Infineon DDB6U85N16L Data Sheet

Technische Information / Technical Information

s

s

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 85 N 16 (ISOPACK) NB6

Elektrische Eigenschaften / Electrical propertie

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom
output current

Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current

Grenzlastintegral
I²t-value

Tvj = - 40°C...T

Tvj = + 25°C...T

TC = 100°C
TC = 84°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

vj max

vj max

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

V

RRM

V

RSM

I

FRMSM

I

d

1600 V

1700 V

60 A

85 A

104 A

58 A

75 A
104 A
104 A

I

FSM

650 A
550 A

I²t 2100 A²s

1500 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung
forward voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
forward slope resistance

Sperrstrom
reverse current

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal propertie

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec

pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC

pro Modul / per module
pro Element / per chip

, iF = 100A

vj max

vj max

vj max

vj max, vR = VRRM

v

V

r

i

V

R

R

T

T

T

F

(TO)

T

R

ISOL

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max. 1,44 V

0,75 V

5,5

mΩ

max. 5 mA

3,0 kV
3,6 kV

max. 0,241 °C/W
max. 1,450 °C/W
max. 0,183 °C/W
max. 1,100 °C/W

max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W

150 °C

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

BIP PPE4 rev. 2 24. Okt 05 A07 /05 Seite/page 1(6)

Technische Information / Technical Information

s

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 85 N 16 (ISOPACK)

NB6

Mechanische Eigenschaften / Mechanical propertie

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3

case, see appendix page 3

Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert

Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

typ.

Al

2O3

220 g

50 m/s²

Innere Isolation

internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque

Gewicht G

weight

Kriechstrecke 12,5 mm

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration resistance

Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33

Toleranz / tolerance ±15%

Toleranz / tolerance +5% / -10%

f = 50Hz

M1 6 Nm

M2 4 Nm

BIP PPE4 rev. 2 24. Okt 05 Seite/page 2(6)

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

DD B6U 85 N 16 (ISOPACK)

für DC

thJC

for DC

thJC

Pos. n 1234567

[]

RCW

thn

° /

0,60300 0,35000 0,06700 0,08400

NB6

[]

τ

s

n

Analytische Funktion Z R e

0,30200 0,03780 0,00400 0,00109



max



1



=

1

n



:

n

=−

∑

thJC thn

t



−
τ

n





BIP PPE4 rev. 2 24. Okt 05 Seite/page 4(6)