Infineon DZ950N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Sperrstrom
reverse current

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

DZ950N

DZ950N

T

= -40°C... T

vj

Tvj = +25°C... T

TC = 100 °C I

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

vj max

vj max

, tP = 10 ms

vj max

, tP = 10 ms

vj max

, iF = 3000 A v

vj max

vj max

vj max

, vR = V

vj max

RRM

V

RRM

V

RSM

I

FRMSM

FAVM

I

FSM

I²t

V

r

i

V

3600 4000

4400VV

3700 4100

4500VV

1500 A

950 A

35.000

29.000AA

6.125.000

4.205.000

F

(TO)

T

R

ISOL

max.

max.

A²s
A²s

1,78 V

0,85 V

0,28 mΩ

100 mA

kV

3,6

kV

3,0

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

prepared by:

C. Drilling date of publication: 06.05.03

approved by: M. Leifeld

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC

pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm

revision: 1

R

R

T

T

T

thJC

thCH

vj max

c op

stg

max.
max.

0,042

0,0405

°C/W
°C/W

max. 0,01 °C/W

160

°C

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Mechanische Eigenschaften

Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

DZ950N

Seite 3
page 3

AlN

Toleranz ±15% M1 6 Nm

Toleranz ±10% M2 18 Nm

G typ. 2750 g

64 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

file-No. E 83336

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther

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N

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Maßbild

Datenblatt / Data sheet

DZ950N

21

DZ

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther

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