Infineon DDB6U145N16 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
s
s
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 145 N 16 (ISOPACK) NB6
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertie
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = - 40°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC = 100°C
TC = 84°C
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
vj max
vj max
vj max
vj max
, tp = 10ms
, tp = 10ms
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
d
1600 V
1700 V
100 A
145 A
173 A
71 A
97 A
153 A
173 A
I
FSM
1200 A
1000 A
I²t 7200 A²s
5000 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal propertie
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
pro Modul / per module
pro Element / per chip
, iF = 150A
vj max
vj max
vj max
vj max, vR = VRRM
v
V
r
i
V
R
R
T
T
T
F
(TO)
T
R
ISOL
thJC
thCK
vj max
c op
stg
max. 1,43 V
0,75 V
3,1
mΩ
max. 5 mA
3,0 kV
3,6 kV
max. 0,148 °C/W
max. 0,890 °C/W
max. 0,167 °C/W
max. 0,700 °C/W
max. 0,033 °C/W
max. 0,200 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
BIP PPE 4 rev. 2 24. Okt 05 A 08/05 Seite/page 1(6)
Technische Information / Technical Information
s
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 145 N 16 (ISOPACK) NB6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical propertie
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
typ.
Al
2O3
220 g
50 m/s²
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht G
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Toleranz / tolerance ±15%
Toleranz / tolerance +5% / -10%
f = 50Hz
M1 6 Nm
M2 4 Nm
BIP PPE 4 rev. 2 24. Okt 05 Seite/page 2(6)
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD B6U 145 N 16 (ISOPACK)
NB6
BIP PPE 4 rev. 2 24. Okt 05 Seite/page 3(6)
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