Infineon DD B6U 100 N 16 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
RRM
RSM
FRMSM
d
FSM
F
(TO)
T
m
Ω
R
ISOL
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thJC
thCK
vj max
c op
stg
BIP PPE 4 rev. 2
A 14/05
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Rectifier Diode Module
DD B6U 100 N 16 (ECONO)
N B6
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...T
vj max
V
1600 V
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...T
vj max
V
1700 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) I
60 A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
TC = 100°C
TC = 97°C
TA = 45°C, KP 0,5 S
TA = 45°C, KP 0,33 S
TA = 35°C, KP 0,41 S (VL = 45l/s)
TA = 35°C, KP 0,33 S (VL = 90l/s)
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
vj max
vj max
, tp = 10ms
, tp = 10ms
I
100 A
104 A
58 A
75 A
104 A
104 A
I
650 A
550 A
I²t 2100 A²s
1500 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
Tvj = T
vj max
, iF = 100A
v
max. 1,55 V
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
V
0,75 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
r
5,5
forward slope resistance
Sperrstrom
Tvj = T
vj max, vR = VRRM
i
max. 5 mA
reverse current
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V
2,5 kV
insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,0 kV
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module R
pro Modul / per module, Θ = 120°rect
pro Element / per chip, Θ = 120°rect
pro Modul / per module, DC max. 0,147 °C/W
pro Element / per chip, DC max. 0,880 °C/W
R
max. 0,191 °C/W
max. 1,150 °C/W
max. 0,033 °C/W
thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
150 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur T
- 40...+150 °C
storage temperature
26. Okt 05
Technische Information / Technical Information
Netz-Dioden-Modul
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
3
typ.
BIP PPE 4 rev. 2
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Rectifier Diode Module
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation Al2O
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 4 Nm
mounting torque
Gewicht G
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks :
DD B6U 100 N 16 (ECONO)
N B6
185 g
26. Okt 05
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Netz-Dioden-Modul
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Rectifier Diode Module
DD B6U 100 N 16 (ECONO)
N B6
26. Okt 05
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