Infineon DD160N Data Sheet

N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Sperrstrom
reverse current

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

Vorläufige Daten

DD160N

Preliminary data

DD160N

Tvj = -40°C... T

Tvj = +25°C... T

I

TC = 100°C
T

= 95 °C

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= T

T

vj

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

= T

T

vj

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

Tvj = T

vj max

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V

vj max

V

vj max

, tP = 10 ms

, tP = 10 ms

, iF = 500 A

V

r

, vR = V

RRM

RRM

RSM

FRMSM

I

FAVM

I

FSM

I²t

vF

iR

V

T

2300 V

max.

0,8 V

(TO)

max.

ISOL

2200 V

270 A

160
172A A

5.300

4.600

140.500

105.800

1,40 V

1,0 mΩ

20 mA

3,0
2,5

A
A

A²s
A²s

kV
kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

prepared by:

approved by: M. Leifeld

C. Drilling date of publication: 11.02.2009

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm

T

T

revision: 1

R

max.

R

T

thJC

thCH

vj max

c op

stg

max.
max.
max.

max.
max.

- 40...+150 °C

- 40...+150 °C

0,130
0,260
0,126
0,252

0,03
0,06

150

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Mechanische Eigenschaften

Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation
internal insulation

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Schwingfestigkeit
vibration resistance

Vorläufige Daten

DD160N

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AlN

Toleranz ±15% M1 6 Nm

Toleranz ±10% M2 6 Nm

G typ. 310 g

15 mm

f = 50 Hz 50 m/s²

file-No. E 83335

Preliminary data

page 3

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

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N

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

Maßbild

Vorläufige Daten

DD160N

Preliminary data

12 3

DD

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