Infineon FS400R12KF4 Data Sheet
Marketing Information
FS 400 R 12 KF4
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
2,8x0,5
5,5
31,5
U
CX CU
61,5
190
57
13
V
CY CV
3,35
61,5
171
M6
W
CZ CW
4 deep
26,4
5
3x5=15
GX EX EU GU
+
Cu
Gu
Eu
Cx
Gx
Ex
-
GY EY EV GV
Cv
Gv
Ev
Cy
Gy
Ey
7
GZ EZ EW GW
+
Cw
Gw
Ew
Cz
Gz
Ez
-
external connection
+
to be done
U
V
W
external connection
to be done
18.03.1998
FS 400 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
IC400APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
tp = 1 ms
I
CRM
800AGesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C, Transistor / Transistor
P
2500
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGE± 20VDauergleichstrom
DC forward current
IF400APeriodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1ms
I
800AIsolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
iC = 400 A, v
= 15 V, T
= 25°C
v
-
2,7
3,2ViC = 400 A, v
= 15 V, T
= 125°C
-
3,44V
Gate-Emitter Schwellenspannung
gate-emitter threshold voltage
iC = 16 mA, v
= vGE, T
= 25°C
v
4,5
5,5
6,5VEingangskapazität
input capacity
fO = 1 MHz, T
vj
= 25°C, v
CE
= 25 V, v
GE
=
C
-27-nFKollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
v
= 1200 V, v
= 0V, T
= 25°C
i
-8-mAv
= 1200 V, v
= 0V, T
= 125°C
-40-mAGate-Emitter Reststrom
gate leakage current
v
= 0 V, v
= 20 V, T
= 25°C
i
--400nAEmitter-Gate Reststrom
gate leakage current
v
= 0 V, v
= 20 V, T
= 25°C
i
--400nAEinschaltzeit (induktive Last)
turn-on time (inductive load)
iC = 400 A, v
= 600 V
tonvL= ±15 V, R
= 2,4 Ω, T
= 25°C
-
0,7-µs
vL= ±15 V, R
= 2,4 Ω, T
= 125°C
-
0,8-µs
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
iC = 400 A, v
= 600 V
tsvL= ±15 V, R
= 2,4 Ω, T
= 25°C
-
0,9-µs
vL= ±15 V, R
= 2,4 Ω, T
= 125°C
-1-µsFallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
iC = 400 A, v
= 600 V
tfvL= ±15 V, R
= 2,4 Ω, T
= 25°C
-
0,1-µs
vL= ±15 V, R
= 2,4 Ω, T
= 125°C
-
0,15-µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
iC = 400 A, v
= 600 V, L
= 70 nH
EonVL = ±15 V, R
= 2,4 Ω, Tvj = 125°C
-
100-mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
iC = 400 A, v
= 600 V, L
= 70 nH
E
VL = ±15 V, R
= 2,4 Ω, Tvj = 125°C
-55-
mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF = 400 A, v
= 0V, T
= 25°C
vF-
2,2
2,7ViF = 400 A, v
= 0V, T
= 125°C
-
2,0
2,5VRückstromspitze
peak reverse recovery current
iF = 400 A, -di
/dt = 2 kA/µs
IRMv
= 600 V, v
= 10 V, T
= 25°C
-
125-A
v
= 600 V, v
= 10 V, T
= 125°C
-
200-A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iF = 400 A, -di
/dt = 2 kA/µs
Qrv
= 600 V, v
= 10 V, T
= 25°C
-13-
µAs
v
= 600 V, v
= 10 V, T
= 125°C
-45-
µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
R
0,008
°C/W
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
0,05
°C/W
Diode, DC, pro Modul / per module
0,014
°C/W
Diode, DC, pro Zweig / per arm
0,084
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
R
typ. 0,006
°C/W
pro Zweig / per arm
typ. 0,036
°C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
150°CBetriebstemperatur
operating temperature
T
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
-40...+125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
AI2O3Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6 / tolerance ±15%
M15Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M6
M2
5...6NmGewicht
weight
G
ca. 2300
g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs
VCC = 750 V
v
= ±15 V
v
= 900 V
R
= R
= 2,4
Ωi ≈ 2500 A
Tvj = 125°C
i ≈
2200 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
= V
- 15nH x |di
/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
FRM
CES
tot
ISOL
CE
CE
CE
CE
RM
RM
RM
RM
GE
GE
CE
GE
EG
CE
G
G
CE
G
G
CE
G
G
CE
G
CE
G
GE
GE
F
EG
EG
F
EG
EG
vj
vj
vj
GE
GE
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
S
S
vj
vj
vj
vj
vj
vj
CE sat
GE(TO)
ies
CES
GES
EGS
off
thJC
thCK
vj max
c op
stg
Loading...