Infineon DD800S17K6C-B2 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral der Diode
2
t - value, Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
T
= 25°C V
vj
t
= 1 ms I
p
= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
V
R
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Modulinduktivität
stray inductance module
IF = 800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V
= 800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
I
F
= 1700V, Tvj = 25°C I
V
R
= 800A, - diF/dt = 6300A/µsec
I
F
V
= 900V, Tvj = 25°C I
R
VR = 900V, Tvj = 125°C
I
= 800A, - diF/dt = 6300A/µsec
F
= 900V, Tvj = 25°C Q
V
R
VR = 900V, Tvj = 125°C
I
= 800A, - diF/dt = 6300A/µsec
F
= 900V, Tvj = 25°C E
V
R
VR = 900V, Tvj = 125°C
pro Diode / per Diode
vorläufige daten
preliminary data
CES
I
F
FRM
2
t
I
V
ISOL
F
R
RM
r
rec
L
sAC
1700 V
1600 A
min. typ. max.
800 A
170
kA2s
4kV
2,1 2,5 V
2,1 2,5 V
5mA
710 A
860 A
135 µAs
265 µAs
75 mWs
155 mWs
20 nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
prepared by: A. Wiesenthal date of publication: 06.11.2001
approved by: Christoph Lübke; 2001-11-09 revision: 1 (preliminary)
1(5)
R
CC´+EE´
0,16 mW
DD800S17K6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Diode / per diode, DC
pro Modul / per module
l
= 1 W/m*K / l
Paste
= 1 W/m*K
grease
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
vorläufige daten
preliminary data
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
T
vj
T
vjop
T
stg
0,008 K/W
-40 125 °C
-40 125 °C
0,034 K/W
150 °C
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
min. 275
M1 5 Nm
terminals M8 M2 8 - 10 Nm
G 1050 g
AlN
15 mm
10 mm
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
2(5)
DD800S17K6CB2_V.xls
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