Infineon DD400S17K6C-B2 Data Sheet
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 400 S 17 K6C B2
1700V Dual Dioden Modul mit softer EmCon Diode
1700V Dual Diode Module with soft EmCon Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral der Diode
2
I
t - value, Diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
t
= 1 ms I
p
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
CES
I
F
FRM
2
I
t
V
ISOL
1700 V
400 A
800 A
45
kA2s
4kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
IF = 400A, Tvj = 25°C V
IF = 400A, Tvj = 125°C
V
= 1700V, Tvj = 25°C I
R
VR = 1700V, Tvj = 125°C
I
= 400A, - diF/dt = 3100A/µsec
F
= 900V, Tvj = 25°C I
V
R
VR = 900V, Tvj = 125°C
= 400A, - diF/dt =3100A/µsec
I
F
= 900V, Tvj = 25°C Q
V
R
VR = 900V, Tvj = 125°C
= 400A, - diF/dt = 3100A/µsec
I
F
= 900V, Tvj = 25°C E
V
R
VR = 900V, Tvj = 125°C
pro Diode / per Diode
pro Zweig / per arm
L
R
CC´+EE´
min. typ. max.
F
R
RM
r
rec
sAC
2,1 2,5 V
2,1 2,5 V
0,01 1 mA
540mA
300 A
370 A
80 µAs
145 µAs
35 mWs
75 mWs
20 nH
0,16
mΩ
prepared by: A. Wiesenthal date of publication: 20.07.00
approved by: Chr. Lübke; 11.08.2000 revision: 2 (Series)
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DD400S17K6CB2
Technische Information / Technical Information
m
g
IGBT-Module
IGBT-Modules
DD 400 S 17 K6C B2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
pro Diode / per diode, DC
pro Zweig / per ar
pro Modul / per module
λ
= 1 W/m*K / λ
Paste
= 1 W/m*K
rease
min. typ. max.
R
thJC
R
thCK
R
thCK
T
vj
T
op
T
stg
0,016
0,008
-40 125 °C
-40 125 °C
0,068 K/W
K/W
K/W
150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
terminals M8 M2 8 - 10 Nm
AlN
15 mm
10 mm
min. 275
M1 5 Nm
G 1050 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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DD400S17K6CB2
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