Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
repetitive peak reverse voltage 1600, 1800 V
Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
TC = 100°C
TC = 99°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tS = 10ms
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
Tvj = 25°C, tS = 10ms
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
d
1200, 1400 V
1300, 1500 V
120 A
205 A
208 A
80 A
113 A
190 A
208 A
I
FSM
1600 A
1375 A
I²t 12800 A²s
9450 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj = T
, iF = 200A
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max, vR = VRRM
RMS, f = 50Hz, t = 1min V
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
pro Modul / per module R
pro Element / per chip
v
V
r
i
R
T
T
T
F
(TO)
T
R
ISOL
vj max
c op
stg
thJC
thCK
max. 1,47 V
0,75 V
Ω
2,2 m
max. 10 mA
3,0 kV
3,6 kV
max. 0,098 °C/W
max. 0,590 °C/W
max. 0,078 °C/W
max. 0,470 °C/W
max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
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Technische Information / Technical Information
l
Netz-Dioden-Modu
Rectifier Diode Module
DD B6U 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation Al2O
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 4 Nm
terminal connection torque
Gewicht G typ. 220 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm
3
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 205 N 12...18 (ISOPACK)
NB6
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
DD B6U 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6
für DC
thJC
for DC
thJC
Pos. n 1234567
[]
RCW
thn
° /
0,18100 0,25100 0,03520
[]
τns
Analytische Funktion Z R e
0,31800 0,03870 0,00109
n
max
:
=−
∑
thJC thn
=
1
n
1
t
−
τ
n
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
0,70
0,60
0,50
DD B6U 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6
120° rect
DC
[°C/W]
thJC
Z
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 5(6)
thJC
= f(t)
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
160
150
140
130
120
DD B6U 205 N 12...18 (ISOPACK) NB6
[°C]
T
C
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
[A]
I
d
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id)
MOD-E1; R. Jörke 09. Feb 99 Seite/page 6(6)
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