Infineon FS35R12W1T4 Data Sheet

Technische Information / technical information

IGBT-modules

IGBT-Module

FS35R12W1T4

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

Vorläufige Daten / preliminary data

Vorläufige Daten / preliminary dataVorläufige Daten / preliminary data

V†Š» = 1200V

V†Š» = 1200VV†Š» = 1200V I† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70A

I† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70A

I† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70AI† ÒÓÑ = 35A / I†ç¢ = 70A

Typische Anwendungen

Typische Anwendungen Typical Applications

Typische AnwendungenTypische Anwendungen

Klimaanlagen Airconditions

••

Motorantriebe Motor Drives

••

Servoumrichter Servo Drives

••

USV-Systeme UPS Systems

••

Typical Applications

Typical ApplicationsTypical Applications

Elektrische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften Electrical Features

Elektrische EigenschaftenElektrische Eigenschaften

Niedrige Schaltverluste Low Switching Losses

••

Trench IGBT 4 Trench IGBT 4

••

V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient

••

niedriges V†ŠÙÈÚ Low V†ŠÙÈÚ

••

Mechanische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften Mechanical Features

Mechanische EigenschaftenMechanische Eigenschaften

AlèOé Substrat für kleinen thermischen

••

Widerstand Kompaktes Design Compact Design

••

Lötverbindungs Technologie Solder Contact Technology

••

Robuste Montage durch integrierte

••

Befestigungsklammern

Module Label Code

Module Label CodeModule Label Code

Barcode Code 128

Barcode Code 128Barcode Code 128

DMX - Code

DMX - CodeDMX - Code

Electrical Features

Electrical FeaturesElectrical Features

Mechanical Features

Mechanical FeaturesMechanical Features

AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Content of the Code

Content of the Code Digit

Content of the CodeContent of the Code

Module Serial Number 1 - 5 Module Material Number 6 - 11 Production Order Number 12 - 19 Datecode (Production Year) 20 - 21 Datecode (Production Week) 22 - 23

Digit

Digit Digit

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date of publication: 2009-10-30 revision: 2.1

1

material no: 29267 UL approved (E83335)

Technische Information / technical information

IGBT-modules

IGBT-Module

FS35R12W1T4

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage

TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V

T† = 100°C, TÝÎ = 175°C T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

t« = 1 ms I†ç¢ 70 A

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 225 W

V•Š» +/-20 V

Vorläufige Daten preliminary data

I† ÒÓÑ

I†

35 65

A A

Charakteristische Werte / characteristic values

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage

Gateladung gate charge

Interner Gatewiderstand internal gate resistor

Eingangskapazität input capacitance

Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse

Kurzschlussverhalten SC data

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

I† = 35 A, V•Š = 15 V I† = 35 A, V•Š = 15 V I† = 35 A, V•Š = 15 V

I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C V•ŠÚÌ 5,0 5,8 6,5 V

V•Š = -15 V ... +15 V Q• 0,27 µC

TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,0 Â

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 2,00 nF

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,07 nF

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA

I† = 35 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 12 Â

I† = 35 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 12 Â

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH V•Š = ±15 V, di/dt = 1850 A/µs (TÝÎ=150°C) R•ÓÒ = 12 Â

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) R•ÓËË = 12 Â

V•Š ù 15 V, V†† = 800 V V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

pro IGBT / per IGBT RÚÌœ† 0,60 0,66 K/W

pro IGBT / per IGBT р«ИЩЪю = 1 W/(m·K) / рГШюИЩю = 1 W/(m·K)

t« ù 10 µs,

TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C

TÝÎ = 150°C

min. typ. max.

2,25 V

V†Š ÙÈÚ

tÁ ÓÒ

tØ

tÁ ÓËË

tË

EÓÒ

EÓËË

I»†

RÚÌ†™ 0,75 K/W

1,85 2,15 2,25

0,025 0,025 0,025

0,028 0,031 0,032

0,24 0,30

0,315

0,115 0,185 0,205

2,55 3,60 3,90

2,05 3,05 3,35

130

µsµs

mJmJ

mJ

mJmJ

mJ

V V

µs

A

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2

Technische Information / technical information

IGBT-modules

min.

typ.

max.

