Infineon FF800R17KF6C-B2 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 17 KF6C B2

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

= 80 °C I

T

C

TC = 25 °C I

= 1 ms, TC = 80°C I

t

P

T

=25°C, Transistor P

C

tp = 1 ms

V

CES

C,nom.

C

CRM

tot

V

GES

I

F

I

FRM

1700 V

800 A

1300 A

1600 A

6,25 kW

+/- 20V V

800 A

1600 A

Grenzlastintegral der Diode

2

I

t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge

Eingangskapazität
input capacitance

Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current

IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V
IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C

IC = 65 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V

V

= -15V ... +15V Q

GE

f = 1MHz,T

f = 1MHz,T

V

CE

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I

VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C

VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I

2

I

t

V

ISOL

min. typ. max.

CE sat

GE(th)

CES

GES

4,5 5,5 6,5 V

G

ies

res

170

kA2s

4kV

2,6 3,1 V
3,1 3,6 V

9,6 µC

52 nF

2,7 nF

0,02 1,5 mA

10 80 mA

400 nA

prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 10.11.2000

approved by: Christoph Lübke: 10.11.2000 revision: serie

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FF800R17KF6C B2

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 17 KF6C B2

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

= 800A, VCE = 900V

I

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten
SC Data

Modulinduktivität
stray inductance module

C

VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C
V

= ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C

GE

I

= 800A, VCE = 900V

C

VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C
V

= ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C

GE

I

= 800A, VCE = 900V

C

VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C
V

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C

GE

I

= 800A, VCE = 900V

C

VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C
V

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C

GE

I

= 800A, VCE = 900V, VGE = 15V

C

RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
IC = 800A, VCE = 900V, VGE = 15V
RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
t

≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

P

≤125°C, VCC=1000V, V

T

Vj

CEmax=VCES -LsCE

·dI/dt

min. typ. max.

t

d,on

t

r

t

d,off

t

f

E

on

E

off

I

SC

L

sCE

0,4 µs
0,4 µs

0,14 µs
0,14 µs

1,1 µs
1,1 µs

0,13 µs
0,14 µs

290 mWs

335 mWs

3200 A

20 nH

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip

pro Zweig / per arm

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode

Durchlaßspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

IF = 800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
IF = 800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
I

= 800A, - diF/dt =6300A/µsec

F

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I

V

R

VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

= 800A, - diF/dt = 6300A/µsec

I

F

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q

V

R

VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

= 800A, - diF/dt = 6300A/µsec

I

F

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E

V

R

VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

CC´+EE´

min. typ. max.

F

RM

r

rec

0,16

mΩ

2,1 2,5 V
2,1 2,5 V

800 A
900 A

170 µAs
310 µAs

80 mWs

170 mWs

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FF800R17KF6C B2

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 17 KF6C B2

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operation temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC 0,034 K/W

pro Modul / per module

λ

= 1 W/m*K / λ

Paste

= 1 W/m*K

grease

min. typ. max.

R

thJC

R

thCK

T

vj

T

op

T

stg

0,008 K/W

-40 125 °C

-40 125 °C

0,02 K/W

150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
internal insulation

Kriechstrecke
creepage distance

Luftstrecke
clearance

CTI
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 - 10 Nm

AlN

15 mm

10 mm

min. 275

M1 5 Nm

G 1050 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.

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FF800R17KF6C B2