Infineon FZ1200R16KF4-S1 Data Sheet

Marketing Information
FZ 1200 R 16 KF4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

screwing depth
max. 8

31,5

M4

28

C

16,5

61,5

130
114

E

G

2,5

18,5

18

C

E

7

M8

C

E

external connection
(to be done)

C

C

G

E

E

C

E

external connection
(to be done)

VWK Apr. 1997

IGBT-Module FZ 1200 R 16 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=1,2kA, vGE=15V, tvj=25°C v

CES

C

CRM

tot

GE

F

FRM

ISOL

CE sat

min. typ. max.

- 3,5 3,9 V

iC=1,2kA, vGE=15V, tvj=125°C - 4,6 5 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=80mA, vCE=vGE, tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity

fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C i

vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C - 80 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V t

GE(TO)

C

ies

CES

GES

EGS

on

4,5 5,5 6,5 V

- 180 - nF

- 8 - mA

- - 400 nA

- - 400 nA

RG=1,8Ω, tvj=25°C - 0,8 - µs

RG=1,8Ω, tvj=125°C - 1 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V t

s

RG=1,8Ω, tvj=25°C - 1,1 - µs

RG=1,8Ω, tvj=125°C - 1,3 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V t

f

RG=1,8Ω, tvj=25°C - 0,25 - µs

RG=1,8Ω, tvj=125°C - 0,3 - µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V E

on

RG=1,8Ω, tvj=125°C, LS=70nH - 490 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC=1,2kA,vCE=900V,vL=±15V E

off

RG=1,8Ω, tvj=125°C, LS=70nH - 290 - mWs
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage iF=1200A, vGE=0V, tvj=25°C v

F

- 2,4 2,8 V

iF=1200A, vGE=0V, tvj=125°C - 2,2 - V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=1,2kA, -diF/dt=6kA/µs I

RM

vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 460 - A

vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 640 - A
Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=1,2kA, -diF/dt=6kA/µs Q

r

vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 100 - µAs

vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 220 - µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R

Diode /diode, DC 0,04 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R
Höchstzul. Sperrschichtte mperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

thJC

thCK

vj max

c op

stg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation internal insulation Al2O
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque terminals M6 / tolerance ±10% M1 3 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque terminals M4 / to lerance +5/-10% M2 2 Nm

terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca. 1500 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid

in
combination with the belonging technical notes.

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

1600 V
1200 A
2400 A
7800 W

± 20 V
1200 A
2400 A

3,4 kV

0,016 °C/W

0,008 °C/W

150 °C

-40...+125 °C

-40...+125 °C

3

tfg = 10 µs VCC = 1000 V
vL = ±15V v
RGF = RGR = 1,8 W i
tvj = 125°C i
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions

v

= 1300 V

CEM

» 12000 A

CMK1

» 9000 A

CMK2

CEM

= V

CES

- 15nH x |dic/dt|