Infineon DDB6U134N16RR Data Sheet

T e c h n i s c h e I n f o r m a t i o n / T e c h n i c a l I n f o r m a t i o n

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Dioden-Modul mit C h o p p e r - I G B T

Diode Module with Chopper-IG B T

D D B 6 U 1 3 4 N 1 6 R R N B6

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Gleichrichterdiode / Rectifierdiode

Periodische Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max V

repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I

RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom

TC = 100°C

output current
Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current
Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

, tp = 1 0m s

vj max

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

, tp = 1 0m s

vj max

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

TC = 80°C

DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

tp = 1 m s , TC = 80°C

repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung

TC = 25°C

total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V

gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Periodische Spitzensperrspannung V
repetitive peak reverse voltage

Dauergleichstrom

TC = 80°C

DC forward current
Periodischer Spitzenstrom

tp = 1 m s

repetitive peak forward current

M o d u l

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

RMS, f = 50Hz, t = 1min
NT C conn ected to bas eplat e

RRM

FRMSM

I

d

I

FSM

1600 V

80 A

134 A

650 A
550 A

I²t 2100 A²s

1500 A²s

1200 V

70 A

150 A

500 W

± 20 V

1200 V

35 A

70 A

2,5 k V

I

C

I

CRM

P

I

F

I

FRM

V

CES

tot

GE

RRM

ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max.
Durchlaßspannung

forward voltage
Schleusenspannung

threshold voltage
Ersatzwiderstand

forward slope resistance
Sperrstrom

reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip

lead resistance, terminals-chip

prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber revision: 1

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 34/00 Seite/page 1(12)

Tvj = T

, iF = 1 0 0 A

vj max

Tvj = T

vj max V

Tvj = T

vj max r

Tvj = T

TC = 25°C

V

vj max, vR =

RRM i

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v

F

(TO)

T

R

R

AA`+ K K`

1,35 V

0,75 V

6,3 mΩ

5 mA

1 mΩ

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 134 N 16 RR N B6

Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung

Tvj = 25°C, iC = 70A, vGE = 15V v
Tvj = 125°C, iC = 70A, vGE = 15V

Tvj = 25°C, iC = 3mA, vGE = v

CE

CE sat

v

GE(TO)

2,05 2,75 V
2,40

4,5 5,5 6,5 V

gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität

input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom

Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, C
vCE = 25V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V i
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V i

ies

CES

GES

5,1 nF

10 500 µA

500

400 nA

gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V i

EGS

400 nA

gate-leakage current

Schnelle Diode / Fast diode

Durchlaßspannung
forward voltage

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Tvj = 25°C, iF = 35A v
Tvj = 125°C, iF = 35A

iFM = 35A, -di/dt = 900A/µs, vR = 600V Q
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

F

1,85 2,40 V
1,75

r

3,6 µAs
7,6 µAs

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC

Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode

R

R

T

T

T

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max. 0,7 0 °C/W
max. 0,2 5 °C/W
max. 0,8 0 °C/W

max. 0,2 5 °C/W
max. 0,1 6 °C/W
max. 0,2 4 °C/W

150 °C

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12)

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Technische Information / Technical Information

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Temperatursensor / Temperature sensor

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see appendix page 4

Innere Isolation
internal insulation

CTI 225 V
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque

Gewicht G typ. 185 g
weight

Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Nennwiderstand
rated resistance

Verlustleistung
power dissipation

B-Wert
B-value

Kühlkörper / heatsinks :

DD B6U 134 N 16 RR N B6

Al2O

3

Toleranz / tolerance ±15%

f = 50Hz

TC = 25°C R
R

= 493Ω ± 5 %

100

TC = 25°C P

R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B

M 1 4 Nm

50 m/s²

5

25

25

25/50

max. 20 mW

kΩ

3375 K

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

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Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 134 N 16 RR N B6

BIP AM; R. Jörke

19. Dez 00

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