Infineon FS35R12KE3G Data Sheet
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
= 25°C
T
vj
T
= 80°CKollektor Dauergleichstrom
c
= 25°CDC collector current
T
c
= 1ms, Tc= 80°C
t
p
= 25°C; Transistor
T
c
= 1ms I
t
p
V
CES
I
C, nom
I
I
CRM
P
V
GES
I
FRM
1200 V
35 A
C
tot
F
55 A
70
200
+
20
35
A
W
V
A
70 A
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
V
= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
R
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
= 35A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
I
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
C
I
= 35A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
C
= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
I
C
= -15V...+15V Q
V
GE
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
V
V
V
I²t
ISOL
CEsat
GE(th)
C
ies
C
res
300 A²s
2,5
min. typ. max.
- 1,7 2,15 V
- 2,0 - V
5,0 5,8
0,33
-
G
-
-
6,5
-
-
kV
V
µC
nF2,5
nF - 0,09
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: Mod-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
V
CE
= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
V
CE
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
1 (8)
I
I
CES
GES
-
-
- 400
DB_FS35R12KE3_G_3.0.xls
mA5 -
nA
2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
I
= 35A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
V
GE
V
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
GE
I
= 35A, VCC= 600V
C
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
V
GE
= 35A, VCC= 600V
I
C
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
V
GE
= 35A, VCC= 600V
I
C
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
V
GE
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
V
GE
IC= 35A, VCC= 600V, Lσ= 70nH
V
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
GE
IC= 35A, VCC= 600V, Lσ= 70nH
V
= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
GE
t
≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C
P
= 900V, V
V
CC
CEmax
= V
CES
- L
σCE
·di/dt
min. typ. max.
t
d,on
- 0,09 - µs
- 0,09 - µs
t
- 0,03 - µs
r
- 0,05 - µs
t
d,off
- 0,42 - µs
- 0,52 - µs
t
- 0,07 - µs
f
- 0,09 - µs
E
on
E
off
I
SC
L
σCE
- 3,5
- 4,8
- mJ
- mJ
- 140 - A
19
-
- nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF= 35A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
= 35A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
I
F
I
= 35A, -diF/dt= 1500A/µs
F
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
= 35A, -diF/dt= 1500A/µs
I
F
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
= 35A, -diF/dt= 1500A/µs
I
F
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
V
R
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
R
CC´/EE´
E
2,5
V
I
RM
- 1,65 2,15 V
F
- 1,65 - V
- 49 -
- 51 -
Q
r
- 3,7 -
- 6,8 -
rec
- 1,4 -
- 2,7 -
- -
mΩ
A
A
µC
µC
mJ
mJ
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DB_FS35R12KE3_G_3.0.xls
2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
Abweichung von R
deviation of R
100
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
100
= 25°C
T
c
= 100°C, R
T
c
T
= 25°C P
c
= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B
R
2
= 493Ω
100
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
pro Modul / per module
λ
= 1W/m*K / λ
Paste
grease
= 1W/m*K
R
25
∆R/R
25
25/50
R
thJC
R
thCK
min. typ. max.
-5
-
-5 - 5
- -
20 mW
- 3375 - K
- - 0,60 K/W
- - 0,95 K/W
-
kΩ
%
K/W- 0,02
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearence distance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Schraube /screw M5
T
T
vj max
vj op
T
stg
--
-40 -
-40 - 125
M3
150
125 °C
Al
2O3
10 mm
7,5 mm
225
- 6
°C
°C
Nm
Gewicht
weight
G
g180
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
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2002-09-03
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