Infineon DDB6U85N12L Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) NB6

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

repetitive peak reverse voltage 1600, 1800 V

Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom

output current

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current
Grenzlastintegral

I²t-value

TC = 100°C

TC = 84°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)

Tvj = 25°C, tS = 10ms

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

Tvj = 25°C, tS = 10ms

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

V

RRM

V

RSM

I

FRMSM

I

d

1200, 1400 V

1300, 1500 V

60 A

85 A

104 A

58 A

75 A
104 A
104 A

I

FSM

650 A
550 A

I²t 2100 A²s

1500 A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung

forward voltage
Schleusenspannung

threshold voltage
Ersatzwiderstand

forward slope resistance
Sperrstrom

reverse current
Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Tvj = T

, iF = 100A

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max, vR = VRRM

RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec

pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC

pro Modul / per module R
pro Element / per chip

v

V

r

i

R

T

T

T

F

(TO)

T

R

ISOL

vj max

c op

stg

thJC

thCK

max. 1,44 V

0,75 V

Ω

5,5 m

max. 5 mA

3,0 kV
3,6 kV

max. 0,241 °C/W
max. 1,450 °C/W

max. 0,183 °C/W
max. 1,100 °C/W

max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W

150 °C

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(6)

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 85 N 12...18 (ISOPACK) NB6

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3

Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

typ.

Al

2O3

220 g

50 m/s²

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht G
weight

Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33

Toleranz / tolerance ±15%

Toleranz / tolerance +5% / -10%

f = 50Hz

M1 6 Nm

M2 4 Nm

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung

mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 2(6)