Technische Information / Technical Information
j
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 33 KF2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage T
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current T
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
2
t - value, Diode
I
T
= 25°C
= -25°C 3300
j
T
= 80°C
C
= 25 °C
C
t
= 1 ms, TC = 80°C I
P
T
=25°C, Transistor P
C
t
= 1 ms I
P
= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
V
R
Datenblatt
data sheet
V
CES
I
C,nom.
I
C
CRM
tot
V
GES
I
F
FRM
2
tA
I
3300
400 A
660 A
800 A
4,8 kW
+/- 20V V
400 A
800 A
55.600
V
2
s
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
T
= 125°C P
j
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) V
PD
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V
= 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
I
C
I
= 40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V
C
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
CE
V
CE
V
CE
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C
vj
= -15V ... + 15V, VCE = 1800V Q
GE
= 3300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
= 3300V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I
RQM
V
ISOL
ISOL
min. typ. max.
CE sat
GE(th)
res
CES
GES
- 3,40 4,25 V
- 4,30 5,00 V
4,2 5,1 6,0 V
-50-nF
ies
- 2,7 - nF
-8-µC
G
- 0,05 4 mA
-2050mA
- - 400 nA
400 kW
6.000 V
2.600 V
prepared by: Jürgen Göttert date of publication : 08.06.99
approved by: Chr. Lübke; 20.07.99 revision: 2
1 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 33 KF2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
= 400 A, VCC = 1800V
I
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Kurzschlußverhalten
SC Data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
V
= ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 125°C
I
= 400 A, VCC = 1800V
C
V
= ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 125°C
I
= 400 A, VCC = 1800V
C
V
= ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 125°C
I
= 400 A, VCC = 1800V
C
V
= ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 25°C t
GE
VGE = ±15V, RG = 3,6 Ω, CGE = 68nF, Tvj = 125°C
I
= 400 A, VCC = 1800V, VGE = 15V
C
R
= 3,6 Ω, CGE = 68 nF, Tvj = 125°C, LS = 60nH E
G
IC = 400 A, VCC = 1800V, VGE = 15V
R
= 3,6 Ω, CGE = 68 nF, Tvj = 125°C, LS = 60nH E
G
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
T
≤125°C, VCC=2500V, V
Vj
CEmax=VCES -LsCE
·dI/dt I
Datenblatt
data sheet
min. typ. max.
d,on
d,off
SC
L
sCE
- 370 - ns
- 350 - ns
- 250 - ns
r
- 270 - ns
- 1550 - ns
- 1700 - ns
- 200 - ns
f
- 200 - ns
- 960 - mWs
on
- 510 - mWs
off
- 2000 - A
- 25 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
T = 25°C
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 400 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
= 400 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
I
F
IF = 400 A, - diF/dt = 1200 A/µsec
V
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
I
= 400 A, - diF/dt = 1200 A/µsec
F
V
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
I
= 400 A, - diF/dt = 1200 A/µsec
F
V
= 1800V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E
R
VR = 1800V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
R
CC’+EE’
- 0,37 - mΩ
min. typ. max.
- 2,80 3,50 V
F
- 2,80 3,50 V
RM
rec
- 330 - A
- 350 - A
- 235 - µAs
r
- 440 - µAs
- 245 - mWs
- 500 - mWs
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Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 33 KF2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC - - 0,051 K/W
pro Modul / per module
λ
= 1 W/m*K / λ
Paste
grease
= 1 W/m*K
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Datenblatt
data sheet
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
T
T
stg
- - 0,026 K/W
- 0,006 - K/W
- - 150 °C
vj
-40 - 125 °C
op
-40 - 125 °C
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
M1 5 Nm
terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 .. 10 Nm
G 1100 g
AlSiC
AlN
32,2 mm
19,1 mm
> 400
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
800
700
600
500
[A]
400
C
I
300
200
100
0
FF 400 R 33 KF2
Datenblatt
data sheet
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
T = 25°C
T = 125°C
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VGE = 15V
[A]
C
I
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)
800
700
600
500
400
300
200
100
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Tvj = 125°C
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
4 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
800
700
600
500
[A]
400
C
I
300
200
100
0
FF 400 R 33 KF2
Datenblatt
data sheet
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)
T = 25°C
T = 125°C
5678910111213
VCE = 20V
[A]
F
I
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
800
700
600
500
400
300
200
100
Tj = 25°C
Tj = 125°C
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VF [V]
5 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
3500
3000
2500
2000
E [mJ]
1500
1000
500
FF 400 R 33 KF2
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E
R
Switching losses (typical)
125°C
Eon
Eoff
Erec
= 3,6 Ω, R
G,on
G,off
Datenblatt
data sheet
= f (IC) , E
off
= 3,6 Ω, CGE = 68 nF, VCE = 1800V, Tj =
= f (IC)
rec
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , E
Switching losses (typical)
4000
3500
3000
2500
2000
E [mJ]
1500
1000
Eon
Eoff
Erec
IC = 400 A , CGE = 68 nF, VCE = 1800V , Tj = 125°C
= f (RG) , E
off
= f (RG)
rec
500
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
RG [Ω]
6 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
= 125°C
IGBT-Module
IGBT-Modules
900
800
700
600
500
400
[A]
C
I
300
200
100
FF 400 R 33 KF2
Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) R
Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) T
IC,Modul
IC,Chip
Datenblatt
data sheet
= 3,6 Ω, CGE = 68 nF
G,off
vj
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) T
= 125°C
vj
safe operation area Diode (SOA)
900
800
700
600
500
400
[A]
R
I
300
200
100
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
VR [V]
7 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 33 KF2
Transienter Wärmewiderstand Z
Transient thermal impedance
0,1
Zth:IGBT
Zth:Diode
Datenblatt
data sheet
= f (t)
thJC
thJC
Z
0,01
[K / W]
0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [sec]
i
ri [K/kW]
τi [sec]
ri [K/kW]
τi [sec]
: IGBT 4,76 12,98 3,86 4,40
: IGBT 0,0068 0,0642 0,3209 2,0212
: Diode 9,34 25,47 7,57 8,63
: Diode 0,0068 0,0642 0,3209 2,0212
1234
8 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FF 400 R 33 KF2
Datenblatt
data sheet
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
9 (9)
Datenblatt FF 400 R 33 KF2
20.07.99
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