Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
2
t - value, Diode
I
T
= 25°C V
vj
= 80 °C I
T
C
= 25 °C I
T
C
t
= 1 ms, TC = 80°C I
P
T
=25°C, Transistor P
C
tp = 1 ms
= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
V
R
vorläufige Daten
preliminary data
CES
C,nom.
CRM
V
GES
I
I
FRM
2
I
C
tot
F
t
1700 V
1200 A
1950 A
2400 A
9,6 kW
+/- 20V V
1200 A
2400 A
380
kA2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V
= 1200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
I
C
I
= 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V
C
V
= -15V ... +15V Q
GE
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
CE
V
CE
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I
V
ISOL
min. typ. max.
CE sat
4,5 5,5 6,5 V
GE(th)
G
ies
res
CES
GES
4kV
2,6 3,1 V
3,1 3,6 V
14,5 µC
79 nF
4nF
5mA
400 nA
prepared by: A. Wiesenthal date of publication: 05.04.2001
approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001 revision: 1 (preliminary)
1(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
= 1200A, VCE = 900V
I
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
V
= ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C t
GE
= ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C
V
GE
I
= 1200A, VCE = 900V
C
V
= ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C
I
= 1200A, VCE = 900V
C
V
= ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C
I
= 1200A, VCE = 900V
C
V
= ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C t
GE
= ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C
V
GE
I
= 1200A, VCE = 900V, VGE = 15V
C
R
= 1,2W, Tvj = 125°C, LS = 50nH E
G
IC = 1200A, VCE = 900V, VGE = 15V
R
= 1,2W, Tvj = 125°C, LS = 50nH E
G
tP £ 10µsec, VGE £ 15V
T
£125°C, VCC=1000V, V
Vj
CEmax=VCES -LsCE
·dI/dt I
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
d,on
r
d,off
f
on
off
SC
L
sCE
0,3 µs
0,3 µs
0,16 µs
0,16 µs
1,1 µs
1,1 µs
0,13 µs
0,14 µs
330 mWs
480 mWs
4800 A
12 nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
= 1200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
I
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
F
= 1200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
I
F
= 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec
I
F
V
= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I
R
= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
V
R
I
= 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec
F
V
= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
R
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
I
= 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec
F
V
= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
R
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
R
CC´+EE´
min. typ. max.
F
RM
r
rec
0,08 mW
2,1 2,5 V
2,1 2,5 V
970 A
1130 A
200 µAs
380 µAs
110 mWs
210 mWs
2(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC 0,025 K/W
pro Modul / per module
l
= 1 W/m*K / l
Paste
= 1 W/m*K
grease
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
vj op
T
stg
0,008 K/W
-40 125 °C
-40 125 °C
0,013 K/W
150 °C
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
M1 5 Nm
terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 - 10 Nm
G 1050 g
AlN
17 mm
10 mm
275
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
2400
2200
2000
1800
1600
1400
[A]
1200
C
I
1000
800
600
400
200
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
0
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 15V
preliminary data
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
[A]
C
I
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
Tvj = 125°C
VCE [V]
4(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
2400
2200
2000
1800
1600
1400
[A]
C
1200
I
1000
800
600
400
200
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
5678910111213
VCE = 20V
[A]
F
I
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5(8)
VF [V]
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
1200
1000
800
600
E [mJ]
400
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E
R
= R
Switching losses (typical)
=1,2 9999, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V
gon
goff
Eoff
Eon
Erec
= f (IC) , E
off
= f (IC)
rec
vorläufige Daten
preliminary data
200
0
0 400 800 1200 1600 2000 2400
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , E
Switching losses (typical)
1400
1200
1000
800
E [mJ]
600
400
Eon
Eoff
Erec
IC = 1200A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V
= f (RG) , E
off
= f (RG)
rec
200
0
0246810
RG [9999]
6(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
0,1
thJC
Z
0,01
[K / W]
0,001
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
Transienter Wärmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [sec]
preliminary data
i
ri [K/kW]
J
[sec]
i
ri [K/kW]
J
[sec]
i
: IGBT 1,25 6,15 2,6 3
: IGBT 0,003 0,05 0,1 0,95
: Diode 2,46 13,4 4,57 4,57
: Diode 0,003 0,045 0,45 0,75
1234
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) R
3000
2500
2000
[A]
C
I
1500
1000
500
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IC,Modul
IC,Chip
VCE [V]
= 1,2 Ohm, Tvj= 125°C
g
7(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Äußere Abmessungen / external dimensions
FZ 1200 R 17 KF6C B2
8(8)
FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments
will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect
to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted
exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
Loading...