Infineon DD600S65K1 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
2
t - value, Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
DD 600 S 65 K1
=125°C
T
vj
T
=25°C
vj
T
=-40°C
vj
= 1 ms I
t
P
= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
V
R
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V
PD
V
CES
I
F
FRM
2
I
t
V
ISOL
ISOL
6500
6300
5800
600 A
1200 A
165
k A2s
10,2 kV
5,1 kV
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
= 600A, Tvj = 25°C V
I
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
F
= 600A, Tvj = 125°C
I
F
= 6300V, Tvj = 25°C I
V
R
= 6500V, Tvj = 125°C
V
R
= 600A, - diF/dt = 2000A/µs
I
F
= 3600V, Tvj = 25°C I
V
R
= 3600V, Tvj = 125°C
V
R
= 600A, - diF/dt = 2000A/µs
I
F
= 3600V, Tvj = 25°C Q
V
R
= 3600V, Tvj = 125°C
V
R
= 600A, - diF/dt = 2000A/µs
I
F
= 3600V, Tvj = 25°C E
V
R
= 3600V, Tvj = 125°C
V
R
pro Zweig / per arm
pro Zweig / per arm
L
R
CC´+EE´
min. typ. max.
3,0 3,8 4,6 V
F
- 0,2 - mA
R
- 20 - mA
RM
sCE
- 800 - A
- 1000 - A
- 550 - µC
r
- 1050 - µC
- 660 - mJ
rec
- 1600 - mJ
- 25 - nH
- 0,37 -
3,9 4,7 V
mΩ
prepared by: Dr. Oliver Schilling date of publication: 2002-07-05
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05 revision/Status: Series 1
1
DD 600 S65 K1 (final 1).xls
Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
DD 600 S 65 K1
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Diode/Diode, DC
pro Modul / per Module
λ
≤ 1 W/m*K / λ
Paste
Schaltvorgänge Diode(SOA)
switching operation Diode(SOA)
grease
≤ 1 W/m*K
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
T
R
R
vj, max
T
T
thJC
thCK
vj,op
- - 0,021 K/W
- 0,008 - K/W
- - 150 °C
-40 - 125 °C
-40 - 125 °C
stg
AlN
56 mm
26 mm
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube /screw M6 M 5 Nm
Anschlüsse / terminals M8 M 8 - 10 Nm
G 1000 g
>600
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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DD 600 S65 K1 (final 1).xls
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