Infineon DDB6U215N12L Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) NB6

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max

repetitive peak reverse voltage 1600, 1800 V

Stoßspitzensperrspannung

Tvj = + 25°C...T

vj max

non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom

output current

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current
Grenzlastintegral

I²t-value

TC = 110°C

TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)

Tvj = 25°C, tS = 10ms

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

Tvj = 25°C, tS = 10ms

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

Charakteristische Werte / Characteristic values

Tvj = T

Durchlaßspannung

vj max

, iF = 300A

forward voltage
Schleusenspannung

Tvj = T

vj max

threshold voltage
Ersatzwiderstand

Tvj = T

vj max

forward slope resistance
Sperrstrom

Tvj = T

vj max, vR = VRRM

reverse current
Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec

V

RRM

V

RSM

I

FRMSM

I

d

1200, 1400 V

1300, 1500 V

125 A

215 A

93 A
127 A
215 A
215 A

I

FSM

2200 A
1950 A

I²t 24200 A²s

19000 A²s

v

F

V

(TO)

r

T

i

R

ISOL

max. 1,61 V

0,75 V

1,6 m

max. 10 mA

3,0 kV
3,6 kV

Ω

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC

pro Modul / per module R
pro Element / per chip

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 A /99 Seite/page 1(7)

R

T

T

T

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max. 0,082 °C/W
max. 0,490 °C/W

max. 0,065 °C/W
max. 0,390 °C/W

max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W

150 °C

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK) NB6

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3

Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated

typ.

Al

2O3

300 g

50 m/s²

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht G
weight

Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33

Toleranz / tolerance ±15%

Toleranz / tolerance +5% / -10%

f = 50Hz

M1 6 Nm

M2 6 Nm

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung

mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Technische Information / Technical Information

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)

NB6

MOD-E1; R. Jörke

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