Infineon FF800R12KF4 Data Sheet
Marketing Information
FF 800 R 12 KF4
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
M4
31,5
28
2,5 deep
11,85
E1
C1
E1
G1 G2
7
C1 C2
40
53
55,2
130
114
C2
E2
16 18
44
57
M8
E2
2,5 deep
E1
G1
C1
E1
C1
C2
C2
G2
E2
E2
20.03.1998
FF 800 R 12 KF 4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
IC800APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
tp=1 ms
I
CRM
1600
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
tC=25°C, Transistor /transistor
P
5000
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGE± 20VDauergleichstrom
DC forward current
IF800APeriodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp=1ms
I
1600
A
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
V
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
iC=800A, v
=15V, T
=25°C
v
-
2,7
3,2ViC=800A, v
=15V, T
=125°C
-
3,44V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
iC=32mA, v
, Tvj=25°C
v
4,5
5,5
6,5VEingangskapazität
input capacity
fO=1MHz,T
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V
C
-55-nFKollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
vCE=1200V, v
=0V, T
=25°C
i
-16-mAvCE=1200V, v
=0V, T
=125°C
-80-mAGate-Emitter Reststrom
gate leakage current
vCE=0V, vGE=20V, T
=25°C
i
--400nAEmitter-Gate Reststrom
gate leakage current
vCE=0V, vEG=20V, T
=25°C
i
--400nAEinschaltzeit (ohmsche Last)
turn-on time (restistive load)
iC=800A,v
=600V,v
=±15V,R
=1,2ΩtonvLF=15V, T
= 25°C
-
0,7-µs
vLF=15V, T
= 125°C
-
0,8-µs
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
iC=800A,v
=600V,v
=±15V,R
=1,2ΩtsvLF=15V, T
= 25°C
-
0,9-µs
vLF=15V, T
= 125°C
-1-µsFallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
iC=800A,v
=600V,v
=±15V,R
=1,2ΩtfvLF=15V, T
= 25°C
-
0,10-µs
vLF=15V, T
= 125°C
-
0,15-µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
iC = 800 A, v
= 600 V, L
= 70 nH
EonVL = ±15 V, R
= 1,2 Ω, Tvj = 125°C
-
130-mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
iC = 800 A, v
= 600 V, L
= 70 nH
E
VL = ±15 V, R
= 1,2 Ω, Tvj = 125°C
-
120-mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=800A, v
=0V, tvj=25°C
vF-
2,2
2,7ViF=800A, v
=0V, tvj=125°C
-
2,0
2,5VRückstromspitze
peak reverse recovery current
iF=800A, -di
/dt=4kA/µs
IRMvRM=600V, v
= 10V, T
= 25°C
-
250-A
vRM=600V, v
= 10V, T
= 125°C
-
400-A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iF=800A, -di
/dt=4kA/µs
QrvRM=600V, v
= 10V, T
= 25°C
-26-
µAs
vRM=600V, v
= 10V, T
= 125°C
-90-
µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
0,0125
°C/W
Transistor,DC,pro Zweig/per arm
0,025
°C/W
Diode, DC, pro Modul/per module
0,021
°C/W
Diode, DC, pro Zweig/per arm
0,042
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
R
typ. 0,008
°C/W
pro Zweit / per arm
typ. 0,016
°C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
150°CBetriebstemperatur
operating temperature
T
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
-40...+125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
AI2O3Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6 / tolerance ±15%
M13Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4 / tolerance +5% / -10%
M22Nm
terminals M8
8...10
Nm
Gewicht
weight
G
ca. 1500
g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
t
= 10 µs
V
= 750 V
v
= ±15 V
v
= 900 V
R
= R
= 1,2
Ωi ≈ 5000 A
t
= 125°C
i ≈
4000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
= V
- 20nH x |di
/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
FRM
CES
tot
ISOL
GE
GE
CE=vGE
CE
vj
vj
CE
vj
vj
CE
vj
vj
GE
GE
F
EG
EG
F
EG
EG
vj
vj
GE
vj
GE
vj
vj
vj
LF
LF
LF
CE
G
CE
G
G
G
G
S
S
vj
vj
vj
vj
CE sat
GE(th)
ies
CES
GES
EGS
off
thJC
thCK
vj max
c op
stg
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