Infineon FS300R12KF4 Data Sheet

Marketing Information
FS 300 R 12 KF4

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG

2,8x0,5

5,5

31,5

U

CX CU

61,5

190

57

13

V

CY CV

3,35

61,5

171

M6

W

CZ CW

4 deep

26,4

5

3x 5=15

GX EX EU GU

+

Cu

Gu

Eu

Cx

Gx

Ex

-

GY EY EV GV

Cv

Gv

Ev

Cy

Gy

Ey

7

GZ EZ EW GW

+

Cw

Gw

Ew

Cz

Gz

Ez

-

external connection

+

to be done

U
V
W

external connection

­to be done

VWK, May 1996

IGBT-Module FS 300 R 12 KF4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=300A, vGE=15V, tvj=25°C v

iC=300A, vGE=15V, tvj=125°C - 3,3 3,9 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=12mA, vCE=vGE, tvj=25°C v
Eingangskapazität input capaci ty fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V C
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C i

vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C - - 50 mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=300A,vCE=600V t

vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=25°C - 0,35 - µs

vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=125°C - 0,45 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=300A,vCE=600V t

vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=25°C - 0,9 - µs

vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=125°C - 1,0 - µs
Fallzei t (induktive Last) fall time (inductive load) iC=300A,vCE=600V t

vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=25°C - 0,10 - µs

vL= ±15V,RG=6,8Ω, tvj=125°C - 0,15 - µs

Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode

Durchlaßspannung forward voltage iF=300A, vGE=0V, tvj=25°C V

iF=300A, vGE=0V, tvj=125°C - 2,1 - V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=300A, -diF/dt=300A/µs I

vRM=600V, vEG=10V, tvj=25°C - 25 - A

vRM=600V, vEG=10V, tvj=125°C - 65 - A
Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=300A, -diF/dt=300A/µs Q

vRM=600V, vEG=10V, tvj=25°C - 4 - µAs

vRM=600V, vEG=10V, tvj=125°C - 20 - µAs

CES

C

CRM

tot

GE

F

FRM

ISOL

CE sat

GE(th)

ies

CES

GES

EGS

on

s

f

F

RM

r

1200 V

300 A
600 A

2000 W

+/- 20 V

300 A
600 A

2,5 kV

min. typ. max.

- 2,7 3,2 V

4,5 5,5 6,5 V

- 22 - nF

- - 5 mA

- - 400 nA

- - 400 nA

- 2,3 2,9 V

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor,DC,pro Modul/per module R

Transistor,DC,pro Zweig/per arm 0,064 °C/W

Diode,DC, pro Modul/per module 0,023 °C/W

Diode,DC, pro Zweig/per arm 0,140 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module R

pro Zweig / per arm typ. 0,036 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature Transistor / transistor t

Diode / diode t
Lagertemperatur storage temperature t

thJC

thCK

vj max

c op

c op

stg

0,011 °C/W

typ. 0,006 °C/W

150 °C

-40...+150 °C

-40...+125 °C

-40...+125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix
Innere Isolation internal insulation Al2O

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque M1 3 Nm

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M6 M2 5...6 Nm
Gewicht weight G ca. 2300 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belongi ng technical notes.

eupec

GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon [phone], Telefax /764-256

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