Infineon DDB6U144N16R Data Sheet
Marketing Information
DD B6U 144 N 10...16..R
(ECONO)
80
104,8
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
R 1-4
S 5-8
T 9-12
80
70,4
60,96
15,24 5,5
N- N-P+ P+
R S T
3,81
11,43
57,15
±0,2
93
max. 107,5
P+ 13
P+ 16
N- 14
N- 17
VWK Sep. 1996
DD B6U 144 N 10...16 ..R (ECONO)
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
V
1000, 1200
V
repetitive peak reverse voltage
1400, 1600
V
Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
V
1100, 1300
V
non-repetitive peak reverse voltage
1500, 1700
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
100
A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
TC = 100°C
Id145
A
output current
173
A
71
A
97
A
153
A
173
A
Stoßstrom-Grenzwert
Tvj = 25°C, t
= 10ms
I
1200
A
surge forward current
vj max
1000
A
Grenzlastintegral
I²t
7200
A²s
I²t-value
vj max
5000
A²s
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = T
, iF = 150A
vFmax.
1,65
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = T
V
0,75
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Tvj = T
rT3,1mSperrstrom
reverse current
Tvj = T
iRmax.5mA
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
2,5kVinsulation test voltage
3,0
kV
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per module,
= 120°rect
R
max.
0,148
°C/W
thermal resistance, junction to case
max.
0,890
°C/W
max.
0,167
°C/W
max.
0,700
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
pro Modul / per module
R
max.
0,033
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
max.
0,200
°C/W
Höchstzul. Sperrschichttemp.
max. junction temperature
T
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
- 40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
- 40...+150
°C
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
typ.
eupec
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
vj max
RRM
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
vj max
TC = 84°C
TA = 45°C, KP 0,5 S
TA = 45°C, KP 0,33 S
TA = 35°C, KP 0,41 S (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KP 0,33 S (VL = 90l/s)
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
pro Element / per chip, = 120°rect
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
pro Element / per chip
p
, tp = 10ms
, tp = 10ms
vj max
vj max
vj max
vj max, vR = VRRM
RSM
FRMSM
FSM
(TO)
ISOL
thJC
thCK
vj max
c op
stg
Innere Isolation internal insulation
Al2O
3
Drehmom.f.mech. Befest. mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm
Drehmom. f. el. Anschlüsse terminal connection torque G
185 g
Gewicht weight 12,5 mm
Kriechstrecke creepage distance f = 50Hz 50 m/s²
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s²
Kühlkörper / heatsinks :
GmbH + Co. KG; Max-Planck-Str. 5; D-59581 Warstein; Tel: +49 2902 764-0; Fax: ...-252
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