Infineon DDB6U100N12RR Data Sheet

Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Vorläufige Daten

Preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Netz-Diode / Rectifier diode

Periodische Spitzensperrspannung

V

RRM

1200, 1400

V

repetitive peak reverse voltage

1600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

I

FRMSM

60ARMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom

Id100

A

output current

104AStoßstrom-Grenzwert

I

FSM

650Asurge forward current

550AGrenzlastintegral

I²t

2100

A²s

I²t-value

1500

A²s

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

V

CES

1200Vcollector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

IC50ADC-collector current

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

I

CRM

100Arepetitive peak collektor current

Gesamt-Verlustleistung

P

tot

350Wtotal power dissipation

Gate-Emitter Spitzenspannung

VGE± 20Vgate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Dauergleichstrom

IF25ADC forward current

Periodischer Spitzenstrom

I

FRM

50Arepetitive peak forward current

Modul

Isolations-Prüfspannung

V

ISOL

2,5kVinsulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Netz-Diode / Rectifier diode

min.

typ.

max.

Durchlaßspannung

vF1,55Vforward voltage

Schleusenspannung

V

(TO)

0,75Vthreshold voltage

Ersatzwiderstand

rT5,5mΩ

forward slope resistance

Sperrstrom

iR5mAreverse current

IGBT

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

v

CE sat

2,5

3,2Vcollector-emitter saturation voltage

3,1

Gate-Emitter-Schwellspannung

v

GE(TO)

4,5

5,5

6,5Vgate-emitter threshold voltage

SDB-MA2; R. Jörke

29. Okt 99

A 105/97

Seite/page 1(3)

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 100 N 12...16 RR

Tvj = - 40°C...T

TC = 100°C
TC = 97°C

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T

tp = 1ms

, tp = 10ms

vj max

, tp = 10ms

vj max

vj max

TC = 25°C

tp = 1ms

RMS, f = 50Hz, t = 1min

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

, iF = 100A

vj max

vj max

vj max

vj max, vR = VRRM

Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 20V
Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 20V

Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = v

http://store.iiic.cc/

CE

Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT

Vorläufige Daten

Preliminary data

IGBT

min.

typ.

max.

Eingangskapazität

C

ies

3,3nFinput capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

i

CES

0,81mA

collector-emitter cut-off current

4,0

Gate-Emitter Reststrom

i

GES

500nAgate leakage current

Emitter-Gate Reststrom

i

EGS

500nAgate-leakage current

Schnelle Diode / Fast diode

Durchlaßspannung

vF2,3

2,9Vforward voltage

1,8

Sperrverzögerungsladung

Qrrecovered charge

2,3

µAs

6,0

µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Netz-Diode / Rectifier diode,

Θ

= 120°rect

R

thJC

max.

1,15

°C/W

thermal resistance, junction to case

max.

0,38

°C/W

max.

1,00

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

R

thCK

max.

0,25

°C/W

thermal resistance, case to heatsink

max.

0,24

°C/W

max.

0,30

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

T

vj max

150°Cmax. junction temperature

Betriebstemperatur

T

c op

- 40...+150

°C

operating temperature

Lagertemperatur

T

stg

- 40...+150

°C

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 3

case, see appendix

page 3

Innere Isolation

Al2O3internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung

M14Nm

mounting torque

Gewicht

G

typ.

185gweight

Kriechstrecke

12,5mmcreepage distance

Kühlkörper / heatsinks :

SDB-MA2; R. Jörke

Seite/page 2(3)

29. Okt 99

Diode Module with Chopper-IGBT

DD B6U 100 N 12...16 RR

Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
vCE = 25V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V

Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V

Tvj = 25°C, iF = 25A
Tvj = 125°C, iF = 25A

iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, vR = 600V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC

Netz-Diode / Rectifier diode
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.

Toleranz / tolerance ±15%

http://store.iiic.cc/