Infineon FF800R12KE3 Data Sheet
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF800R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Tvj= 25°C
= 80°CKollektor Dauergleichstrom
T
c
T
= 25°CDC collector current
c
t
= 1ms, Tc= 80°C
p
= 25°C; Transistor
T
c
t
= 1ms I
p
vorläufige Daten
preliminary data
V
CES
I
C, nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
I
F
FRM
1200 V
800 A
1200 A
1600
3,9
+/- 20
800
1600
A
kW
V
A
A
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
V
= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
R
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
= 800A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
I
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
C
= 800A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
I
C
= 32mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
I
C
= -15V...+15V; VCE=...V Q
V
GE
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
V
V
V
I²t
ISOL
min. typ. max.
CEsat
GE(th)
C
ies
C
res
- 1,7 2,15 V
- 2 t.b.d. V
5 5,8
-
G
-
-
140 k A²s
2,5
6,5
kV
V
7,7 - µC
nF57 -
nF - 2,7
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
V
= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V
GE
= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C I
V
CE
date of publication: 2002-07-30
revision: 2.0
1 (8)
I
CES
GES
- 5
-
- 400
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
mA -
nA
Technische Information / technical information
j
j
j
j
j
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF800R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulindiktivität
stray inductance module
IC= 800A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
VGE=±15V, R
=3,3W, Tvj=25°C
Gon
=3,3W, Tvj= 125°C
Gon
IC= 800A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
V
=±15V, R
GE
I
= 800A, VCC= 600V
C
VGE=±15V, R
=±15V, R
V
GE
=3,3W, Tvj=25°C
Gon
=3,3W, Tvj= 125°C
Gon
=0,39W, Tvj=25°C
Goff
=0,39W,Tvj= 125°C
Goff
IC= 800A, VCC= 600V
VGE=±15V, R
V
=±15V, R
GE
=0,39W, Tvj=25°C
Goff
=0,39W,Tvj= 125°C
Goff
IC= 800A, VCC= 600V, Ls= 90nH
VGE=±15V, R
=3,3W, Tvj= 125°C
Gon
IC= 800A, VCC= 600V, Ls= 90nH
VGE=±15V, R
£ 10µs, VGE £ 15V, TVj £ 125°C
t
P
V
= 900V, V
CC
=0,39W, Tvj= 125°C
Goff
= V
CEmax
CES
- L
sCE
· çdi/dtç
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
t
d,on
t
t
d,off
t
E
E
off
I
SC
L
sCE
- 0,60 - µs
- 0,66 - µs
- 0,23 - µs
r
- 0,22 - µs
- 0,82 - µs
- 0,96 - µs
- 0,15 - µs
f
- 0,18 - µs
-
on
-
- 3200 - A
- 20
160
125
- mJ
- mJ
- nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF= I
I
I
V
V
I
VR= 600V, VGE= -15V, T
V
I
VR= 600V, VGE= -15V, T
V
, VGE= 0V, Tvj= 25°C
C, nom
= I
, VGE= 0V, Tvj= 125°C
F
C, nom
, -diF/dt= 3600A/µs
F=IC,nom
= 600V, VGE= -15V, T
R
= 600V, VGE= -15V, T
R
, -diF/dt= 3600A/µs
F=IC,nom
= 600V, VGE= -15V, T
R
, -diF/dt= 3600A/µs
F=IC,nom
= 600V, VGE= -15V, T
R
= 25°C
v
= 125°C
v
= 25°C
v
= 125°C
v
= 25°C
v
= 125°C
v
R
CC´/EE´
0,18
V
I
RM
Q
E
rec
- 2,2 2,8 V
F
- 2 - V
260
-
400
-
r
37
-
90
-
-
-
9
24
- -
mW
-
-
-
-
-
-
A
A
µC
µC
mJ
mJ
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF800R12KE3
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm;l
Paste/lgrease
=1W/m*K
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
T
R
R
T
T
thJC
thCK
vj max
vj op
stg
- - 0,016 K/W
- - 0,032 K/W
--
- - 0,064 K/W
- 0,006 - K/W
- 0,012 - K/W
-40 - 125 °C
-40 -
0,032
125
K/W
°C150--
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube / screw M5
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
Al2O
3
32 mm
20 mm
>400
M 4,25
M-
1,7
M
G 1500
-
5,75
2,3 Nm
Nm
Nm8-10
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
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