Infineon FS50R06YL4 Data Sheet
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Tvj= 25°C
T
= 55°C
c
T
= 25°C
c
= 1ms, Tc= 55°C
t
p
Tc= 25°C, Transistor
tp= 1ms
V
I
C,nom.
I
CRM
P
V
I
FRM
CES
I
C
tot
GES
I
F
vorläufige Daten
preliminary data
600
50
55
100
202
+
20
50
100
V
A
A
A
W
V
A
A
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
V
= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
R
RMS, f= 50Hz, t= 1min
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
= 15V, Tvj= 25°C, IC= I
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
GE
V
= 15V, Tvj= 125°C, IC= I
GE
V
= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1mA
CE
VGE= -15V...+15V
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
V
CE
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
C,nom
C,nom
V
V
V
I²t
ISOL
min. typ. max.
CEsat
GE(th)
Q
C
C
I
CES
- 1,95 2,55 V
- 2,20 - V
-
G
-
ies
-
res
-
630
2,5
5,5
0,3
6,54,5
-
-
-5
A²s
kV
V
µC
nF2,2
nF - 0,2
mA
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: P. Kanschat
approved: R. Keggenhoff
= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
V
CE
date of publication: 2002-11-25
revision: 2.1
1 (9)
I
GES
400 - -
nA
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulinduktivität
stray inductance module
IC= 50A, VCC= 300V
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
V
GE
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
V
GE
I
= 50A, VCC= 300V
C
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
V
GE
V
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
GE
= 50A, VCC= 300V
I
C
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
V
GE
V
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
GE
= 50A, VCC= 300V
I
C
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
V
= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
GE
IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V
I
C
RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
t
≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C,
P
=360V, V
V
CC
CEmax=VCES -LσCE
·|di/dt|
min. typ. max.
t
d,on
-42-ns
-43-ns
t
-11-ns
r
-12-ns
t
d,off
- 120 - ns
- 130 - ns
t
-20-ns
f
-30-ns
E
on
E
off
I
SC
L
σCE
-
-
-
- 35 -
vorläufige Daten
preliminary data
0,5
1,35
225
-
-mJ
-
mJ
A
nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
= 25°C
T
c
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
I
= 50A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
F
= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs
I
F
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
V
= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
R
I
= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs
F
= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
V
R
V
= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
R
I
= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs
F
V
= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
R
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
R
CC´/EE´
E
-
V
F
I
RM
4 -
mΩ
- 1,25 1,7 V
- 1,20 - V
-88- A
-94- A
Q
- 3,2 - µC
r
- 5,4 - µC
rec
- 1,05 - mJ
- 1,50 - mJ
2 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
Abweichung von R
deviation of R
100
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
100
T
= 25°C
c
Tc= 100°C, R
= 493Ω
100
Tc= 25°C P
= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B
R
2
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, juncton to case; DC
Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to heatsink, DC
Übergangs-Wärmewiderstand, DC
thermal resistance, case to heatsink; DC
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
= 1 W / m*K / λ
λ
Paste
grease
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
λ
= 1 W / m*K / λ
Paste
grease
= 1 W / m*K
= 1 W / m*K
R
25
∆R/R
25
25/50
R
thJC
R
thJH
R
thCH
T
vjmax
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
--5
-5 - 5
-
-
-
3375
20
-
- - 0,62 K/W
- - 1,20 K/W
- 0,95 - K/W
- 1,50 - K/W
- 0,35 - K/W
- 0,45 - K/W
-
-
150
kΩ
%
mW
K
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anpresskraft pro Feder
mounting force per clamp
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance distance
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
T
T
op
stg
-40 -
-40
Al
125
- 125
2O3
°C
°C
225
F
G
40..80
36
13,5
N
g
mm
5,0 mm
12,0
5,0
mm
mm
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