Infineon FD200R12KE3 Data Sheet

Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FD200R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage

Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

Gesamt Verlustleistung
total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current

T

= 25°C

vj

T

= 80°CKollektor Dauergleichstrom

c

T

= 25°CDC collector current

c

= 1ms, Tc= 80°C

t

p

= 25°C, Transistor

T

c

= 1ms I

t

p

V

CES

I

C, nom

I

I

CRM

P

V

GES

I

FRM

1200 V

200 A

C

tot

F

295 A

400

1040

+/- 20

200

A

W

V

A

400 A

Grenzlastintegral
I²t value

Isolations Prüfspannung
insulation test voltage

= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C

V

R

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

I

= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C

Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage

Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge

Eingangskapazität
input capacitance

Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance

C

= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C

I

C

= 8mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C

I

C

= -15V...+15V Q

V

GE

f= 1MHz, T

f= 1MHz, T

= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

vj

= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

vj

V

V

V

I²t

ISOL

CEsat

GE(th)

C

ies

C

res

7,8 k A²s

2,5

min. typ. max.

- 1,7 2,15 V

- 2,0 - V

5,0 5,8

1,9

-

G

-

-

0,5

6,5

-

-

-

kV

V

µC

nF14

nF

Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Wilhelm Rusche

V

= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V

GE

= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C I

V

CE

date of publication: 2002-10-02

revision: 3.0

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I

GES

CES

- - 5

- 400

-

DB_FD200R12KE3_3.0

2002-10-02

mA

nA

Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FD200R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

= 200A, VCC= 600V

I
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse

Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse

Kurzschlussverhalten
SC data

Modulinduktivität
stray inductance module

C

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C

V

GE

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C

V

GE

I

= 200A, VCC= 600V

C

VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C

V

GE

I

= 200A, VCC= 600V

C

VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C

V

GE

= 200A, VCC= 600V

I

C

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C

V

GE

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C

V

GE

IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH

V

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C

GE

IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH

= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C

V

GE

≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C

t

P

V

= 900V, V

CC

CEmax

= V

CES

- L

σCE

·di/dt

min. typ. max.

t

d,on

- 0,25 - µs

- 0,30 - µs

t

- 0,09 - µs

r

- 0,10 - µs

t

d,off

- 0,55 - µs

- 0,65 - µs

t

- 0,13 - µs

f

- 0,18 - µs

E

on

E

off

I

SC

L

σCE

-

15

- 800 - A

- 20 - nH

- mJ

- mJ - 35

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip

Tc= 25°C

Charakteristische Werte / characteristic values

Inversdiode / free-wheel diode

= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C

I

Durchlassspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

F

= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C

I

F

I

= 200A, -diF/dt= 2000A/µs

F

V

= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

R

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

=200A, -diF/dt= 2000A/µs

I

F

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

V

R

= 200A, -diF/dt= 2000A/µs

I

F

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

V

R

R

CC´/EE´

E

0,7

V

I

RM

- 1,65 2,15 V

F

- 1,65 - V

- 150 -

- 190 -

Q

r

- 20 -

- 36 -

rec

- 9 -

- 17 -

- -

mΩ

A

A

µC

µC

mJ

mJ

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DB_FD200R12KE3_3.0

2002-10-02

Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FD200R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Chopperdiode / chopper diode

= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C

I

Durchlassspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recoverred charge

Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

F

I

= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°C

F

=300A, -diF/dt= 3000A/µs

I

F

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

V

R

=300A, -diF/dt= 3000A/µs

I

F

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

V

R

=300A, -diF/dt= 3000A/µs

I

F

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

V

R

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC

Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Inversdiode / free wheel diode

Chopper Diode / chopper diode

pro Modul / per module

= 1W/m*K / λ

λ

Paste

grease

= 1W/m*K

V

I

RM

Q

E

rec

R

thJC

- 1,65 2,15 V

F

- 1,65 - V

- 210 -

- 270 -

r

- 30 -

- 56 -

- 14 -

- 26 -

- - 0,12 K/W

A

A

µC

µC

mJ

mJ

- - 0,20 K/W

- - 0,15 K/W

R

thCK

- 0,01 -

K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operation temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
internal insulation

CTI
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

Schraube M6 / screw M6

Anschlüsse / terminals M6 2,5 - 5,0

T

vj max

T

T

- - 150

-40 - 125

vj op

-40 - 125

stg

3,0

M

M

G

Al

2O3

425

-

6,0 Nm

340 g

°C

°C

°C

Nm

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.

DB_FD200R12KE3_3.0

2002-10-02

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