Infineon DD261N Data Sheet

N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages
Thermische Eigenschaften
Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Sperrstrom reverse current
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
DD261N
DD261N DD260N..K..-A DD260N..K..-K
Tvj = -40°C... T
Tvj = +25°C... T
I
TC = 100°C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
vj max
V
vj max
, tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 800 A
V
r
, vR = V
RRM
RRM
RSM
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
vF
T
iR
V
2400
2100 2500
max.
0,7 V
(TO)
max.
ISOL
2000
2200 2600V V
2300 2700
410 A
260 A
9.500
8.300
451.000
344.000
1,42 V
0,68 m
40 mA
3,6 3,0
V V
A A
A²s A²s
kV kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
C. Drilling date of publication: 14.08.03
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module pro Zweig / per arm
T
T
revision: 2
max.
R
R
T
thJC
thCH
vj max
c op
stg
max. max. max.
max. max.
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
0,085 0,170 0,082 0,164
0,02 0,04
150
°C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
°C
N
r
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Mechanische Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
DD261N
Seite 3
AlN
Toleranz ±15% M1 5 Nm
Toleranz ±10% M2 12 Nm
G typ. 800 g
17 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
page 3
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen E
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
läuterungen.
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Maßbild
DD261N
12 3
DD
12 3
DD-K
12 3
DD-A
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