Infineon DZ435N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages
Thermische Eigenschaften
Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Sperrstrom reverse current
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
Vorläufige Daten
DZ 435N
Preliminary data
DZ 435N
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
I
TC = 100°C
= 47°C
T
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
vj max
V
vj max
, tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 1200 A
V
r
, vR = V
RRM
RRM
RSM
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
vF
iR
V
T
4000 V
4100 V
max.
0,84 V
(TO)
max.
ISOL
1100 A
14.500
12.000
1.050.000
720.000
1,71 V
435 700A A
A A
A²s A²s
0,6 m
50 mA
kV
3,6
kV
3,0
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
prepared by:
approved by: M. Leifeld
C. Drilling date of publication: 21.12.04
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
T
T
revision: 1
max.
R
thJC
R
thCH
vj max
- 40...+150 °C
c op
- 40...+150 °C
T
stg
0,0780
max.
0,0745
max. 0,02 °C/W
150
°C/W °C/W
°C
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Mechanische Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Vorläufige Daten
DZ 435N
Seite 3
AlN
Toleranz ±15% M1 5 Nm
Toleranz ±10% M2 12 Nm
G typ. 900 g
15 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
Preliminary data
page 3
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Maßbild
Vorläufige Daten
DZ 435N
Preliminary data
21
DZ
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