Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max V
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
TC = 100°C
output current
Stoßstrom-Grenzwert T
surge forward current
Grenzlastintegral T
I²t-value
= 25°C, tp = 10ms I
vj
Tvj = T
Tvj = T
, tp = 10ms
vj max
= 25°C, tp = 10ms I²t 2100 A²s
vj
, tp = 10ms
vj max
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 80°C
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
tp = 1ms
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
TC = 80°C
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tp = 1ms
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
NTC connected to baseplate
RRM
FRMSM
I
d
FSM
CES
I
C
I
CRM
P
tot
GE
RRM
I
F
I
FRM
V
ISOL
1600 V
60 A
105 A
650 A
550 A
1500 A²s
1200 V
50 A
100 A
350 W
± 20 V
1200 V
25 A
50 A
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max.
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber revision: 1
BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 A 33/00 Seite/page 1(12)
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
TC = 25°C
, iF = 100A
vj max
vj max V
vj max r
V
vj max, vR =
RRM i
v
F
(TO)
T
R
R
AA`+KK`
1,30 V
0,75 V
5,5 mΩ
5 mA
1 mΩ
Technische Information / Technical Information
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 15V
Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 15V
Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v
CE v
v
CE sat
GE(TO)
2,10 2,80 V
2,5
4,5 5,5 6,5 V
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
vCE = 25V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V
C
i
CES
i
GES
ies
3,3 nF
0,8 1 mA
4,0
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V
i
EGS
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = 25°C, iF = 25A
Tvj = 125°C, iF = 25A
iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
v
F
1,7 2,20 V
1,6
Q
r
2,3 µAs
6,0 µAs
500 nA
500 nA
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC
Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
R
R
thJC
thCK
vj max
c op
stg
max. 1,08 °C/W
max. 0,38 °C/W
max. 1,00 °C/W
max. 0,25 °C/W
max. 0,24 °C/W
max. 0,30 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 2(12)
Technische Information / Technical Information
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Temperatursensor / Temperature sensor
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see appendix page 4
Innere Isolation Al2O
3
internal insulation
CTI 225 V
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance ±15%
M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 185 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50 m/s²
vibration resistance
Nennwiderstand
rated resistance
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
TC = 25°C
R
= 493Ω ± 5%
100
TC = 25°C
R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)]
R
P
B
25
25
25/50
5 kΩ
max. 20 mW
3375 K
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 3(12)
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR N B6
BIP AM; R. Jörke
14. Dez 00
Seite/page 4(12)
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