Infineon FF400R17KF6-B2 Data Sheet

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 400 R 17 KF6 B2

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

T

= 80 °C I

C

T

= 25 °C I

C

t

= 1 ms, TC = 80°C I

P

T

=25°C, Transistor P

C

t

= 1 ms I

P

vorläufige Daten
preliminary data

V

CES

C,nom.

C

CRM

tot

V

GES

I

F

FRM

+/- 20V V

1700 V

400 A
800 A

800 A

3,7 kW

400 A

800 A

Grenzlastintegral der Diode

2

t - value, Diode

I

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C

V

R

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Gateladung
gate charge

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

Eingangskapazität
input capacitance

Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current

C

I

= 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C

C

V

= -15V ... +15V Q

GE

I

= 30mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V

C

f = 1MHz,T

f = 1MHz,T

V

CE

V

CE

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
= 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C

VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I

V

2

I

t

ISOL

min. typ. max.

CE sat

G

GE(th)

ies

res

CES

GES

- 2,7 3,2 V

- 3,2 - V

- 5 - µC

4,5 5,5 6,5 V

-27-nF

- t.b.d. - nF

- 0,1 1 mA

-10 mA

- - 400 nA

70

kA2s

4kV

prepared by: Oliver Schilling date of publication: 12.11.1998

approved by: M.Hierholzer+B177 revision: 1

1(8)

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 400 R 17 KF6 B2

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

= 400A, VCE = 900V

I

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten
SC Data

Modulinduktivität
stray inductance module

C

= ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C

= 400A, VCE = 900V

I

C

= ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C

= 400A, VCE = 900V

I

C

= ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C

= 400A, VCE = 900V

I

C

= ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 3,6Ω, Tvj = 125°C

= 400A, VCE = 900V, VGE = 15V

I

C

R

= 3,6Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH

G

= 400A, VCE = 900V, VGE = 15V

I

C

R

= 3,6Ω, Tvj = 125°C, LS = 50nH

G

tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
T

Vj

≤

125°C, V

=1000V, V

CC

CEmax=VCES -LsCE

·dI/dt

vorläufige Daten
preliminary data

min. typ. max.

t

d,on

t

r

t

d,off

t

f

E

on

E

off

I

SC

L

sCE

- 0,3 - µs

- 0,3 - µs

- 0,14 - µs

- 0,14 - µs

- 1,1 - µs

- 1,1 - µs

- 0,10 - µs

- 0,11 - µs

- 180 - mWs

- 150 - mWs

- 1600 - A

- 20 - nH

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip

pro Zweig / per arm

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode

I

= 400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V

Durchlaßspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

F

I

= 400A, VGE = 0V, Tvj = 125°C

F

= 400A, - diF/dt =2800A/µsec

I

F

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C I

R

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

= 400A, - diF/dt =2800A/µsec

I

F

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Q

R

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

= 400A, - diF/dt =2800A/µsec

I

F

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C E

R

V

= 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C

R

R

CC´+EE´

- 0,16 -

min. typ. max.

F

RM

r

rec

- 2,2 2,6 V

- 2,05 V

- 240 - A

- 340 - A

- 50 - µAs

- 115 - µAs

- 27 - mWs

- 55 - mWs

Ω

m

2(8)

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IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 400 R 17 KF6 B2

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operation temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Transistor / transistor, DC
Diode/Diode, DC - - 0,068 K/W

pro Modul / per module

λ

= 1 W/m*K /

Paste

λ

= 1 W/m*K

grease

vorläufige Daten
preliminary data

min. typ. max.

R

thJC

R

thCK

T

vj

T

op

T

stg

- - 0,034 K/W

- 0,016 K/W

- - 150 °C

-40 - 125 °C

-40 - 125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
internal insulation

Kriechstrecke
creepage distance

Luftstrecke
clearance

CTI
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

terminals M4 M2 2 Nm
terminals M8 8 - 10 Nm

AlN

15 mm

10 mm

275

M1 5 Nm

G 1050 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.

3(8)

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

900

800

700

600

500

[A]

C

I

400

300

200

100

FF 400 R 17 KF6 B2

Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)

Tj = 25°C
Tj = 125°C

VGE = 15V

vorläufige Daten
preliminary data

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)

900

800

700

600

500

[A]

C

I

400

300

200

VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V

Tvj = 125°C

100

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

4(8)

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

900

800

700

600

500

[A]

C

I

400

300

200

100

FF 400 R 17 KF6 B2

Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)

Tj = 25°C
Tj = 125°C

VCE = 20V

vorläufige Daten
preliminary data

0

5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)

900

800

Tj = 25°C

700

600

500

[A]

F

I

400

300

Tj = 125°C

200

100

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

VF [V]

5(8)

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IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 400 R 17 KF6 B2

Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E
Switching losses (typical)

700

600

500

400

E [mJ]

300

200

100

Eoff
Eon
Erec

R

gon

= f (IC) , E

off

= R

=3,6 Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V

goff

= f (IC)

rec

vorläufige Daten
preliminary data

0

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , E
Switching losses (typical)

600

Eoff

E [mJ]

500

400

300

200

Eon
Erec

IC = 400A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V

IC [A]

= f (RG) , E

off

= f (RG)

rec

100

0

048121620

RG [Ω]

6(8)

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IGBT-Module
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0,1

thJC

Z

0,01

[K / W]

0,001

FF 400 R 17 KF6 B2

vorläufige Daten

Transienter Wärmewiderstand Z
Transient thermal impedance

0,001 0,01 0,1 1 10 100

thJC

t [sec]

= f (t)

preliminary data

Zth:Diode
Zth:IGBT

i

ri [K/kW]

τi [sec]

ri [K/kW]

τi [sec]

: IGBT 3,26 16,08 6,8 7,86
: IGBT 0,003 0,05 0,1 0,95
: Diode 6,7 36,44 12,44 12,42
: Diode 0,003 0,045 0,45 0,75

1234

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)

900

800

700

600

500

[A]

C

I

400

300

200

100

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

IC,Modul
IC,Chip

Rg = 3,6 Ohm, Tvj= 125°C

7 (8)

VCE [V]

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Äußere Abmessungen / external dimensions

FF 400 R 17 KF6 B2

8(8)

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