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

Dauergleichstrom DC forward current

Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current

Grenzlastintegral I²t - value

Charakteristische Werte / characteristic values

Durchlassspannung forward voltage

Rückstromspitze peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung recovered charge

Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1200 V

IŒ 35 A

t« = 1 ms IŒç¢ 70 A

Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C

IŒ = 35 A, V•Š = 0 V IŒ = 35 A, V•Š = 0 V IŒ = 35 A, V•Š = 0 V

IŒ = 35 A, - diŒ/dt = 1850 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V

pro Diode / per diode RÚÌœ† 0,80 0,90 K/W

pro Diode / per diode р«ИЩЪю = 1 W/(m·K) / рГШюИЩю = 1 W/(m·K)

TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C

Vorläufige Daten preliminary data

I²t

VŒ

Iç¢

QØ

EØþÊ

RÚÌ†™ 0,82 K/W

250 220

1,65

1,65 1,65

60,0 66,0 70,0

3,50 5,60 6,40

1,35 2,30 2,60

A²s A²s

2,15 V

AA

µCµC

mJmJ

V V

A

µC

mJ

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Charakteristische Werte / characteristic values

Nennwiderstand rated resistance

Abweichung von Ræåå deviation of Ræåå

Verlustleistung power dissipation

B-Wert B-value

Angaben gemäß gültiger Application Note. Specification according to the valid application note.

T† = 25°C Rèë 5,00 kÂ

T† = 100°C, Ræåå = 493 Â ÆR/R -5 5%

T† = 25°C Pèë 20,0 mW

Rи = Rил exp [Bилхле(1/Tи - 1/(298,15 K))] Bилхле 3375 K

Rи = Rил exp [Bилхое(1/Tи - 1/(298,15 K))] Bилхое 3411 K

Rи = Rил exp [Bилхжее(1/Tи - 1/(298,15 K))] Bилхжее 3433 K

min. typ. max.

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3

Technische Information / technical information

IGBT-modules

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Modul / module

Isolations-Prüfspannung insulation test voltage

Material für innere Isolation material for internal insulation

Kriechstrecke creepage distance

Luftstrecke clearance distance

Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index

Modulinduktivität stray inductance module

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature

Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions

Lagertemperatur storage temperature

Gewicht weight

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Vš»¥¡ 2,5 kV

AlèOé

Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal

CTI > 200

LÙ†Š 25 nH

T† = 25°C, pro Schalter / per switch R††óôŠŠó 4,50 mÂ

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 175 °C

Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ -40 150 °C

TÙÚÃ -40 125 °C

G 24 g

Vorläufige Daten preliminary data

11,5

6,3

10,0

5,0

min. typ. max.

mm

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.

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4

Technische Information / technical information

IGBT-modules

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V†Š)

I† = f (V†Š)

I† = f (V†Š)I† = f (V†Š) V•Š = 15 V

V•Š = 15 V

V•Š = 15 VV•Š = 15 V

Ausgangskennlinienfeld IGBT-W echselr. (typisch)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-W echselr. (typisch)Ausgangskennlinienfeld IGBT-W echselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

output characteristic IGBT-inverter (typical)output characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V†Š)

I† = f (V†Š)

I† = f (V†Š)I† = f (V†Š) TÝÎ = 150°C

TÝÎ = 150°C

TÝÎ = 150°CTÝÎ = 150°C

Vorläufige Daten preliminary data

70

TÝÎ = 25°C

63

56

49

42

35

I† [A]

28

21

14

7

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V•Š)

I† = f (V•Š)

I† = f (V•Š)I† = f (V•Š) V†Š = 20 V

V†Š = 20 V

V†Š = 20 VV†Š = 20 V

70

V•Š = 19V

63

56

49

42

35

I† [A]

28

21

14

7

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V•Š = 17V V•Š = 15V V•Š = 13V V•Š = 11V V•Š = 9V

V†Š [V]

Schaltverluste IGBT-W echselr. (typisch)

Schaltverluste IGBT-W echselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-W echselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical)

switching losses IGBT-inverter (typical)

switching losses IGBT-inverter (typical)switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†) V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 12 Â, R•ÓËË = 12 Â, V†Š = 600 V

70

63

56

49

42

35

I† [A]

28

21

14

7

0

5 6 7 8 9 10 11 12 13

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TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C

V•Š [V]

E [mJ]

date of publication: 2009-10-30 revision: 2.1

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

EÓÒ, TÝÎ = 125°C EÓËË, TÝÎ = 125°C EÓÒ, TÝÎ = 150°C EÓËË, TÝÎ = 150°C

0 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70

I† [A]

5

Technische Information / technical information

IGBT-modules

EÓËË, TÝÎ = 150°C

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Schaltverluste IGBT-W echselr. (typisch)

Schaltverluste IGBT-W echselr. (typisch)Schaltverluste IGBT-W echselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical)

switching losses IGBT-Inverter (typical)

switching losses IGBT-Inverter (typical)switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)

EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•) V•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 VV•Š = ±15 V, I† = 35 A, V†Š = 600 V

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.

Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter

transient thermal impedance IGBT-inverter

transient thermal impedance IGBT-invertertransient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ™ = f (t)

ZÚÌœ™ = f (t)

ZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)

Vorläufige Daten preliminary data

16

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

14

12

10

8

EÓËË, TÝÎ = 125°C EÓÒ, TÝÎ = 150°C

E [mJ]

6

4

2

0

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

R• [Â]

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-W r. (RBSOA)

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-W r. (RBSOA)Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-W r. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)

reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I† = f (V†Š)

I† = f (V†Š)

I† = f (V†Š)I† = f (V†Š) V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°C

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°C

V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°CV•Š = ±15 V, R•ÓËË = 12 Â, TÝÎ = 150°C

10

ZÚÌœ™ : IGBT

1

ZÚÌœ™ [K/W]

0,065

rÍ[K/W]:

τ

0,0005

Í[s]:

0,1

0,001 0,01 0,1 1 10

0,152 0,005

0,529 0,05

3

2

1

i:

t [s]

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)

Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical)

forward characteristic of diode-inverter (typical)

forward characteristic of diode-inverter (typical)forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ)

IŒ = f (VŒ)

IŒ = f (VŒ)IŒ = f (VŒ)

4 0,604 0,2

80

70

60

50

40

I† [A]

30

20

10

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

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I†, Modul I†, Chip

V†Š [V]

IŒ [A]

date of publication: 2009-10-30 revision: 2.1

70

TÝÎ = 25°C

63

56

49

42

35

28

21

14

7

0

0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 2,4 2,8

TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C

VŒ [V]

6

Technische Information / technical information

IGBT-modules

ZÚÌœ™ : Diode

RÚáÔ

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical)

switching losses diode-inverter (typical)

switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ)

EØþÊ = f (IŒ)

EØþÊ = f (IŒ)EØþÊ = f (IŒ) R•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 V

R•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 V

R•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 VR•ÓÒ = 12 Â, V†Š = 600 V

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical)

switching losses diode-inverter (typical)

switching losses diode-inverter (typical)switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R•)

EØþÊ = f (R•)

EØþÊ = f (R•)EØþÊ = f (R•) IŒ = 35 A, V†Š = 600 V

IŒ = 35 A, V†Š = 600 V

IŒ = 35 A, V†Š = 600 VIŒ = 35 A, V†Š = 600 V

Vorläufige Daten preliminary data

5,0

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

4,5

4,0

3,5

3,0

2,5

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

E [mJ]

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0

0 7 14 21 28 35 42 49 56 63 70

IŒ [A]

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter

transient thermal impedance diode-inverter

transient thermal impedance diode-invertertransient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ™ = f (t)

ZÚÌœ™ = f (t)

ZÚÌœ™ = f (t)ZÚÌœ™ = f (t)

3,5

EØþÊ, TÝÎ = 125°C EØþÊ, TÝÎ = 150°C

3,0

2,5

2,0

E [mJ]

1,5

1,0

0,5

0,0

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

R• [Â]

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical)

NTC-temperature characteristic (typical)

NTC-temperature characteristic (typical)NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T)

R = f (T)

R = f (T)R = f (T)

10

1

ZÚÌœ™ [K/W]

0,108

rÍ[K/W]:

τ

0,0005

Í[s]:

0,1

0,001 0,01 0,1 1 10

0,247 0,005

0,665 0,05

3

2

1

i:

t [s]

prepared by: DK approved by: MB

date of publication: 2009-10-30 revision: 2.1

4 0,599 0,2

100000

10000

R[Â]

1000

100

0 20 40 60 80 100 120 140 160

T† [°C]

7

Technische Information / technical information

IGBT-modules

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Schaltplan / circuit diagram

ϑ

Gehäuseabmessungen / package outlines

Vorläufige Daten preliminary data

Infineon

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date of publication: 2009-10-30 revision: 2.1

8

Technische Information / technical information

IGBT-modules

IGBT-Module

FS35R12W1T4

Vorläufige Daten preliminary data

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

prepared by: DK approved by: MB

date of publication: 2009-10-30 revision: 2.1

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Infineon FS35R12W1T4 Data Sheet

Specifications and Main Features

Frequently Asked Questions

User Manual

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Diode-Wechselrichter / diode-inverter

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Modul / module

Schaltplan / circuit diagram

Gehäuseabmessungen / package outlines