Infineon TD104N, DT104N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
TT104N
TT104N TT104N..K..-K
TD104N TD104N..K..-A
DT104N
= -40°C... T
T
vj
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
TC = 85°C I
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, i
= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
GM
Tvj = T
6.Kennbuchstabe / 6
, tP = 10 ms
vj max
, tP = 10 ms
vj max
, vD = 0,67 V
vj max
vj max
vj max
vj max
DRM
th
letter F
V
DRM,VRRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
TAVM
I
TSM
I²t
/dt)
(di
T
/dt)
(dv
D
1200 1400 V
1200 1400 V
1300 1500 V
cr
cr
160 A
104 A
2050 1800AA
21000 16200
150 A/µs
1000 V/µs
A²s A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Haltestrom holding current
Einraststrom latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Zündverzug gate controlled delay time
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, iT = 300 A v
vj max
vj max
vj max
Tvj = 25°C, vD = 6 V I
Tvj = 25°C, vD = 6 V V
Tvj = T T
vj
Tvj = T
= T
, vD = 6 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
, vD = 0,5 V
vj max
DRM
DRM
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 I
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK 10 i
= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
GM
t
= 20 µs
g
Tvj = T
vj max
vD = V
DIN IEC 747-6 T i
GM
, vR = V
DRM
RRM
= 25 °C,
vj
= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
V
r
T
GT
I
GD
V
H
I
L
iD, i
t
gd
T
(TO)
GT
GD
max.
1,62 V
0,85 V
2,15 m
max.
max.
max. max.
120 mA
1,4 V
5,0 2,5mAmA
max. 0,2 V
max. 200 mA
max. 620 mA
R
max. 25 mA
max. 3 µs
prepared by:
C.Drilling date of publication: 09.07.02
approved by: J. Novotny
BIP AC / 09.07.02; Drilling
A1/02
revision: 3
1/12
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
TT104N
T
= T
vj max
, iTM = I
TAVM
DRM
th
letter O
vj
vRM = 100 V, vDM = 0,67 V dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module pro Zweig / per arm
t
V
R
R
T
T
T
q
thJC
thCH
vj max
c op
stg
ISOL
typ. 150 µs
2,5 3,0
max. max. max. max.
max. max.
0,185 0,370 0,175 0,350
0,05 0,10
140
-40...+140 °C
-40...+140 °C
kV kV
°C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Steueranschlüsse control terminals
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Seite 3 page 3
AlN
Toleranz / Tolerance ± 15% M1 4 Nm
Toleranz / Tolerance ± 10% M2 4 Nm
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
G typ. 160 g
12,5 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AC / 09.07.02; Drilling
A1/02
2/12
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Maßbild
Maßbild
Maßbild
TT104N
12 3
45
76
TT
12 3
76
45
TT-K
12 3
45
TD
12 3
45
TD-A
12 3
76
DT
BIP AC / 09.07.02; Drilling
A1/02
3/12
N
S
=
Datenblatt / Data sheet
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
R,TWerte Di
R,T-Werte
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,005 0,0195 0,0518 0,128 0,146
thn
τn [s] 0,00004 0,00223 0,022 0,235 1,24
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Analytische Funktion / Analytical function:
TT104N
für DC
thJC
for DC
thJC
n
max
=
n=1
S
thnthJC
– t
t
n
- e1RZ
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM14
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,007 0,141 0,119 2,133
thn
τn [s] 0,701 4,72 42,5 910
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM14
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n1234567
R
[°C/W] 0,007 0,141 0,119 0,583
thn
τn [s] 0,701 4,72 42,5 249
(50W)
thCA
thCA
(Papst 4650N)
thCA
thCA
Analytische Funktion / Analytical function:
BIP AC / 09.07.02; Drilling
A1/02
n
max
n=1
thnthCA
– t
t
n
- e1RZ
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