Infineon DT500N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Maßbild
Maßbild
Maßbild
Module
DT500N
12 3
45 76
TT
12 3
45 76
TT-A
12 3
45
TD
12 3
45
TD-A
12 3
76
DT
BIP AC / 05.08.96 R.Jörke
A 33/94
Seite/page
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TT 500 N
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
RRM
600 800 1000
1200 1400 1600
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-
state voltage
600 800 1000
1200 1400 1600
700 900 1100
1300 1500 1700
I2 t-value
I2 t
1445 . 10
s
1051 . 10
s
critical rate of rise of on-state
current
critical rate of rise of off-state
voltage
max. 1,53
max. 250
max. 2,2
max. 10
max. 0,25
max. 300
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
forward off-state and reverse
currents
=180° sin
thermal resistance, case to
heatsink
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Höchstzulässige Werte Maximum rated values
tvj = -40°C... t
vj max
V
DRM
, V
V
Rückwärts-Stoßspitzenspannung non-repetitive peak voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
tvj = -40°C... t
tvj = +25°C... t
vj max
vj max
tc = 85°C I
tc = 77°C
tvj = 25°C, tp = 10 ms I
tvj = t
, tp = 10 ms
vj max
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = t
, tp = 10 ms
vj max
DIN IEC 747-6
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
TAVM
TSM
(diT/dt)
900 A
500 A
573 A
17 kA
14,5 kA
3A2
3A2
cr
200 A/µs
f = 50 Hz, IGM = 1 A, diG = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
tvj = t
, vD = 0,67 V
vj max
DRM
(dvD/dt)
cr
6.Kennbuchstabe/6th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
tvj = t
tvj = t
tvj = t
tvj = 25 °C, vD = 6 V I
tvj = 25 °C, vD = 6 V V
tvj = t
tvj = t
tvj = t
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 10 Ω
, iT = 1,7 kA v
vj max
vj max
vj max
, vD = 6 V I
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
V
r
V
I
I
T
T
GT
GD
H
L
T(TO)
GT
GD
0,9 V
0,27 mΩ
mA
mA
max. 5 mA
mA
mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Zündverzug gate controlled delay time
tvj = t
vj max
vD = V
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 747-6, tvj = 25°C t
iD, i
gd
R
max. 4 µs
mA
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
tvj = t
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
vj max
, iTM = I
TAVM
DRM
t
q
typ. 250 µs
dvD/dt = 20 V/µs,-diT/dt = 10A/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter O
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3 kV
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction pro Modul/per module, Θ
R
thJC
°C/W
pro Zweig/per arm, Θ =180° sin max. 0,0650 °C/W
to case pro Modul/per module, DC max. 0,0310 °C/W
pro Zweig/per arm, DC max. 0,0620 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
R
t
vj max
t
c op
t
stg
thCK
°C/W
°C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Gehäuse, siehe Seite case, see page 1
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Amplifying Gate amplifying gate
Innere Isolation internal insulation AlN
mounting torque Toleranz/tolerance +/- 15% M1 6 Nm
V
V
V
V
V
terminal connection torque Toleranz/tolerance +5%/-10% M2 12 Nm
Gewicht weight G typ. 1500 g
Kriechstrecke creepage distance 19 mm
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
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