Infineon DDB6U84N16RR Data Sheet
Technische Information / Technical Information
T
j
x
j
j
x
j
j
x
j
x
j
x
(TO)
j
x
j
M
j
E
j
E
j
E
)
Dioden-Modul mit Chopper-IGB
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 84 N 12...16 RR
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Netz-Diode / Rectifier diode
T
Periodische Spitzensperrspannung
= - 40°C...T
v
vj ma
repetitive peak reverse voltage 1600
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom T
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
= 100°C I
C
TC = 84°C 104 A
T
= 25°C, tS = 10ms I
v
T
= T
, tp = 10ms 550 A
v
vj ma
T
= 25°C, tS = 10ms I²t 2100 A²s
v
T
= T
, tp = 10ms 1500 A²s
v
vj ma
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom I
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom t
= 1ms I
p
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung T
= 25°C P
C
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Dauergleichstrom I
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom t
= 1ms I
p
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min V
insulation test voltage
V
RRM
FRMSM
d
FSM
CES
C
CRM
tot
GE
F
FRM
ISOL
1200, 1400 V
60 A
85 A
650 A
1200 V
50 A
100 A
350 W
± 20 V
25 A
50 A
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Netz-Diode / Rectifier diode min. typ. max.
Durchlaßspannung
, iF = 100A v
v
vj ma
F
1,55 V
T
= T
forward voltage
Schleusenspannung T
v
= T
vj ma
V
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand T
v
= T
vj ma
r
T
5,5 m
Ω
forward slope resistance
Sperrstrom T
v
= T
vj max, vR = VRR
i
R
5mA
reverse current
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
= 25°C, iC = 50A, v
v
T
= 125°C, iC = 50A, v
v
T
= 25°C, iC = 2mA, v
v
= 20V v
G
= 20V 3,1
G
= v
G
CE
CE sat
v
GE(TO
4,5 5,5 6,5 V
2,5 3,2 V
T
gate-emitter threshold voltage
SDB-MA2; R. Jörke 22. Jan 99 A 104/97 Seite/page 1(3)
Technische Information / Technical Information
T
j
E
j
E
j
E
j
E
j
j
j
j
j
K
x
g
Dioden-Modul mit Chopper-IGB
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 84 N 12...16 RR
Vorläufige Daten
Preliminary data
IGBT min. typ. max.
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom T
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
= 25°C, f0 = 1MHz, C
v
vCE = 25V, v
= 25°C, vCE = 1200V, v
v
T
= 125°C, vCE = 1200V, v
v
T
= 25°C, vCE = 0V, v
v
G
= 0V
G
= 0V i
G
= 0V 4,0
G
= 20V i
ies
CES
GES
3,3 nF
0,8 1 mA
500 nA
T
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom T
= 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V i
v
EGS
500 nA
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
T
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrverzögerungsladung
recovered charge T
= 25°C, iF = 25A v
v
T
= 125°C, iF = 25A 1,8
v
iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V Q
= 25°C 2,3 µAs
v
T
= 125°C 6,0 µAs
v
F
r
2,3 2,9 V
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode, Θ = 120°rect R
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / Transistor, DC max. 0,38 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 °C/W
Netz-Diode / Rectifier diode R
Transistor / Transistor max. 0,24 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
thJC
thC
vj ma
c op
st
max. 1,45 °C/W
max. 0,25 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Innere Isolation Al2O
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 185 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Kühlkörper / heatsinks :
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
SDB-MA2; R. Jörke 22. Jan 99 Seite/page 2(3)
3
Loading...