Mark eting Informati on
D 921 S 45 T
62,8
Anode
Euro pean PowerSemicondu cto r and
Electronics Compan y
A
K
Kath o de
3,5
±
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
D 921 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
1)
1)
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C...140°C V
RRM
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...140°C V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
Dauergrenzstrom / mean forward current tC = 85°C I
RSM
FRMSM
FAVM
tC = 52°C 1630 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral t
I²t-value t
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit IFM = 3000 A, VR = 0,67 V
critical repetitive rate of fall of on - state CS = 0,3 µF, RS = τ/C
t
= 25°C, tp = 10 ms, vR = 0V I
vj
t
= 140°C, tp = 10 ms, vR = 0V 23000 A
vj
= 25°C, tp = 10 ms, vR = 0V I²t A²s
vj
= 140°C, tp = 10 ms, vR = 0V 2650000 A²s
vj
DRM
S
FSM
(-diF/dt)
com
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage tc = -25°C ... +85°C V
Durchlaßspannung / forward voltage tvj = 140°C, iF = 2500 A V
Schleusenspannung / threshold voltage tvj = 140°C V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance tvj = 140°C r
Sperrstrom / reverse current tvj = 140°C, vR = 0,67 V
tvj = 140°C, vR = V
RRM
RRM
Rückstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs I
vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/C
S
Sperrverzögerungsladung iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs Q
recovered charge vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/C
S
Sanftheit iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs SR typ. 0,002µAs
Softness vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R = τ/C
S
R(D)
F
(TO)
T
i
R
RM
rr
4500 V
4600 V
2560 A
1380 A
A
500 A/µs
typ. 2600V
max 2,6 V
1,4 V
0,48 mΩ
mA
max. 100mA
max. 800A
2800 µAs
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,0125 K/W
Anoden / anode 0,0228 K/W
Kathode / cathode 0,0277K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,003K/W
einseitig / single-sided max. 0,006K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat. tvjmax 140 °C
Betriebstemperatur / operating temperature tc op -40...+140°C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150°C
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force F 27...45 kN
Gewicht / weight G typ. 850 g
Luftstrecke / air distance 20 mm
Kriechstrecke / creepage distance 30 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
3000
2500
i
F
[A]
2000
1500
1000
500
min
max
I
[A]
FSM
100
10
D 921 S 45 T
7
8
6
5
4
3
2
8
6
5
4
3
2
I
TSM
[A]
⌠
i2dt
⌡
⌠
⌡
i2dt
[A2s]
10
10
6
0
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
vF [V]
D 921 S 45 T_01
Fig. 1
On- state characteristics
tvj = tvjmax
0,030
Z
thJC
[K/W]
0,020
0,010
2 3 4 5 6 8 2 3 4 5 6 8 2 3 4 5 6 8
1
0,1 1 10 100
D 921 S 45 T_03
Fig. 2
Sur ge cur rent I
Sine halfwave i2dt = f( tp)
tvj = tvjmax
TSM
= f(tp)
⌠
⌡
Analytical elements of transient ther mal impedance Z
1. Z
3
r [K/W]τ [s] r [K/W]τ [s] r [K/W]τ [s]
1 0,00430 1,70000 0,01460 8,00000 0,01950 7,30000
thJC
2. Z
thJC
2 0,00610 0,16200 0,00610 0,16200 0,00610 0,16200
3 0,00060 0,04060 0,00060 0,04060 0,00060 0,04060
2
4 0,00100 0,00940 0,00100 0,00940 0,00100 0,00940
5 0,00050 0,00190 0,00050 0,00190 0,00050 0,00190
Σ
0,01250 - 0,02280 - 0,02770 -
Analytical function:
n
1
Z
thJC
max
= Σ R
n = 1
(1-EXP(-t/ τn))
thn
3. Z
t [ms]
thJC
thJC
for DC
2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8 2 3 4 6 8
0
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
D 921 S 45 T_02
Fig. 3
Transient thermal impedance Z
1 - Two-sided cooling
= f(t), DC
thJC
2 - Anode-sided cooling
3 - Cathode-sided cooling
100
Q
r
[µAs]
10
D 921 S 45 T
4
10
Q
r
[µAs]
10
10
8
6
5
4
3
2
3
8
6
5
4
3
2
2
8
6
5
4
3
2
3000 A
IFM =
1000 A
500 A
300 A
100 A
8
6
5
4
3
2
8
6
5
4
3
2
3000 A
IFM=
1000 A
500 A
300 A
100 A
1
10 100 1000
D 921 S 45 T_04
865432 865432
-di/dt [A/µs]
Fig. 4
Reverse recovery charge (upper limit, ca. 98% values)
Par ameter: I
Conditions:
tvj = 140°C; CS = 3 µ F
≥ 1000 V; DS = D 291 S 45 T
VR
FM
10
8
6
5
E
off
[Ws]
4
3
2
1
8
6
5
4
3
IFM=
3000A
1000A
600A
300A
100A
1
10
10 100 1000
D 921 S 45 T_05
-di/dt [A/µs]
Fig. 5
Reverse r ecovery current (upper-limit , ca. 98% values)
Par ameter: I
Conditions:
t
= 140°C; CS = 3 µF
vj
VR ≥ 1000 V; DS = D 291 S 45 T
FM
80
70
V
FRM
[V]
Tvjmax
60
50
40
30
25°C
20
865432865432
2
0,1
10 100 1000
865432 865432
-di/dt [A/µs]
Fig. 6
Turn-of f - losses E
diodes with VFmax
Parameter:I
tvj = 140°C; CS = 4 µF
DS = D 291 S 45 T
FM
= f(di/dt)
off
VRM = 3000 V
VRM = 2000 V
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800
D 921 S 45 T_07
Fig. 7
Peak For ward Recovery Voltage
(typical values)
Parameter: t
vj
diF/dt [A/µs]
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