Infineon FZ800R12KF4 Data Sheet

Marketing Information
FZ 800 R 12 KF 4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. K G

screwing depth
max. 8

31,5

M4

C

16,5

61,5

130
114

E

2,5

18,5

18

C

E

7

28

C

C

M8

C

E

G

external connection to be
done

C

G

E

E

E

external connection to be
done

A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze

FZ 800 R 12 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated val ues

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V

Charakterist i sche Werte / Characteristic values: Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=800A, vGE=15V, tvj=25°C v

iC=800A, vGE=15V, tvj=125°C - 3,3 3,9 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=32mA, vCE=vGE, tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V C
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C i

vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C - 65 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=800A,vCE=600V t

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=25°C - 0,7 - µs

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=800A,vCE=600V t

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=25°C - 0,9 - µs

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=800A,vCE=600V t

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=25°C - 0,10 - µs

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energie loss per pulse iC=800A,vCE=600V,Ls=70nH E

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C - 130 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energie loss per pulse iC=800A,vCE=600V,Ls=70nH E

vL= ± 15V, RG=1,8 , tvj=125°C - 120 - mWs

CES
C
CRM

tot

GE
F
FRM

ISOL

min. typ. max.

CE sat

4,5 5,5 6,5 V

GE(th)

ies
CES

GES
EGS
on

s

f

on

off

- 2,7 3,2 V

- 55 - nF

- 11 - mA

- - 400 nA

- - 400 nA

- 0,8 - µs

- 1,0 - µs

- 0,15 - µs

Charakteristische Werte / Characteristic values Inversdiode / Inverse diode

Durchlaßspannung forward voltage iF=800A, vGE=0V, tvj=25°C v

iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C - 2,0 2,5 V

Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=800A,-di/dt = 4kA/µs I

vRM=600V, vGE=10V, tvj=25°C - 280 - A
vRM=600V, vGE=10V, tvj=125°C - 480 - A

Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=800A,-di/dt = 4kA/µs Q

vRM=600V, vGE=10V, tvj=25°C - 35 - µAs
vRM=600V, vGE=10V, tvj=125°C - 100 - µAs

F

RM

r

- 2,2 2,7 V

Thermi sche Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R

Diode /diode, DC 0,044 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module R
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature pro Modul / per Module t
Betriebstemperatur operating temperature Transistor / transistor t
Lagertemperatur storage temperature t

thJC

thCK
vj max
c op
stg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properti es

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite/page 1
Innere Isolation internal insulation AI2O
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 /
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 /

tolerance +/-15%
tolerance +/-15%

terminals M8 8...10 Nm

Gewicht weight G ca. 1500 g

M1 5 Nm
M2 2 Nm

1200 V

800 A
1600 A
5400 W

± 20 V

800 A
1600 A

2,5 kV

0,023 °C/W

0,01 °C/W

150 °C

-40...+125 °C

-40...+125 °C

3

Bedingung für den Kurzschluß schutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs VCC = 750 V
vL = ±15 V v
RGF = RGR = 1,8 i
tvj = 125°C

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.

CEM

CMK1

i

CMK2

= 900 V

7000 A
6000 A

= V

v

CEM

- 15nH x |dic/dt|

CES