I
V
CE
2
tA
I
V
ISOL
185.000
2.500 V
2
s
min. typ. max.
CE sat
GE(th)
ies
res
G
CES
GES
- 3,00 - V
- 3,60 - V
4,5 5,5 6,5 V
-52-nF
- t.b.d. - nF
- 8,4 - µC
- t.b.d. - µA
- t.b.d. - mA
- - 400 nA
prepared by: R. Jörke date of publication : 2000-06-14
approved by: Jens Thurau revision: 1
1 (9)
FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
I
= 800 A, VCC = 600V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 25°C t
= ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 125°C
V
GE
I
= 800 A, VCC = 600V
C
VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 25°C t
= ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 125°C
V
GE
I
= 800 A, VCC = 600V
C
VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 25°C t
= ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 125°C
V
GE
I
= 800 A, VCC = 600V
C
VGE = ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 25°C t
= ±15V, RG = 1,3 Ω, Tvj = 125°C
V
GE
I
= 800 A, VCC = 600V, VGE = 15V
C
RG = 1,3 Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH E
I
= 800 A, VCC = 600V, VGE = 15V
C
RG = 1,3 Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH E
t
≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
P
TVj≤125°C, VCC= 900V, V
CEmax=VCES -LsCE
·dI/dt I
Vorläufige Daten
Preliminary data
min. typ. max.
d,on
r
d,off
f
on
off
SC
L
sCE
- 100 - ns
- 125 - ns
-90-ns
- 100 - ns
- 530 - ns
- 590 - ns
-60-ns
-70-ns
- 76 - mWs
- 64 - mWs
- 6000 - A
- 12 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
I
= 800 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
F
IF = 800 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/µsec
VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I
= 600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
V
R
I
= 800 A, - diF/dt = 8200 A/µsec
F
VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
= 600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
V
R
I
= 800 A, - diF/dt = 8200 A/µsec
F
VR = 600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
= 600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
V
R
R
CC’+EE’
- t.b.d. - mΩ
min. typ. max.
F
RM
r
rec
- 2,00 - V
- 1,70 - V
- 540 - A
- 900 - A
- 60 - µAs
- 160 - µAs
- 32 - mWs
- 76 - mWs
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FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 800 R12 KS4
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC - - 0,027 K/W
pro Modul / per module
λ
= 1 W/m*K / λ
Paste
grease
= 1 W/m*K
Vorläufige Daten
Preliminary data
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
op
T
stg
- - 0,018 K/W
- 0,008 - K/W
- - 150 °C
-40 - 125 °C
-40 - 150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M4 M2 1,7 2,3 Nm
terminals M8 8 10,00 Nm
Cu
AlN
32,2 mm
19,1 mm
> 400
M1 4,25 5,75 Nm
G 1000 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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FZ800R12KS4, preliminary.xls
15.06.00
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