Infineon TD425N, DT425N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage

Module

TT425N

TT425N... TD425N DT425N

TD425N...-A

/dt)

1000
1400

1000
1400

1100
1500

cr

cr

= -40°C... T

T

vj

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

vj max

vj max

vj max

TC = 85°C
T

= 74°C

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

, tP = 10 ms

vj max

DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i

Tvj = T

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

GM

, vD = 0,67 V

vj max

6.Kennbuchstabe / 6

DRM

th

letter F

V

DRM,VRRM

V

DSM

V

RSM

I

TRMSM

I

TAVM

I

TSM

I²t

/dt)

(di

T

(dv

D

1200
1600
1800

1200
1600
1800

1300
1700
1900

800 A

425
510AA

14500
12500AA

1051000

781000

120 A/µs

1000 V/µs

V
V
V

V
V
V

V
V
V

A²s
A²s

1)

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Zündstrom
gate trigger current

Zündspannung
gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage

Haltestrom
holding current

Einraststrom
latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current

Zündverzug
gate controlled delay time

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

, iT = 1500 A v

vj max

vj max

vj max

Tvj = 25°C, vD = 6 V I

Tvj = 25°C, vD = 6 V V

Tvj = T
T

vj

Tvj = T

= T

, vD = 6 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

, vD = 0,5 V

vj max

DRM

DRM

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω I

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
i

= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

GM

Tvj = T

vj max

vD = V

DRM

, vR = V

RRM

DIN IEC 747-6
T

= 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

vj

V

r

T

GT

I

GD

V

H

I

L

iD, i

t

gd

T

(TO)

GT

GD

max.

1,5 V

0,9 V

0,3 mΩ

max.

max.

max.
max.

250 mA

1,5 V

105mA

mA

max. 0,2 V

max. 300 mA

max. 1500 mA

R

max. 80 mA

max. 4 µs

1) 1800V auf Anfrage/ 1800V on request

prepared by:

C.Drilling date of publication: 19.12.02

approved by: J. Novotny

BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther

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revision: 1

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Thermische Eigenschaften

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Module

TT425N

T

= T

vj max

, iTM = I

TAVM

DRM

th

letter O

vj

vRM = 100 V, vDM = 0,67 V
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

5.Kennbuchstabe / 5

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm

t

V

R

R

T

T

T

q

thJC

thCH

vj max

c op

stg

ISOL

typ. 250 µs

3,0
3,6

max.

0,0390

max.

0,0780

max.

0,0373

max.

0,0745

max.
max.

0,01
0,02

125

-40...+125 °C

-40...+130 °C

kV
kV

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Mechanische Eigenschaften

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Steueranschlüsse
control terminals

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

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AlN

Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm

Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm

DIN 46 244 A 2,8 x 0,8

G typ. 1500 g

19 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

file-No. E 83336

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

Maßbild

Maßbild

Maßbild

Module

TT425N

12 3

45 76

TT

12 3

45

TD

12 3

45

TD-A

12 3

76

DT

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N

S

=

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor

R,T – Werte
Di

R,T-Werte

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,00194 0,00584 0,01465 0,0254 0,0267

thn

τn [s] 0,000732 0,00824 0,108 0,57 3

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytische Funktion / Analytical function:

Module

Analytical elements of transient thermal impedance Z

TT425N

=

thJC

n

max

S

n=1

für DC

thJC

for DC

thnthJC

– t

t

n

- e1RZ

Luftselbstkühlung / Natural cooling

1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink

Kühlkörper / Heatsink type: KM 17 (120W)

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,00944 0,0576 0,568

thn

τn [s] 2,61 28,1 1300

Verstärkte Kühlung / Forced cooling

1 Modul pro Kühlkörper / 1 module per heatsink

Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

Pos. n1234567

R

[°C/W] 0,0064 0,0566 0,168

thn

τn [s] 4,1 24,7 395

thCA

thCA

thCA

thCA

Analytische Funktion / Analytical function:

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n

max

n=1

thnthCA

– t

t

n

- e1RZ

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