Infineon DDB6U100N16RR Data Sheet
Technische Information / Technical Information
T
s
(TO)
T
)
2
A
)
Dioden-Modul mit Chopper-IGB
Diode Module with Chopper-IGBT
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertie
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Netz-Diode / Rectifier diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom I
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Dauergleichstrom I
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V
insulation test voltage
DD B6U 100 N 16 RR
Tvj = - 40°C...T
TC = 100°C
TC = 97°C
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
tp = 1ms
TC = 25°C
tp = 1ms
vj max
vj max
vj max
, tp = 10ms
, tp = 10ms
V
RRM
FRMSM
I
d
I
FSM
I²t 2100 A²s
CES
C
I
CRM
P
tot
GE
F
I
FRM
ISOL
1600 V
60 A
100 A
104 A
650 A
550 A
1500 A²s
1200 V
50 A
100 A
350 W
± 20 V
25 A
50 A
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Netz-Diode / Rectifier diode min. typ. max.
Durchlaßspannung
Tvj = T
vj max
, iF = 100A
v
F
1,55 V
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
V
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
5,5
mΩ
forward slope resistance
Sperrstrom
Tvj = T
vj max, vR = VRRM
i
R
5mA
reverse current
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 20V
Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 20V
Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v
CE
v
CE sat
v
GE(TO
2,5 3,2 V
3,1
4,5 5,5 6,5 V
gate-emitter threshold voltage
BIP PPE 4 rev.
27. Okt 05
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Technische Information / Technical Information
T
r
s
K
x
p
g
s
2
)
Dioden-Modul mit Chopper-IGB
Diode Module with Chopper-IGBT
IGBT min. typ. max.
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
DD B6U 100 N 16 RR
Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
vCE = 25V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V
Tvj = 25°C, iF = 25A
Tvj = 125°C, iF = 25A
iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
C
i
i
i
v
Q
CES
GES
EGS
F
ies
3,3 nF
0,8 1 mA
4,0
500 nA
500 nA
2,3 2,9 V
1,8
2,3 µAs
6,0 µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal propertie
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case Transistor / Transistor, DC max. 0,38 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode R
thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,24 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
Netz-Diode / Rectifier diode, Θ = 120°rect
Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 °C/W
Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 °C/W
R
thJC
thC
vj ma
c o
st
max. 1,15 °C/W
max. 0,25 °C/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical propertie
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Innere Isolation Al2O
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G typ. 185 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Kühlkörper / heatsinks :
3
BIP PPE 4 rev.
27. Okt 05
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