Infineon FZ1200R12KF4 Data Sheet

Marketing Information
FZ 1200 R 12 KF 4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG

screwing depth
max. 8

31,5

M4

C

16,5

61,5

130
114

E

2,5

18,5

18

C

E

7

28

C

C

M8

C

E

G

external connection to be
done

C

G

E

E

E

external connection to be
done

A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze

FZ 1200 R 12 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=1,2kA, vGE=15V, tvj=25°C v

iC=1,2kA, vGE=15V, tvj=125°C - 3,3 3,9 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=48mA, vCE=vGE, tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V C
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C i

vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C - 100 200 mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=1,2kA,vCE=600V t

vL = ±15V, RG= 0,82 , tvj=25° 0,7 - µs

CES

C

CRM

tot

GE

F

FRM

ISOL

min. typ. max.

CE sat

GE(th)

ies

CES

GES

EGS

on

- 2,7 3,2 V

4,5 5,5 6,5 V

- 90 - nF

- 16 - mA

- - 400 nA

- - 400 nA

vL = ±15V, RG= 0,82 , tvj=125° - 0,8 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=1,2kA,vCE=600V t

vL = ±15V, RG= 0,82 , tvj=25° - 0,9 - µs

s

vL = ±15V, RG= 0,82 , tvj=125° - 1,0 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=1,2kA,vCE=600V t

vL = ±15V, RG= 0,82 , tvj=25° - 0,10 - µs

f

vL = ±15V, RG= 0,82 , tvj=125° - 0,15 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per puls iC=1,2kA, vCE=600V, Ls=70nH

Abschaltverlustleistung pro Puls turn-off energy loss per puls iC=1,2kA, vCE=600V, Ls=70nH

vL=±15V,RG=0,82 ,Tvj=125°C E

vL=±15V,RG=0,82 ,Tvj=125°C E

on

off

- 170 - mWs

- 190 - mWs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage iF=1,2kA, vGE=0V, tvj=25°C v

iF=1,2kA, vGE=0V, tvj=125°C - 2,0 2,5 V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=1,2kA, vRM=600V, vEG = 10V I

-diF/dt = 6 kA/µs, tvj = 25°C - 400 - A
= 125°C

t

Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=1,2kA, vRM=600V, vEG = 10V Q

vj

-diF/dt = 6 kA/µs, tvj = 25°C - 50 - µAs
= 125°C

t

vj

F

RM

r

- 2,2 2,7 V

- 700 - A

- 150 - µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R

Transistor,DC,pro Zweig/per arm 0,032 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module R
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature pro Modul / per Module t
Betriebstemperatur operating temperature Transistor / transistor t
Lagertemperatur storage temperature t

thJC

thCK

vj max

c op

stg

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation internal insulation AI2O
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 /
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 /

tolerance +/-15%

tolerance +/-15%

terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca. 1500 g

M1 5 Nm
M2 2 Nm

1200 V
1200 A
2400 A
7800 W

± 20 V
1200 A
2400 A

2,5 kV

0,016 °C/W

0,008 °C/W

150 °C

-40...+125 °C

-40...+125 °C

3

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs VCC = 750 V
vL = ±15 V v
RGF = RGR = 0,82 i
tvj = 125°C

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.

CMK1

i

CMK2

CEM

= 900 V

10000 A
8000 A

v

= V

- 15nH x |dic/dt|

CES

CEM

FZ 1200 R12 KF4

2500

i

C

2000

[A]

1500

1000

500

0

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

FZ1200R12KF4

Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V

= 15V

GE

----- Tvj = 25 °C
___

Tvj = 125 °C

v CE [V

i

C

[A]

2500

2000

VGE=20V

15V

12V

10V

1500

9V

1000

8V

500

0

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

]

FZ1200R12KF4

Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125 °C

v CE [V

]

2500

i

C

[A]

2000

1500

1000

500

0

6

5

FZ1200R12KF4

Bild/Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V

2500

t vj =
125 °C
25 °C

i

C

2000

[A]

1500

1000

500

7

8 9 10 11 12

]

v GE [V

0

0

200 12001000 1400

FZ1200R12KF4

Bild/Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 0,82

400 600 800

v CE [V

]

10

Z

(th)JC

[°C/W]

FZ 1200 R12 KF4

-1

6

Diode

3

i

F

[A]

2500

2000

2

-2

10

5

3

2

-3

10

10-32 4 10

FZ1200R12KF4

Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC)
Transient thermal impedance (DC)

-2

2 4 2 4 2

IGBT

1500

1000

500

-1

10

0

10

]

t [s

1

4

10

0

FZ1200R12KF4

Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C

1.0 1.5 2.0 2.50.5 3.0

v F [V

]

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