Infineon DD106N Data Sheet
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Thermische Eigenschaften
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
DD106N
DD106N DD106N..K..-A DD106N..K..-K
T
= -40°C... T
vj
Tvj = +25°C... T
vj max
vj max
TC = 100°C
T
= 93°C
C
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
, tP = 10 ms
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T
= T
vj
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
Tvj = T
, tP = 10 ms
vj max
, iF = 300 A v
vj max
vj max
vj max
, vR = V
vj max
RRM
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
V
r
i
V
1200
1600
2000
1300
1700
2100
F
(TO)
T
R
ISOL
max.
max.
1400
1800
2200
1500
1900
2300
180 A
106
115AA
3.000
2.600AA
45.000
33.800
1,35 V
0,7 V
2mΩ
20 mA
3,6
3,0
V
V
V
V
V
V
A²s
A²s
kV
kV
1)
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
1) 2200V auf Anfrage/ 2200V on request
prepared by:
C. Drilling date of publication: 29.04.03
approved by: M. Leifeld
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
revision: 1
R
R
T
T
T
thJC
thCH
vj max
c op
stg
max.
max.
max.
max.
0,195
0,390
0,185
0,370
max.
max.
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
0,04
0,08
150
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
BIP AC / 85-09-19, Tscharn A9/E85 1/8Seite/page
N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Mechanische Eigenschaften
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DD106N
Seite 3
page 3
AlN
Toleranz ±15% M1 4 Nm
Toleranz ±10% M2 4 Nm
G typ. 250 g
15 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
file-No. E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / 85-09-19, Tscharn A9/E85 2/8Seite/page
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Maßbild
Datenblatt / Data sheet
DD106N
12 3
DD
12 3
DD-K
12 3
DD-A
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