Infineon FS400R12KF4 Data Sheet

Marketing Information
FS 400 R 12 KF4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company

2,8x0,5

5,5

31,5

U

CX CU

61,5

190

57

13

V

CY CV

3,35

61,5

171

M6

W

CZ CW

4 deep

26,4

5

3x5=15

GX EX EU GU

+

Cu

Gu

Eu

Cx

Gx

Ex

-

GY EY EV GV

Cv

Gv

Ev

Cy

Gy

Ey

7

GZ EZ EW GW

+

Cw

Gw

Ew

Cz

Gz

Ez

-

external connection

+

to be done

U
V
W

external connection

­to be done

18.03.1998

FS 400 R 12 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V

1200

V

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

IC400APeriodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collctor current

tp = 1 ms

I

CRM

800AGesamt-Verlustleistung

total power dissipation

TC = 25°C, Transistor / Transistor

P

2500

W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

VGE± 20VDauergleichstrom

DC forward current

IF400APeriodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

tp = 1ms

I

800AIsolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V

2,5

kV

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

min.

typ.

max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

iC = 400 A, v

= 15 V, T

= 25°C

v

-

2,7

3,2ViC = 400 A, v

= 15 V, T

= 125°C

-

3,44V

Gate-Emitter Schwellenspannung

gate-emitter threshold voltage

iC = 16 mA, v

= vGE, T

= 25°C

v

4,5

5,5

6,5VEingangskapazität

input capacity

fO = 1 MHz, T

vj

= 25°C, v

CE

= 25 V, v

GE

=

C

-27-nFKollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

v

= 1200 V, v

= 0V, T

= 25°C

i

-8-mAv

= 1200 V, v

= 0V, T

= 125°C

-40-mAGate-Emitter Reststrom

gate leakage current

v

= 0 V, v

= 20 V, T

= 25°C

i

--400nAEmitter-Gate Reststrom

gate leakage current

v

= 0 V, v

= 20 V, T

= 25°C

i

--400nAEinschaltzeit (induktive Last)

turn-on time (inductive load)

iC = 400 A, v

= 600 V

tonvL= ±15 V, R

= 2,4 Ω, T

= 25°C

-

0,7-µs

vL= ±15 V, R

= 2,4 Ω, T

= 125°C

-

0,8-µs

Speicherzeit (induktive Last)

storage time (inductive load)

iC = 400 A, v

= 600 V

tsvL= ±15 V, R

= 2,4 Ω, T

= 25°C

-

0,9-µs

vL= ±15 V, R

= 2,4 Ω, T

= 125°C

-1-µsFallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

iC = 400 A, v

= 600 V

tfvL= ±15 V, R

= 2,4 Ω, T

= 25°C

-

0,1-µs

vL= ±15 V, R

= 2,4 Ω, T

= 125°C

-

0,15-µs

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

iC = 400 A, v

= 600 V, L

= 70 nH

EonVL = ±15 V, R

= 2,4 Ω, Tvj = 125°C

-

100-mWs

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

iC = 400 A, v

= 600 V, L

= 70 nH

E

VL = ±15 V, R

= 2,4 Ω, Tvj = 125°C

-55-

mWs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Inversdiode / Inverse diode

Durchlaßspannung

forward voltage

iF = 400 A, v

= 0V, T

= 25°C

vF-

2,2

2,7ViF = 400 A, v

= 0V, T

= 125°C

-

2,0

2,5VRückstromspitze

peak reverse recovery current

iF = 400 A, -di

/dt = 2 kA/µs

IRMv

= 600 V, v

= 10 V, T

= 25°C

-

125-A

v

= 600 V, v

= 10 V, T

= 125°C

-

200-A

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

iF = 400 A, -di

/dt = 2 kA/µs

Qrv

= 600 V, v

= 10 V, T

= 25°C

-13-

µAs

v

= 600 V, v

= 10 V, T

= 125°C

-45-

µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Transistor, DC, pro Modul / per module

R

0,008

°C/W

Transistor, DC, pro Zweig / per arm

0,05

°C/W

Diode, DC, pro Modul / per module

0,014

°C/W

Diode, DC, pro Zweig / per arm

0,084

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module

R

typ. 0,006

°C/W

pro Zweig / per arm

typ. 0,036

°C/W

Höchstzul. Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T

150°CBetriebstemperatur

operating temperature

T

-40...+125

°C

Lagertemperatur

storage temperature

T

-40...+125

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation

internal insulation

AI2O3Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

mounting torque

terminals M6 / tolerance ±15%

M15Nm

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

terminal connection torque

terminals M6

M2

5...6NmGewicht

weight

G

ca. 2300

g

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

tfg = 10 µs

VCC = 750 V

v

= ±15 V

v

= 900 V

R

= R

= 2,4

Ωi ≈ 2500 A

Tvj = 125°C

i ≈

2200 A

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v

= V

- 15nH x |di

/dt|

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den

zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in

combination with the belonging technical notes.

FRM

CES

tot

ISOL

CE

CE

CE

CE

RM

RM

RM

RM

GE

GE

CE

GE

EG

CE

G

G

CE

G

G

CE

G

G

CE

G

CE

G

GE

GE

F

EG

EG

F

EG

EG

vj

vj

vj

GE

GE

vj

vj

vj

vj

vj

vj

vj

vj

vj

vj

S

S

vj

vj

vj

vj

vj

vj

CE sat

GE(TO)

ies

CES

GES

EGS

off

thJC

thCK

vj max

c op

stg

800

700

800

700

FS 400 R 12 KF4

VGE =

20 V

15 V

12 V

600

i

C

[A]

500

400

300

200

100

0

1 2 3 4 5 1 2 3 4 5

FS 400 R 12 KF4 / 1

v

[V]

CE

Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V

600

i

C

[A]

500

400

300

200

100

0

FS 400 R 12 KF4 / 2

Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125°C

v

CE

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

i
[A]

800

700

600

C

tvj =

25°C

125°C

500

i
[A]

800

700

600

C

500

10 V

9 V

8 V

[V]

400

300

200

100

0

5 6 7 8 9 10 11 12

v

FS 400 R 12 KF4 / 3

GE

[V]

400

300

200

100

Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V

0

10

7
5

3

Z

2

thJC

[°C/W ]

-1

10

7
5

3
2

-2

10

7
5

3
2

-3

10

-3

2 3 4 6 2 3 4 6 2 3 4 6 2 3 4 6

10

FS 400 R 12 KF4 / 5 FS 400 R 12 KF4 / 6

-2

10

-1

10

10

Diode

IGB T

0

t [s]t [s]

800

700

i

F

600

[A]

500

400

300

200

100

1

10

Bild / Fig. 5
Transienter Wärmewiderstand je Z weig (DC) /
Transient thermal impedance per arm (DC)

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

v

Hier Diagramm Untertitel eingeben...

CE

[V]

Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
Tvj = 125°C
vLF = vLR = 15 V
RG = 2,4 Ω

0

0,5 1 1,5 2 2,5 3

vF [V]

Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinien der I nversdiode (typisch)
Forward characteristics of the inverse diode (typical)

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.

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