Infineon DDB6U104N16RR Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 104 N 16 RR N B6

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Gleichrichterdiode / Rectifierdiode

Periodische Spitzensperrspannung

Tvj = - 40°C...T

vj max V

repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I

RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom

TC = 100°C

output current
Stoßstrom-Grenzwert T

surge forward current
Grenzlastintegral T

I²t-value

= 25°C, tp = 10ms I

vj

Tvj = T

Tvj = T

, tp = 10ms

vj max

= 25°C, tp = 10ms I²t 2100 A²s

vj

, tp = 10ms

vj max

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

TC = 80°C

DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

tp = 1ms

repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung

TC = 25°C

total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V

gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Periodische Spitzensperrspannung V
repetitive peak reverse voltage

Dauergleichstrom

TC = 80°C

DC forward current
Periodischer Spitzenstrom

tp = 1ms

repetitive peak forward current

Modul

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

RMS, f = 50Hz, t = 1min
NTC connected to baseplate

RRM

FRMSM

I

d

FSM

CES

I

C

I

CRM

P

tot

GE

RRM

I

F

I

FRM

V

ISOL

1600 V

60 A

105 A

650 A
550 A

1500 A²s

1200 V

50 A

100 A

350 W

± 20 V

1200 V

25 A

50 A

2,5 kV

Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max.
Durchlaßspannung

forward voltage
Schleusenspannung

threshold voltage
Ersatzwiderstand

forward slope resistance
Sperrstrom

reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip

lead resistance, terminals-chip

prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber revision: 1

BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 A 33/00 Seite/page 1(12)

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

TC = 25°C

, iF = 100A

vj max

vj max V

vj max r

V

vj max, vR =

RRM i

v

F

(TO)

T

R

R

AA`+KK`

1,30 V

0,75 V

5,5 mΩ

5 mA

1 mΩ

Technische Information / Technical Information

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 104 N 16 RR N B6

Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung

Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 15V
Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 15V

Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v

CE v

v

CE sat

GE(TO)

2,10 2,80 V

2,5

4,5 5,5 6,5 V

gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität

input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom

Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
vCE = 25V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V

C

i

CES

i

GES

ies

3,3 nF

0,8 1 mA
4,0

gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V

i

EGS

gate-leakage current

Schnelle Diode / Fast diode

Durchlaßspannung
forward voltage

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Tvj = 25°C, iF = 25A
Tvj = 125°C, iF = 25A

iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

v

F

1,7 2,20 V
1,6

Q

r

2,3 µAs
6,0 µAs

500 nA

500 nA

Innerer Wärmewiderstand

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC

Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature

Betriebstemperatur T
operating temperature

Lagertemperatur T
storage temperature

R

R

thJC

thCK

vj max

c op

stg

max. 1,08 °C/W
max. 0,38 °C/W
max. 1,00 °C/W

max. 0,25 °C/W
max. 0,24 °C/W
max. 0,30 °C/W

150 °C

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 2(12)

Technische Information / Technical Information

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Temperatursensor / Temperature sensor

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 104 N 16 RR N B6

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see appendix page 4

Innere Isolation Al2O

3

internal insulation
CTI 225 V

comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

Toleranz / tolerance ±15%

M1 4 Nm

mounting torque
Gewicht G typ. 185 g

weight
Kriechstrecke 12,5 mm

creepage distance
Schwingfestigkeit

f = 50Hz

50 m/s²

vibration resistance

Nennwiderstand
rated resistance

Verlustleistung
power dissipation

B-Wert
B-value

TC = 25°C
R

= 493Ω ± 5%

100

TC = 25°C

R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)]

R

P

B

25

25

25/50

5 kΩ

max. 20 mW

3375 K

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 3(12)

Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 104 N 16 RR N B6

BIP AM; R. Jörke

14. Dez 00

Seite/page 4(12)